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SK海力士入股泰科天潤 SiC晶圓成各大廠必爭之地

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者: 梁浩斌 ? 2021-11-15 09:03 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日,有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤的D輪融資,成功入股泰科天潤。SK集團本身具備SiC晶圓廠,但這是SK海力士在中國第一次投資SiC相關項目。

泰科天潤是國內(nèi)較早入局SiC功率半導體的IDM企業(yè),在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸SiC晶圓產(chǎn)線。其中,位于湖南瀏陽的廠區(qū)在2019年開始建設,項目一期投資5億元,可實現(xiàn)年產(chǎn)6萬片6英寸SiC晶圓。而在今年7月,泰科天潤宣布6英寸產(chǎn)線已通線,目前規(guī)模線順利投產(chǎn)。

投資不斷,大廠抱團提升SiC產(chǎn)能

數(shù)據(jù)顯示,目前全球SiC晶圓年產(chǎn)能僅在40-60萬片,考慮到目前SiC晶圓的尺寸普遍還處于6英寸,甚至4英寸。所以單片晶圓能夠制造的芯片數(shù)量并不多,這也導致了供應缺口。

對于SiC需求量巨大的新能源汽車行業(yè)來說,以特斯拉Model 3為例,其中的主逆變器需要24個電源模塊,每個電源模塊需要2個SiC MOSFET裸片,即每輛汽車需要有48個SiC MOSFET裸片。

未來平均2輛Model 3就消耗一片6英寸SiC晶圓。按照電動汽車的增長趨勢,全球SiC晶圓產(chǎn)能將遠遠跟不上需求。

SK集團此前預測,到2025年,電動汽車用SiC半導體的使用率將從目前的30%上升到60%以上,SiC晶圓市場規(guī)模將從2021年的2.18億美元擴大到8.11億美元。

而據(jù)TrendForce預測,全球SiC功率市場規(guī)模至2025年將達33.9億美元,年復合成長率達38%。所以,SK集團此前也計劃到2025年,SiC晶圓產(chǎn)能從今年的3萬片增長至60萬片,并將自己的全球市占率從5%提升至26%。他們預計,2021年自家SiC晶圓業(yè)務的銷售額將達到300億韓元(約1.6億人民幣),并計劃到2025年將銷售額提高到5000億韓元(約27億人民幣)。

所以SK集團在近兩年一直在大力投資SiC晶圓。早在去年2月29日,SK集團宣布完成以4.5億美元的價格收購杜邦SiC晶圓事業(yè)部的交易;今年一月,SK集團向韓國SiC功率半導體企業(yè)Yes Power echnologies投資268億韓元;今年9月,SK集團的控股子公司表示,到2025年,將在尖端材料領域投資5.1萬韓元(約合276億人民幣),其中有7000億韓元(約合合37.9億人民幣)用于SiC晶圓;在11月12日,在SK集團向美國商務部提交的數(shù)據(jù)中顯示,SK集團決定未來五年在美國投資超6億美元建設晶圓廠。

除了SK之外,同樣在近日, 全球最大的汽車零部件供應商博世也發(fā)布公告,表示將聯(lián)合歐洲七個國家的34家公司、大學、機構等,其中包括從材料、基板到逆變器和轉換器的供應商,在歐洲打造一條從晶圓到電子設備的完整SiC供應鏈。該項目預算超過1.4億美元,這或許是歐洲建立本土半導體供應鏈的一次嘗試。

而其他大廠近幾年也一直在大力投資增加SiC晶圓、襯底產(chǎn)線,還有通過收購、入股等延伸SiC領域的版圖。

今年8月,安森美宣布以4.12億美元現(xiàn)金收購SiC生產(chǎn)商GT Advanced Technologies,并計劃其原有的產(chǎn)線,推進6英寸和8英寸SiC晶體生長技術量產(chǎn)。

今年5月,英飛凌與昭和電工簽訂了為期兩年的供應合同,內(nèi)容包括SiC外延片在內(nèi)的多種SiC材料,英飛凌還對年度最低購買量作出了承諾,這為未來雙方的繼續(xù)合作留下了伏筆。在與英飛凌簽訂合同之后,8月,昭和電工就宣布將投資58億日元用于增加SiC晶片和鋰離子電池組件的生產(chǎn),增產(chǎn)工程預計于2023年12月完工;9月,昭和電工又宣布與羅姆簽訂了功率半導體用SiC外延片的多年長期合作合同。

而全球最大的SiC供應商Wolfspeed在近期確認,其位于美國紐約州的全球最大SiC晶圓工廠有望將會在2022年初投產(chǎn),并聚焦于車規(guī)級產(chǎn)品,這也是SiC目前需求最大的細分市場。

有意思的是,剛剛產(chǎn)出首批8英寸SiC晶圓的ST,也在今年8月與Wolfspeed擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅晶圓供應協(xié)議。修訂后的協(xié)議要求Wolfspeed在未來幾年向 ST 提供8英寸SiC裸片和外延片,價值超過 8 億美元。

目前的市場狀況就是,Wolfspeed作為全球最大SiC襯底供應商,為英飛凌、ST等SiC器件廠商供應襯底的同時,又與他們在SiC器件市場上直接競爭。這或許是在SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段,大廠相互抱團,希望共同推動SiC器件加速進入市場。

新能源車擁抱SiC,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)加速追趕國際步伐

今年下半年,吉利、蔚來、小鵬都發(fā)布了自己在SiC器件應用方面的計劃。9月蔚來子公司蔚然動力公開了自研SiC功率模塊工藝實驗線的計劃,同時蔚來在明年年初交付的ET7車型也確定使用SiC模塊電控平臺;10月小鵬汽車表示將推出800V SiC平臺,大幅提高充電速度和電驅效率;同月吉利汽車也宣布自研自產(chǎn)的碳化硅功率芯片將于2023年量產(chǎn)。

國內(nèi)SiC產(chǎn)能在近年在高速擴張,除了SK海力士入股的泰科天潤外,今年9月在科創(chuàng)板IPO成功過會的山東天岳也是國內(nèi)比較領先的SiC襯底供應商。Yole統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示,2019年以及2020年,山東天岳在全球SiC襯底市場占有率中,僅次于Wolfspeed以及 II-VI排名第三。

不過,山東天岳目前的產(chǎn)品主要是4英寸,6英寸預計到2023年量產(chǎn),與國際大廠差距較大。

另外,國內(nèi)LED芯片巨頭三安光電投資160億元的國內(nèi)首條SiC垂直整合生產(chǎn)線在今年6月正式投產(chǎn),可月產(chǎn)3萬片6英寸SiC晶圓;晶盛機電在10月發(fā)布公告稱預計募資超過33億元投入到建設6英寸SiC襯底項目,計劃年產(chǎn)40萬片6英寸及以上尺寸的導電型和半絕緣型SiC襯底。

小結

隨著SiC功率半導體的應用在新能源汽車上逐漸推廣開,未來10年將會是SiC產(chǎn)業(yè)爆發(fā)增長的時期。但相比與硅基半導體,SiC不僅在技術上,在市場、應用方面都需要產(chǎn)業(yè)鏈的共同推進,在競爭中合作,大概會是未來SiC產(chǎn)業(yè)的主旋律。

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