實現(xiàn)牽引AI技術(shù)革新的最高性能，將于明年上半年投入量產(chǎn)

有望繼HBM3后持續(xù)在用于AI的存儲器市場保持獨一無二的地位

“以業(yè)界最大規(guī)模的HBM量產(chǎn)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，擴(kuò)大供應(yīng)并加速業(yè)績反彈”

2023年8月21日，SK海力士宣布，公司成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E*，并開始向客戶提供樣品進(jìn)行性能驗證。

SK海力士強調(diào)：

公司以唯一量產(chǎn)HBM3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出全球最高性能的擴(kuò)展版HBM3E。并憑借業(yè)界最大規(guī)模的HBM供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度，將從明年上半年開始投入HBM3E量產(chǎn)，以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位。

據(jù)公司透露， HBM3E不僅滿足了用于AI的存儲器必備的速度規(guī)格，也在發(fā)熱控制和客戶使用便利性等所有方面都達(dá)到了全球最高水平。

此次產(chǎn)品在速度方面，最高每秒可以處理1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)。其相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5千兆字節(jié)，5GB）。

與此同時，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。

英偉達(dá)Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：

英偉達(dá)為了最先進(jìn)加速計算解決方案(Accelerated Computing Solutions)所應(yīng)用的HBM，與SK海力士進(jìn)行了長期的合作。為展示新一代AI計算，期待兩家公司在HBM3E領(lǐng)域的持續(xù)合作。

SK海力士DRAM商品企劃擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示：

公司通過HBM3E，在AI技術(shù)發(fā)展的同時備受矚目的HBM市場中有效提升了產(chǎn)品陣容的完成度，并進(jìn)一步夯實了市場主導(dǎo)權(quán)。今后隨著高附加值產(chǎn)品HBM的供應(yīng)比重持續(xù)加大，經(jīng)營業(yè)績反彈趨勢也將隨之加速。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本。

* MR-MUF：將半導(dǎo)體芯片堆疊后，為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料，并進(jìn)行固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

** 向后兼容性（Backward compatibility）：指在配置為與舊版產(chǎn)品可兼容的IT/計算系統(tǒng)內(nèi)，無需另行修改或變更即可直接使用新產(chǎn)品。例如，對CPU或GPU企業(yè)，如果半導(dǎo)體存儲器新產(chǎn)品具有向后兼容性，則無需進(jìn)行基于新產(chǎn)品的設(shè)計變更等，具有可直接使用現(xiàn)有CPU/GPU的優(yōu)點。