，LPDDR4和LPDDR4X。數(shù)字越大，數(shù)據(jù)處理速度越快。 12GB LPDDR4X移動(dòng)DRAM搭載六顆第二代10納米（1y）16千兆位（Gb）芯片。
2019-03-15 14:55:39
5834 數(shù)據(jù)速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)，僅僅16個(gè)月就開
2019-10-22 10:41:215509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 轉(zhuǎn)向三星4納米工藝代工。報(bào)道指出，第二代驍龍4是該系列首款以4納米制程工藝打造的處理器，高通產(chǎn)品管理總監(jiān)Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延長(zhǎng)電池續(xù)航，提升整體效率，最高主頻可達(dá)到2.2 GHz，CPU效能相較上一代提高10%，還將首次在驍龍4系列中支持DDR5，帶
2023-06-29 10:54:293316 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過適當(dāng)放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
與DDR2供給吃緊帶動(dòng)整體平均售價(jià)上揚(yáng)。而在整體DRAM廠DRAM營(yíng)收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達(dá)24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨(dú)立出來(lái)
2008-05-26 14:43:30
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯
近日，Intel在超級(jí)計(jì)算機(jī)大會(huì)上正式展示出其第二代高性能計(jì)算產(chǎn)品Knights Landing Xeon Phi，強(qiáng)大
2015-11-30 14:54:14
景以期及早檢測(cè)疾病，避免其發(fā)展到晚期，盡量降低疾病對(duì)身體的不利影響或損害?！ 鞲衅鞒删?ADI 第二代可穿戴設(shè)備 第二代可穿戴設(shè)備圍繞兩片堆疊成三明治形狀的 PCB 設(shè)計(jì)而成。主板包含低功耗處理器
2018-09-21 11:46:21
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來(lái)自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號(hào)，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測(cè)距信號(hào)自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場(chǎng)，到2013年時(shí)運(yùn)行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測(cè)試，采用30nm級(jí)工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁(yè)找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
Tensilica發(fā)布第二代ConnX基帶DSP引擎，以滿足LTE/4G無(wú)線手機(jī)及基站算法需求
Tensilica日前發(fā)布第二代基帶引擎ConnX BBE16，用于LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)）及4G基帶SoC（片上系統(tǒng)）的
2010-02-25 08:37:551138 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 前進(jìn)的步伐還是不會(huì)被徹底推翻的?？萍嫉膭?chuàng)新也不會(huì)因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會(huì)開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作，同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展，首次透露，第二代10nm（代號(hào)Icelake）已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動(dòng)平臺(tái)，預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:441592 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子表示，其已開發(fā)出全球最小的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片，第二代10納米級(jí)芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
2018-01-05 08:57:054250 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個(gè)開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會(huì)采用7nm芯片組，但是根據(jù)今日最新消息，或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組，同時(shí)三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造，官方確認(rèn)支持3D面部識(shí)別，單核處理速度可提高約2倍。
2018-02-06 12:54:471176 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競(jìng)筆電 DDR4 存儲(chǔ)器。而新的 SoDIMM 存儲(chǔ)器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 近來(lái)崛起的農(nóng)廠 AMD 將在 4 月 19 日發(fā)布第二代銳龍 Ryzen 2000 系列，同時(shí)還有配套的 X470、B450 主板，使用新的工藝和架構(gòu)。另一個(gè)重要的變化就是 Ryzen 二代支持速度
2018-03-31 10:47:0010103 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:213452 K視頻處理、VR、AR、人工智能領(lǐng)域。三星表示使用的是10nm（10nm－19nm）級(jí)工藝，而引腳帶寬將達(dá)到18Gbps，合計(jì)可達(dá)72GB／s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
2018-09-06 14:54:561018 三星前硬件設(shè)計(jì)工程師近日在LinkedIn透露，三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知，但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機(jī)SoC，核心配置核心為2、2和4個(gè)。
2018-10-11 10:39:134633 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級(jí)移動(dòng)處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量產(chǎn)了，6月份就會(huì)發(fā)布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會(huì)使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:032265 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 9 月份合肥長(zhǎng)鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，市場(chǎng)預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來(lái)太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 12月4日消息 三星正在為其即將推出的智能手機(jī)Galaxy S11，S11 Plus和S11e進(jìn)行最后潤(rùn)色，預(yù)計(jì)將在明年2月發(fā)布，屆時(shí)這家韓國(guó)制造商還有望推出其第二代無(wú)線耳機(jī)，現(xiàn)在該耳機(jī)的信息已經(jīng)曝光。
2019-12-04 14:35:294304 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 韓國(guó)三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬(wàn)個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級(jí)DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動(dòng)設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 據(jù)媒體報(bào)道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 利用Arm內(nèi)核并采用客戶開發(fā)的相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）和軟件，三星第二代SmartSSD可實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理。相較于三星傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心SSD，對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行重度掃描的查詢時(shí)長(zhǎng)可縮短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高達(dá)97%。
2022-07-21 10:11:091229 據(jù)消息報(bào)道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤（SmartSSD），這將搶占未來(lái)市場(chǎng)。
2022-07-22 17:03:433079 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級(jí)
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來(lái)這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 2024年，南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開銷約200億元，有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息，計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)（1B）來(lái)生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品，由此可見其對(duì)于未來(lái)發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:001261 臺(tái)積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，也是三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。雙方都在積極爭(zhēng)取客戶，并計(jì)劃在上半年實(shí)現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:261324 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái)，提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡(jiǎn)單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
2025-04-24 14:52:031066 
給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購(gòu)日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371046 2025 年 12 月 3日，中國(guó)蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
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