chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶圓切割機(jī),在切割過(guò)程如何控制良品率?

博捷芯半導(dǎo)體 ? 2021-12-06 10:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

今天,我檢查了晶圓良率控制。晶圓的成本以及能否量產(chǎn)最終取決于良率。晶圓的良率非常重要。在開(kāi)發(fā)過(guò)程中,我們關(guān)注芯片的性能,但在量產(chǎn)階段必須要看良率,有時(shí)為了良率不得不降低性能。

61ab1d04c4349.jpg

那么晶圓切割的良率是多少呢?
晶圓是通過(guò)芯片的最佳測(cè)試。合格芯片數(shù)/總芯片數(shù) === 就是晶圓的良率。普通IC晶圓一般可以在晶圓級(jí)進(jìn)行測(cè)試和分發(fā)。
良率還需要細(xì)分為晶圓良率、裸片良率和封測(cè)良率,總良率就是這三種良率的總和。總費(fèi)率將決定晶圓廠是虧本還是賺錢(qián)。
例如,如果晶圓廠的一條生產(chǎn)線上的每道工序的良率高達(dá)99%,那么600道工序后的整體良率是多少?答案是 0.24%,幾乎是 0。
所以,代工企業(yè)都會(huì)把總良率作為最高機(jī)密,對(duì)外公布的數(shù)據(jù)往往并不是公司真實(shí)的總良率。
晶圓的最終良率主要由各工序良率的乘積構(gòu)成。從晶圓制造、中期測(cè)試、封裝到最終測(cè)試,每一步都會(huì)對(duì)良率產(chǎn)生影響。工藝復(fù)雜,工藝步驟(約300步)成為影響良率的主要因素??梢钥闯?,晶圓良率越高,在同一晶圓上可以生產(chǎn)出越多好的芯片。如果晶圓價(jià)格是固定的,好的芯片越多,意味著每片晶圓的產(chǎn)量。成本越高,每顆芯片的成本就越低,當(dāng)然利潤(rùn)也就越高。

61ab1d4f63bb4.png

晶圓良率受制程設(shè)備、原材料等因素影響較大,要獲得更高的晶圓良率,首先要穩(wěn)定制程設(shè)備,定期恢復(fù)制程能力。另外,環(huán)境因素對(duì)wafer、Die、封測(cè)良率這三個(gè)良率都有一定的影響。常見(jiàn)的環(huán)境因素包括灰塵、濕度、溫度和光線亮度。因此,芯片制造封裝測(cè)試的過(guò)程需要在超潔凈的工作環(huán)境中進(jìn)行。最后,還有技術(shù)成熟度的問(wèn)題。一般情況下,新工藝出來(lái)時(shí),良率會(huì)很低。隨著生產(chǎn)的推進(jìn)和導(dǎo)致良率低的因素被發(fā)現(xiàn)和改進(jìn),良率將不斷提高。如今,每隔幾個(gè)月甚至幾周就會(huì)推出新的工藝或工具,因此提高良率已成為半導(dǎo)體公司永無(wú)止境的過(guò)程。
如何控制晶圓良率
很多半導(dǎo)體公司都有專(zhuān)門(mén)從事良率提升的工程師,晶圓代工廠有良率工程師專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)良率提升(YE)部門(mén)負(fù)責(zé)提升晶圓良率,F(xiàn)abless的運(yùn)營(yíng)部門(mén)有產(chǎn)品工程師(PE)負(fù)責(zé)負(fù)責(zé)提高成品率。由于領(lǐng)域不同,這些工程師的側(cè)重點(diǎn)也會(huì)不同。晶圓廠的良率工程師非常精通制造過(guò)程。他們主要使用公司的良率管理系統(tǒng)(YMS)對(duì)一些與工藝相關(guān)的數(shù)據(jù)進(jìn)行良率分析。一般有以下幾種方法:
1)生產(chǎn)線在線缺陷掃描
2)過(guò)程監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù)(WAT)
3)生產(chǎn)線測(cè)量數(shù)據(jù)(Metrology)
4) 工具通用性
5)工藝規(guī)范
6)故障分析
對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)線對(duì)于晶圓制造來(lái)說(shuō),監(jiān)控每臺(tái)制造設(shè)備的穩(wěn)定性是非常重要的。如上圖所示,可以由記錄設(shè)備的關(guān)鍵工藝產(chǎn)生,并積累一條隨生產(chǎn)時(shí)間變化的波段曲線,形成工藝精度控制的參數(shù)點(diǎn)。
最后,晶圓經(jīng)過(guò)測(cè)試后,可以通過(guò)自動(dòng)分揀機(jī)剔除有缺陷的芯片,也可以對(duì)性能參差不齊的芯片進(jìn)行分揀,例如英特爾CPU晶圓,可以檢測(cè)出性能更好的芯片。 i7處理器芯片,幾乎做成了i5芯片,其實(shí)是媽媽生的,區(qū)別就是一個(gè)好看,一個(gè)丑。.
也有不同尺寸的晶圓。同一條生產(chǎn)線的良率會(huì)有所不同。小圓片的良率不一定要高于大圓片。這也與設(shè)備工藝的匹配程度有關(guān)。晶圓通常在邊緣區(qū)域具有最壞的裸片。因此,很多生產(chǎn)線都追求大尺寸晶圓,使得邊緣壞芯的比例相對(duì)較低。
但大尺寸晶圓面臨著應(yīng)力、成膜等諸多先天問(wèn)題。例如,前幾年半導(dǎo)體熱衷于10英寸和12英寸生產(chǎn)線,導(dǎo)致8英寸和6英寸生產(chǎn)線被放棄。甚至半導(dǎo)體設(shè)備制造商也沒(méi)有為小尺寸晶圓制造設(shè)備。近兩年,8英寸二手設(shè)備這塊緊缺,朋友公司閑置一年的6英寸晶圓廠現(xiàn)在已經(jīng)無(wú)法接單了。風(fēng)水轉(zhuǎn)了!可能是因?yàn)橹忻蕾Q(mào)易戰(zhàn)。許多公司正在尋找國(guó)產(chǎn)替代品,例如一些汽車(chē)芯片和通信芯片。

poYBAGGfOlaAbKU6AAUpQ-zDGJU089.png
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    聚焦博捷芯劃片機(jī):切割機(jī)選購(gòu)指南

    切割機(jī)(劃片機(jī))作為半導(dǎo)體封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的核心設(shè)備,其性能直接決定芯片良率、生產(chǎn)效率與綜合成本。國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代趨勢(shì)下,博捷芯劃片機(jī)憑借高精度、高性?xún)r(jià)比與本土化服務(wù)優(yōu)勢(shì),成為眾多企業(yè)的
    的頭像 發(fā)表于 01-08 19:47 ?212次閱讀
    聚焦博捷芯劃片機(jī):<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割機(jī)</b>選購(gòu)指南

    您的激光切割機(jī)正被連接器所“連累”么?那就快“開(kāi)盒”這款連接器吧!

    激光切割機(jī)&工業(yè)級(jí)連接器火花勁舞之間,是一場(chǎng)關(guān)于「穩(wěn)定連接」的極限考驗(yàn)。每一微米的切割精度,每一次穩(wěn)健高效運(yùn)轉(zhuǎn),都離不開(kāi)一個(gè)關(guān)鍵組件——工業(yè)級(jí)連接器。那么您的激光切割機(jī)是否還在被連接
    的頭像 發(fā)表于 10-16 18:10 ?324次閱讀
    您的激光<b class='flag-5'>切割機(jī)</b>正被連接器所“連累”么?那就快“開(kāi)盒”這款連接器吧!

    攻克存儲(chǔ)芯片制造瓶頸:高精度切割機(jī)助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升

    的崩邊、裂紋、應(yīng)力損傷成為制約良率和產(chǎn)能提升的核心瓶頸之一?,F(xiàn)代高精度切割機(jī)通過(guò)一系列技術(shù)創(chuàng)新,有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),成為推動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能躍升的關(guān)鍵力量。核心瓶頸:
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:38 ?1326次閱讀
    攻克存儲(chǔ)芯片制造瓶頸:高精度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割機(jī)</b>助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升

    基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與 TTV 均勻性控制

    摘要:本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì) TTV 均勻性的控制展開(kāi)研究。探討納米流體強(qiáng)化切割
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:12 ?531次閱讀
    基于納米流體強(qiáng)化的<b class='flag-5'>切割</b>液性能提升與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>

    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì) TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    TTV 均勻性提供理論依據(jù)與技術(shù)指導(dǎo)。 一、引言 切割工藝中,TTV 厚度均勻性是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:23 ?595次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

    摘要:本文針對(duì)超薄切割過(guò)程中 TTV 均勻性控制難題,研究
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:54 ?544次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)<b class='flag-5'>控制</b>

    基于多傳感器融合的切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償與 TTV 協(xié)同控制

    一、引言 制造領(lǐng)域,總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵指標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:46 ?615次閱讀
    基于多傳感器融合的<b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償與<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 協(xié)同<b class='flag-5'>控制</b>

    切割中深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對(duì) TTV 均勻性的影響及抑制

    一、引言 制造流程中,總厚度變化(TTV)均勻性是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:29 ?553次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>中深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對(duì) TTV 均勻性的影響及抑制

    切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì) TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 制造過(guò)程中,總厚度變化(TTV)是衡量
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:28 ?521次閱讀
    <b class='flag-5'>切割</b>深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    基于淺切多道的切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

    一、引言 半導(dǎo)體制造中,總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致
    的頭像 發(fā)表于 07-14 13:57 ?586次閱讀
    基于淺切多道的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b> TTV 均勻性<b class='flag-5'>控制</b>與應(yīng)力釋放技術(shù)

    淺切多道切割工藝對(duì) TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,總厚度變化(TTV)是衡量質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?592次閱讀
    淺切多道<b class='flag-5'>切割</b>工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    一、引言 切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過(guò)程中的振動(dòng)會(huì)影響表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:39 ?451次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

    超薄切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

    超薄因其厚度極薄,切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄
    的頭像 發(fā)表于 07-09 09:52 ?784次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>:振動(dòng)<b class='flag-5'>控制</b>與厚度均勻性保障

    基于多物理場(chǎng)耦合的切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

    一、引言 半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。
    的頭像 發(fā)表于 07-07 09:43 ?749次閱讀
    基于多物理場(chǎng)耦合的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>切割</b>振動(dòng)<b class='flag-5'>控制</b>與厚度均勻性提升

    用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    提供新的設(shè)備方案 。 關(guān)鍵詞:切割;TTV 控制;硅棒安裝機(jī)構(gòu);結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 一、引言
    的頭像 發(fā)表于 05-21 11:00 ?510次閱讀
    用于<b class='flag-5'>切割</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV <b class='flag-5'>控制</b>的硅棒安裝機(jī)構(gòu)