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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)

美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)

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2021-02-02 17:07:448655

SK海力士:采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM量產(chǎn)

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2021-07-12 10:57:065591

產(chǎn)業(yè)大事件:-爾必達(dá)并購(gòu)案重塑DRAM市場(chǎng)格局

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報(bào),美國(guó)美與日本爾必達(dá)如果合并,可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。
2012-02-16 15:10:101079

存儲(chǔ)器廠(chǎng)商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、(Micron),正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后,三大廠(chǎng)認(rèn)為以25
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相較于 SK 海力士、光在 2015 年年中 20 奈米才導(dǎo)入量產(chǎn),加速 20 納米製程轉(zhuǎn)換,在 2016 年才要進(jìn)入 18/16 納米製程競(jìng)賽的同時(shí),早已搶先導(dǎo)入 20 奈米的叁星,現(xiàn)在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產(chǎn)的震撼彈,意圖大幅甩開(kāi)對(duì)手糾纏。
2016-04-07 08:58:031898

將裁員2400人,存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商寒冬已然來(lái)臨!

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計(jì)劃再投20億美元興建3D DRAM封測(cè)廠(chǎng)

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計(jì)劃斥資20億美元,加速DRAM產(chǎn)能

該公司買(mǎi)下多臺(tái)訂價(jià)數(shù)十億日?qǐng)A的尖端芯片制造設(shè)備進(jìn)行研發(fā),預(yù)料在DRAM芯片開(kāi)始量產(chǎn)后,還會(huì)添購(gòu)更多設(shè)備
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科技Q3復(fù)蘇化為泡影 欲持續(xù)減產(chǎn)換市場(chǎng)定價(jià)權(quán)?

中美貿(mào)易對(duì)決,供過(guò)于求的DRAM市場(chǎng)以及疲軟的終端市場(chǎng)需求拖累科技2019財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)。此前該公司對(duì)第三財(cái)季預(yù)期抱有期許,并對(duì)今年下半市場(chǎng)需求持樂(lè)觀(guān)態(tài)度。然而,鑒于仍面臨著價(jià)格問(wèn)題,這次復(fù)蘇收效甚微。
2019-07-04 10:00:355437

5G移動(dòng)市場(chǎng)風(fēng)云變化 尖端存儲(chǔ)芯片發(fā)力四大應(yīng)用市場(chǎng)

2021年全球移動(dòng)存儲(chǔ)在5G市場(chǎng)前景如何?不同價(jià)位的5G手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)容量和響應(yīng)速度有何需求?主流配置變化如何演進(jìn)?5G未來(lái)新應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)需求有哪些變化?2021年科技在主要市場(chǎng)的增長(zhǎng)目標(biāo)如何?4月
2021-04-15 22:46:0454154

宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

人工智能在越來(lái)越多的應(yīng)用中被廣泛部署,這需要先進(jìn)的內(nèi)存解決方案,以確保更快速、更有效的數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)。 LPDDR5 能夠?yàn)橹苯訕?gòu)建在移動(dòng)設(shè)備處理器中的人工智能引擎提供所需的速度和容量。
2020-02-07 15:33:371505

推出低功耗DDR5 DRAM芯片,能效提升超過(guò) 20%

移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示:“與摩托羅拉基于該款智能旗艦手機(jī)的合作體現(xiàn)出移動(dòng)設(shè)備制造商極其重視下一代存儲(chǔ)解決方案,以期為用戶(hù)帶來(lái)更高性能和更豐富的體驗(yàn)。攜LPDDR5助力5G智能旗艦手機(jī)設(shè)計(jì),其背后凸顯了手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈里的通力協(xié)作。”
2020-04-24 09:43:513988

三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)導(dǎo)入EUV,不跟進(jìn)

日前,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù),以建立更高的技術(shù)壁壘。對(duì)此,(Micron)企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示,不打算跟進(jìn),目前并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-09 10:34:452742

新突破!宣布批量出貨1α工藝節(jié)點(diǎn)DRAM

宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開(kāi)始批量出貨,這是目前世界上最先進(jìn)的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會(huì)用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)上,隨著時(shí)間的推移,未來(lái)將用
2021-01-27 15:37:313660

三星1z納米EUV制程DRAM完成量產(chǎn)

技術(shù)的三星1z納米制程DRAM之后,發(fā)現(xiàn)EUV曝光技術(shù)除了提升了三星的生產(chǎn)效率,另外還縮小了DRAM的節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)尺寸。而且,還將三星與的1z納米制程的DRAM進(jìn)行了比較,采用了EUV曝光技術(shù)的三星DRAM在核心尺寸(Cell Size)方面同樣較小。
2021-02-22 10:31:363352

宣布:停止移動(dòng) NAND開(kāi)發(fā),包括終止UFS5開(kāi)發(fā)

產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),包括終止UFS5的開(kāi)發(fā)。 此項(xiàng)決策僅影響全球移動(dòng) NAND 產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作,將繼續(xù)開(kāi)發(fā)并支持其他 NAND 解決方案,如SSD和面向汽車(chē)及其他終端市場(chǎng)的NAND解決方案。還將繼續(xù)在全球范圍內(nèi)開(kāi)發(fā)和支持移動(dòng) DRAM 市場(chǎng),并提供業(yè)界領(lǐng)先的 DRAM 產(chǎn)品組合。
2025-08-12 13:39:302945

引領(lǐng)圖像傳感器市場(chǎng)

  (Micron)在CMOS圖像傳感器(CMOS image sensor)領(lǐng)域領(lǐng)先于三星電子(Samsung Electronics)等對(duì)手。實(shí)際上,的圖像傳感器已獲得三星的desing
2018-11-20 16:03:30

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市場(chǎng)的35%。明年,至少兩家中國(guó)集成電路供應(yīng)商(睿力集成電路和晉華集成電路)將成功進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。盡管?chē)?guó)產(chǎn)廠(chǎng)商的產(chǎn)能和制造流程最初不會(huì)與三星、SK 海力士或等公司匹敵,但看看中國(guó)的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何,將是一件有趣的事情。
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NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

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大家好,我做FPGA開(kāi)發(fā),需要用到大的內(nèi)存,ise12只有光和現(xiàn)代的庫(kù),我對(duì)內(nèi)存使用有如下疑惑:2G內(nèi)存位寬16位,速率可達(dá)200M,4G內(nèi)存怎么才8位,速率還慢,才125M~150MHz.這樣的話(huà),用更多的內(nèi)存反而降低性能?
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清華紫光與武漢新芯組最強(qiáng)CP 劍指

全球的DRAM營(yíng)收就達(dá)到了234.5億美元,其中移動(dòng)DRAM的份額增長(zhǎng)最快。這得益于智能手機(jī)以及搭載高存儲(chǔ)密度的設(shè)備的發(fā)展,隨著物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算的流行,DRAM的密度是越來(lái)越高。清華紫光收購(gòu)啟動(dòng)
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DRAM:傳臺(tái)塑出面 與、華亞科與南科新合作架構(gòu)

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2012-10-23 15:08:061080

與高通競(jìng)逐 英特爾22納米移動(dòng)芯片明年量產(chǎn)

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2012-12-11 09:05:031144

三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145

三星開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019

:看好存儲(chǔ)器市場(chǎng),至少可望一路好到2021年

存儲(chǔ)器大廠(chǎng)(Micron)22日在美國(guó)召開(kāi)分析師大會(huì),執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示,存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型,以智能型手機(jī)為中心的行動(dòng)時(shí)代(mobile era),逐步轉(zhuǎn)進(jìn)
2018-06-28 07:34:001118

關(guān)于與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話(huà),將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局,對(duì)將是巨大的威脅。英特爾和美都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)的SSD和DRAM, 之后 英特爾可能更注重PC市場(chǎng),則是服務(wù)器市場(chǎng)。
2018-06-29 10:32:003400

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿(mǎn)足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿(mǎn)足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102

服務(wù)器用DRAM占年度銷(xiāo)售30%,超越PC用DRAM成為第二大產(chǎn)品

7月10日?qǐng)?bào)導(dǎo),JP摩根目前對(duì)今明兩年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額、出貨量預(yù)估較上個(gè)月高出5-6%。JP摩根分析師Harlan Sur指出,科技的年度銷(xiāo)售額大約有30%來(lái)自服務(wù)器用DRAM。他預(yù)期服務(wù)器用DRAM將占整體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額的四分之一、超越PC用DRAM成為第二大產(chǎn)品(僅次于移動(dòng)設(shè)備DRAM)。
2018-08-09 15:50:541252

三星或?qū)⒂肊UV設(shè)備進(jìn)行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

傳三星電子(Samsung Electronics)啟動(dòng)采用極紫外(EUV)微影設(shè)備DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過(guò)也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

認(rèn)為暫時(shí)用不上EUV光刻機(jī),DRAM工藝還需發(fā)展

12nm到14nm。再之后,提出的是1α及1β工藝,具體工藝暫不可知。 三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝的DRAM,也就是第一個(gè)進(jìn)入1Xnm節(jié)點(diǎn)的,遙遙領(lǐng)先其他公司,
2018-08-20 17:41:491479

業(yè)務(wù)分析和展望:將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

分析師及投資者大會(huì)上,針對(duì)其業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)行了分析和展望。認(rèn)為未來(lái)美業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵在于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域,且看好市場(chǎng)需求呈現(xiàn)翻倍的增長(zhǎng)。
2018-08-22 16:40:411484

DRAM市場(chǎng)價(jià)格可以穩(wěn)到到年底,1x納米制程預(yù)計(jì)在年底導(dǎo)入

隨著線(xiàn)上交易、無(wú)人駕駛、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)器需求強(qiáng)勁,存儲(chǔ)器大廠(chǎng)科技全球制造資深副總裁艾倫(Wayne Allan)看好2018年存儲(chǔ)器市況供需健康發(fā)展,尤其DRAM市況,價(jià)格可望持穩(wěn)到今年底。
2018-08-23 16:06:421104

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、加速追趕三星

逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開(kāi)發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制
2018-11-12 18:04:02533

聯(lián)電聲明反擊訴訟戰(zhàn)與設(shè)計(jì)架構(gòu)完全不同

為聲明全文: 聯(lián)華電子是國(guó)際公認(rèn)、中國(guó)***起家的半導(dǎo)體公司。38年來(lái),在全球的供應(yīng)鏈上,已經(jīng)成為不可或缺的一員,先進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)達(dá)14納米。對(duì)比之下,公司爭(zhēng)執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù),是32納米
2018-11-13 14:29:192874

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225

南亞科啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā) 將擴(kuò)大辦理超過(guò)100人以上的研發(fā)人才招募

今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,DRAM廠(chǎng)南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外,南亞科取得的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán),并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外(EUV)技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代,預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨。同時(shí),英特爾將加速支援EUV技術(shù)的7納米制程研發(fā),預(yù)期2021年可望進(jìn)入量產(chǎn)階段,首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463963

多家DRAM廠(chǎng)商開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠(chǎng)在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠(chǎng)也開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開(kāi)始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118

存儲(chǔ)市場(chǎng)惡化 同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)前景透露悲觀(guān)氣氛
2019-06-27 10:22:593500

科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前系存儲(chǔ)器大廠(chǎng)科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223762

正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364

推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當(dāng)前和下一代移動(dòng)設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

將要開(kāi)辟汽車(chē)存儲(chǔ)器的新市場(chǎng)

科技是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一,其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)以及醫(yī)療等領(lǐng)域,在這些多樣化的終端應(yīng)用提供針對(duì)性的解決方案。
2019-10-18 17:53:42711

業(yè)績(jī)與存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,專(zhuān)門(mén)生產(chǎn) DRAM 和 NAND 的可謂最具周期性的科技業(yè)務(wù),其財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)會(huì)隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需關(guān)系而大幅波動(dòng)。
2019-12-20 11:40:063947

大多DRAM廠(chǎng)商DDR5相應(yīng)產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場(chǎng)的主流嗎

目前,DRAM廠(chǎng)商三星電子、SK海力士、科技等廠(chǎng)商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:433479

低功耗DDR5 DRAM 芯片,挖掘移動(dòng)設(shè)備5G潛能

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51962

低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)搭載的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶(hù)帶來(lái)完整的5G功能體驗(yàn)。
2020-04-27 16:00:001254

量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15%

的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進(jìn),或者說(shuō)1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片,尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40%,同時(shí)還能讓功耗降低15%
2021-01-27 17:28:332298

宣布“uMCP5”量產(chǎn),首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一

繼今年3月首次公開(kāi)之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。
2020-10-21 09:36:213652

率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā)

,LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設(shè)備(手機(jī)、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升。 率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā) 今年2月,內(nèi)存大廠(chǎng)率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片,并同時(shí)宣布首發(fā)于小米
2020-10-27 11:40:032918

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

北京時(shí)間10月27日消息,內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology(科技)宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用閃存存儲(chǔ)(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:473518

EUV工藝拉響戰(zhàn)局 計(jì)劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

,進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。 圖源: 2021 年 A5 廠(chǎng)建設(shè)計(jì)劃主要彰顯了對(duì) DRAM 未來(lái)發(fā)
2021-02-27 12:09:393676

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線(xiàn),從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車(chē)輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求將有增無(wú)減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年

產(chǎn)品價(jià)格上漲,市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求程度將有增無(wú)減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。 指出,光在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的DRAM廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)采用全球最先進(jìn)制程技術(shù)1α(1-alpha)生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品,首批產(chǎn)品是為著重運(yùn)算需求之客戶(hù)提供DDR4、和適用消費(fèi)性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品,此一里程碑會(huì)更鞏
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或?qū)⒌采w所有類(lèi)型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096

正式出貨全球最先進(jìn)的 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

β DRAM 產(chǎn)品開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗 LPDDR5X 移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒 8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升,將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用,基于 1β 節(jié)點(diǎn)的
2022-11-02 11:50:511703

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

β DRAM產(chǎn)品開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能
2022-11-02 17:27:481537

發(fā)布基于1-alpha技術(shù)制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術(shù),大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。稱(chēng)計(jì)劃在明年開(kāi)始量產(chǎn)這種芯片。
2022-11-03 10:49:011189

科技在日本廣島開(kāi)始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

最新消息,據(jù)日本共同社報(bào)道,科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本光存儲(chǔ)器公司”,已于16日在該市廣島工廠(chǎng)啟動(dòng)最尖端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736

【行業(yè)資訊】推出先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1βDRAM產(chǎn)品開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
2023-02-01 16:13:053032

反超SK海力士,躍居第二大DRAM供應(yīng)商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國(guó)芯片制造商科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠(chǎng)商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

宣布減產(chǎn)至30%!

稱(chēng),2023 年的行業(yè)需求預(yù)測(cè)目前較低,但整個(gè)行業(yè)供應(yīng)量的大幅減少開(kāi)始穩(wěn)定市場(chǎng)。去年 11 月份,宣布將存儲(chǔ)芯片減產(chǎn) 2 成。財(cái)報(bào)內(nèi)容顯示,專(zhuān)注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng),近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開(kāi)工率進(jìn)一步減少至近 30%,預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

商務(wù)部部長(zhǎng)會(huì)見(jiàn)CEO:歡迎繼續(xù)扎根中國(guó)市場(chǎng)

目前,公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠(chǎng),在上海運(yùn)營(yíng)尖端ssd和移動(dòng)nand產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中心。公司還在中國(guó)經(jīng)營(yíng)著三家客戶(hù)研究所
2023-11-03 14:28:021197

HBM市場(chǎng)火爆!與SK海力士今年供貨告罄

指出,專(zhuān)為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn),有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示,“2024年1~12月,HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:151036

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會(huì)上,詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:241316

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

科技攜手三星打造Galaxy S24系列,開(kāi)啟移動(dòng)AI體驗(yàn)時(shí)代

Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備搭載低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存存儲(chǔ),為全球手機(jī)用戶(hù)帶來(lái)強(qiáng)大的人工智能(AI)體驗(yàn)。
2024-03-15 16:59:211061

SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動(dòng)1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

三星近期在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議中聲稱(chēng),計(jì)劃于今年底以前實(shí)現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另?yè)?jù)行業(yè)消息人士透露,SK海力士確定在第三季度實(shí)現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
2024-04-09 16:53:051425

232層QLC NAND芯片量產(chǎn)并出貨,推出SSD新品

科技近期宣布,其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開(kāi)始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步,鞏固了其在全球存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553

232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)中。此外,還推出了2500 NVMeTM SSD,該產(chǎn)品面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶(hù)大規(guī)模生產(chǎn),并向PCOEM廠(chǎng)商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠(chǎng),2027年底或?qū)⒖⒐?/a>

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠(chǎng)

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠(chǎng),預(yù)計(jì)最早于2027年底正式投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目的總投資預(yù)估在6000億至8000億日元之間,體現(xiàn)了對(duì)于日本市場(chǎng)及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本廣島DRAM新廠(chǎng)預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠(chǎng),早在去年就宣布了其在日本廣島的重大投資計(jì)劃。據(jù)悉,計(jì)劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠(chǎng)。這一項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在2026年初破土動(dòng)工,最快有望在2027年底前完成廠(chǎng)房建設(shè)、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝,并正式投入營(yíng)運(yùn)。
2024-06-14 09:53:101341

量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了光在制程技術(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實(shí)力,更為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251

科技將于2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能(AI)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從云服務(wù)器到消費(fèi)設(shè)備,AI需求正呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。科技,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,積極應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)。
2024-10-29 17:03:051171

科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠(chǎng)進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

宣布 1γ DRAM 開(kāi)始出貨:引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破,滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算需求

率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級(jí))DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于此前在 1α(1-alpha)和 1
2025-02-26 13:58:15533

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