美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點來改善
2019-08-20 10:22:36
8531 數(shù)據(jù)速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開
2019-10-22 10:41:215509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:552760 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 ，這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:379677 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業(yè)回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2020-12-16 17:31:39
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業(yè)回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2021-01-11 18:16:12
年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測試，預(yù)計2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖?，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 本月，三星電子宣布實現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391455 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據(jù)報道，三星超車臺積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務(wù)器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨霸市場；高通10nm手機芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺積電，臺積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52530 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 %的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時報》報道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 前進(jìn)的步伐還是不會被徹底推翻的?？萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作，同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852 據(jù)韓媒報道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展，首次透露，第二代10nm（代號Icelake）已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441592 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組，但是根據(jù)今日最新消息，或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組，同時三星宣布Galaxy S9智能手機將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667 
更快的內(nèi)存，額定頻率從 DDR4-2400 提高到 DDR4-2993，部分內(nèi)存條可以跑到 DDR4-3600，甚至能超頻到 DDR4-4000。 而芝奇如同之前一樣，為 Ryzen 二代準(zhǔn)備了
2018-03-31 10:47:0010103 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 根據(jù)報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 三星前硬件設(shè)計工程師近日在LinkedIn透露，三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知，但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機SoC，核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級移動處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量產(chǎn)了，6月份就會發(fā)布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:032265 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn)，表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 英特爾10nm制程Ice Lake處理器已經(jīng)發(fā)布，不過首批10nm主要應(yīng)用于低功耗平臺。而第二代10nm平臺將于今年三或四季度發(fā)售，即早前CES公布的Tiger Lake平臺。
2020-02-13 23:04:483334 
三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時取得了重大突破，長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431694 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:293544 季度為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣，臺積電的 5nm 工藝也不只一代，他們還將推出第二代的 5nm 工藝，也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間，臺積電曾披露，同第一代 5nm 工藝相比，第二代 5nm 工藝所制造的芯片，理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:022235 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報道來看，同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣，臺積電正在研發(fā)的3nm工藝，也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報道臺積電會推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:462211 在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 今日，七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計。值得一提的是，經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:313302 亦重拾漲勢，8GB DDR4模組合約價月增4.8％達(dá)26美元，換算8Gb DDR4顆粒合約價已達(dá)3美元。 ? 此外，1月份利
2021-02-03 16:59:202336 豪微科技的第二代高帶寬內(nèi)存芯片進(jìn)一步優(yōu)化了設(shè)計，自主研發(fā)了高帶寬3D內(nèi)存控制器和uLPower低功耗技術(shù)，在一顆芯片上集成高于2000路的DDR內(nèi)存控制通路，提供1TByte/s到8TByte/s的存算帶寬。
2021-04-01 09:28:524112 據(jù)媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 據(jù)消息報道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤（SmartSSD），這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079 采用了GAA晶體管，芯片整體尺寸得到了縮減，性能和功耗方面也比上一代芯片優(yōu)化了不少，并且三星已經(jīng)在著手于第二代3nm芯片技術(shù)的研發(fā)了，相較之下，臺積電的3nm芯片目前還沒有量產(chǎn)的消息，而且臺積電的3nm芯片還是會采用FinFET晶體管，因此目前來
2022-07-25 11:46:102257 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量，標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491153 三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371046
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