電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產能轉向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應鏈波動，同時在供給不足的擔憂
2025-06-19 00:54:00
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電子發(fā)燒友網綜合報道 2025年末，存儲行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術動態(tài)引發(fā)產業(yè)鏈廣泛關注——三星半導體官網更新DRAM產品目錄，低調上架多款處于“樣品”階段的DDR5內存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004504 三星2nm GAA芯片量產背后，隱藏“測不準”危機。原子級尺度下，量子隧穿、工藝波動等使芯片從“確定性”轉向“概率性”，傳統(tǒng)測試假設崩塌。測試面臨測量精度不足、動態(tài)功耗管理復雜、信號完整性脆弱三
2025-12-30 17:02:17446 級芯片（SoC），有望重塑三星在移動芯片領域的競爭力。預計2026年2月發(fā)布的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載該芯片。 ? ? Exynos 2600在制程工藝上采用2nm GAA（MBCFET
2025-12-25 08:56:008274 
一、內存分布 ? U-Boot 由前級 Loader 加載到 CONFIG_SYS_TEXT_BASE 地址，初始化時會探明當前系統(tǒng)的總內存容 量， 32 位平臺上認為最大 4GB 可用（但是不影響
2025-12-15 10:42:00101 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產品采用華邦自有先進 16nm 制程技術，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
K4B8G0846D-MCMA 8Gb DDR3 78K；
H9TCNNN4GDALJR-NGM LPDDR2 4Gb 134球 137K；
MT53B128M32D1NP-062 WT:A LPDDR4 4Gb
2025-11-27 15:58:19
電子發(fā)燒友網綜合報道，11月24日，兆易創(chuàng)新高管在2025年第三季度業(yè)績說明會上表示，公司利基型DRAM產品量價齊升，公司今年新量產的DDR4 8Gb較快搶占份額，進入第三季度銷量已經與DDR4
2025-11-26 11:58:365359 本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423466 
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數據；據悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341115 三星、美光暫停 DDR5 報價的背后，是存儲芯片產業(yè)向高附加值封裝技術的轉型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術，其核心驅動力，仍是國內存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產化進程加速。
2025-11-08 16:15:011156 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暫停 DDR5 合約報價引發(fā)的存儲芯片荒，正通過 AI 服務器需求鏈，悄然傳導至 PCB 行業(yè)。這場關聯的核心，并非簡單的 “芯片漲價帶動 PCB 漲價”，而是 AI 服務器對存儲芯片
2025-11-05 10:29:56561 瀾起科技今日正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時鐘驅動器芯片（RCD04）的量產。該芯片是高性能服務器及數據中心內存系統(tǒng)的核心組件，將為下一代計算平臺帶來顯著的內存性能提升。
2025-10-30 11:37:54442 ，使DDR3成為系統(tǒng)的一部分，可以直接通過地址進行讀寫。
在配置MIG時，主要注意以下幾點：
1. Clock Period選擇400MHz，Ratio選擇4：1，則用戶時鐘（ui_clock
2025-10-29 07:16:34
DDR控制協議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大，使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進入產品壽命結束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產
2025-10-14 17:11:371033 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
據外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產；三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152149 三星美國廠2nm 產線運作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國德州新廠2nm產線近期傳出繼續(xù)運作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內量產目標。臺積電
2025-09-02 11:26:511510 憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產品。在產品覆蓋、技術支持和供應保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
電子發(fā)燒友網綜合報道，據報道，有業(yè)內人士透露，三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經通過了初步的質量測試，將于本月底進入預生產階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:007162 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實現新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內兩家頭部晶圓代工廠經過
2025-08-14 17:20:531311 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592244 給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產芯片 據外媒報道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利，三星將立即啟動量產，三星GalaxyS26系列手機將首發(fā)
2025-07-31 19:47:071591 本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數據線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數據線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 電子發(fā)燒友網綜合報道，據韓媒報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試，正就量產供應展開磋商。當前協商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產時間預計最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465 ：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實驗原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
2025-07-10 10:46:48
面對近來全球大廠陸續(xù)停產LPDDR4/4X以及DDR4內存顆粒所帶來的巨大供應短缺，芯動科技憑借行業(yè)首屈一指的內存接口開發(fā)能力，服務客戶痛點，率先在全球多個主流28nm和22nm工藝節(jié)點上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤預計重挫39% 由于三星向英偉達供應先進存儲芯片延遲，三星預計將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績數據
2025-07-07 14:55:29587 在全球半導體代工領域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務在制程技術推進方面做出重大調整，原本計劃于2027年量產的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 電子發(fā)燒友網綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現“價格倒掛”現象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內存占據主導地位。全球DDR內存市場正經歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉向DDR5和HBM（高帶寬內存）生產，DDR3和DDR4市場呈現供不應求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
據外媒 SAMMobile 報道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點是“優(yōu)化內存
2025-06-09 18:28:31879 隨著汽車產業(yè)向智能化、網聯化加速轉型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術已成為現代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內領先的存儲器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲產品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171219 
隨著新能源汽車、智能網聯汽車和自動駕駛技術快速發(fā)展，車規(guī)級電子元器件市場迎來爆發(fā)式增長。三星電機作為全球MLCC（多層陶瓷電容器）領域的技術領先者，其車規(guī)級貼片電容在電動汽車BMS系統(tǒng)、智能座艙
2025-05-22 16:26:42598 
深圳帝歐電子求購內存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機卡都有收，價高同行回收三星內存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內存漲價20%? 存儲器價格跌勢結束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據TrendForce報道稱，三星公司DDR4內存開始漲價，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數百分比；DDR5價格上漲個位數百分比。據稱 DDR4 上調 20%，DDR5 上調約 5
2025-05-13 01:09:006843 下面是調用的DDR3模塊的，模塊的倒數第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
。 該器件包含一個高速運算放大器，可提供出色的負載響應 瞬 變。輸出級可防止擊穿，同時提供 1.5A 連續(xù)電流和 根據 DDR-SDRAM 端接的要求，應用中的瞬態(tài)峰值高達 3A。LP2996A 包含 V~意義~引腳提供出色的負載調節(jié)和 V~裁判~輸出作為芯片組和 DIMM 的參考。
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
1. 傳ASML 取消與三星合作的半導體研究設施，轉而尋求替代方案 ? 2023年末，三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體芯片研究設施，并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:001488 ：LS2K0300-I
主頻：1GHZ
3、512MB DDR4、4GB pSLC EMMC FLASH
4、1個調試串口、9個通用串口
5、4個CAN FD
6、2個1000Mbps以太網
7、LCD
2025-04-19 18:10:47
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
在全球科技競爭加劇、國產替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內存芯片領域的技術積累，不斷實現突破，推動國產存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 SamMobile報道稱；三星半導體研發(fā)部門延長工時的申請獲得勞動部京畿道分支機構的批準。韓國政府允許三星半導體研發(fā)部門的員工每周工作最長 64 小時，具體來說，在前三個月每周工作最長 64 小時，隨后三個月每周最長 60 小時， 三星成為首家獲準延長工時
2025-04-16 11:20:32799 ，滿足專業(yè)級多媒體需求，最多支持雙MIPI DSI屏幕+HDMI屏幕+全功能Type-C DP輸出，多場景顯示隨心切換。
接口豐富，擴展無憂QuarkPi-CA2卡片電腦板載LPDDR4X內存（4GB
2025-04-11 16:03:36
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
次公開了?SF1.4（1.4nm?級別）工藝，原預計?2027?年實現量產。按照三星當時的說法，SF1.4?將納米片的數量從?3?個增加到?4?個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 次公開了 SF1.4（1.4nm 級別）工藝，原預計 2027 年實現量產。按照三星當時的說法，SF1.4 將納米片的數量從 3 個增加到 4 個，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462 燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 電子發(fā)燒友網綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或將有數款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486 據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進行大規(guī)模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 DDR內存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設計的架構來優(yōu)化內存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
三星半導體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數據，用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 電子發(fā)燒友網綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產DDR4內存芯片。 ? 數據顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 DSI TX接口支持2560x1600@60fps，TTL/并行RGB接口支持1280x800@60fps；
存儲擴展：內置DDR3/L內存（16位，2133Mbps），支持eMMC 5.0
2025-02-20 14:11:52
特點4Gb雙數據速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
據報道，業(yè)內人士透露，全球三大DRAM內存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內正式停產已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內存。 隨著技術的不斷進步和消費級平臺的更新換代
2025-02-19 11:11:513460 其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據推測，三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 100Pro+開發(fā)板（型號：MES2L676-100HP）采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 擁有100k等效LUT4，DDR3數據交互時鐘頻率最高到533MHz，2
2025-02-17 16:33:20
據韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內存的順利量產，公司決定對設計進行重大調整。
2025-02-13 16:42:511336 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內存模塊，專為滿足現代計算需求而設計。該產品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應用于個人電腦、服務器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現代移動計算需求而設計。這款內存條采用了最新的 DDR5 技術，具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 內存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內存條由三星（Samsung）生產，專為滿足現代計算需求而設計，適用
2025-02-10 07:44:13
全球工業(yè)級嵌入式存儲領域的領導品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內存產品，為高性能運算(HPC)領域注入了新的活力。 這兩款內存
2025-02-08 10:20:131039 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據悉，該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規(guī)模生產和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 近日，據報道，蘋果已經正式啟動了M5系列芯片的量產工作。這款備受期待的芯片預計將在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首發(fā)搭載。 蘋果M5系列芯片的一大亮點在于其采用了臺積電最新一代的3nm制程
2025-02-06 14:17:461310 據外媒報道，芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權許可費用，漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構成了嚴峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770 DRAM內存產品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對現有的1b nm工藝進行改進，并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而，三星電子現在對此表示否認，強調其并未有重新設計1b DRAM的計劃。 盡管三星電子否認了重新設計的傳聞，但不可否認的是，其12nm級DRAM產品確實面
2025-01-23 15:05:11921 工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計劃將部分3nm生產線轉換到更為先進的2nm工藝，以進一步提升其半導體制造技術的競爭力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領域的堅定布局和持續(xù)
2025-01-23 11:32:151081 據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結束開發(fā)工作、順利進入量產階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 (High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結束開發(fā)工作并進入量產階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107 近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀，三星決定在優(yōu)化現有1b nm工藝的基礎上，全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071408 SF4X制程即4HPC，是4nm系列節(jié)點演進新一步，主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級2.5D和標準2D芯粒封裝，總吞吐量突破100Tbps
2025-01-22 11:30:15962 ? 電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）根據相關媒體報道，臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務，理由是臺積電害怕通過最先進的工藝代工三星Exynos處理器可能會導致泄密，讓三星了解如何提升最先
2025-01-20 08:44:003449 
近日，有關三星考慮委托臺積電量產其Exynos芯片的消息引起了廣泛關注。據悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52887 RISC-V 專業(yè)網絡通信處理器
得益于矽昌NPU，可以達到企業(yè)級?關級別數據轉發(fā)處理能?。
512MB DDR3內存
1 x 2.5GbE ??和 5 x 千兆??
128 MB SPI NAND
2025-01-15 17:03:48
近日，韓媒The Elec發(fā)布了一篇博文，披露了三星在智能手機領域的一項新動向。據該報道，三星計劃在2025年第2季度正式量產其首款三折疊手機，這一創(chuàng)新產品預計將在市場上引發(fā)廣泛關注。 報道進一步
2025-01-15 15:42:501274 ? ? ? ? 該平臺是由16nm工藝的的Kintex UltraScale+系列主器件XCKU15P構建的一款加速卡平臺，支持 PCIE Gen3x16 模式，支持 2組 72-bit DDR4
2025-01-15 10:11:541110 
億元人民幣)的激勵資金。 該工廠預計將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產，主要生產2納米和3納米工藝的先進芯片。三星方面表示，他們計劃在2026年初引入所有必要的生產設備，并在年底前正式啟動量產，以期在這一關鍵領域與全球領先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41930 率和質量可媲美臺灣產區(qū)。 此外；臺積電還將在亞利桑那州二廠生產領先全球的2納米制程技術，預計生產時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產標志著臺積電在美國市場的進一步拓展，也預示著全球半導體產業(yè)格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453
1GB DDR3
8GB eMMC
-40℃~+85℃
開發(fā)板配置型號
產品型號主芯片內存存儲器工作溫度
MYD-YM90G -8E1D-100-I
DR1M90GEG484
1GB DDR3
8GB
2025-01-10 14:32:38
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