chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

aPRi_mantianIC ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-07 16:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。

SK海力士已投資15萬億韓元(約135億美元)在清州建設(shè)M15工廠,主要生產(chǎn)72層和96層3D NAND閃存。據(jù)外媒報(bào)道,隨著M15工廠的建成,SK海力士將加速大規(guī)模生產(chǎn)第五代96層3D NAND閃存。

報(bào)道稱,紀(jì)念工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。

據(jù)悉,為應(yīng)對3D NAND市場的巨大變化,SK海力士M15工廠的建成完工比原計(jì)劃提前了近6個(gè)月。半導(dǎo)體行業(yè)分析師表示,“三星電子7月份開始已批量生產(chǎn)96層3D NAND閃存,而東芝和美光計(jì)劃也將效仿。SK海力士的完工日期提前,部分原因是中國公司在3D NAND閃存市場的積極宣傳?!?/p>

DRAM不同,3D NAND閃存是非易失性存儲器半導(dǎo)體,即使在電源關(guān)閉時(shí)也不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。外媒稱,大規(guī)模生產(chǎn)96層3D NAND閃存不僅證明了SK海力士的先進(jìn)技術(shù),也將有助于擴(kuò)大SK海力士在3D NAND市場的份額。

除此之外,96層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)也可以使SK海力士的盈利結(jié)構(gòu)更加平衡。去年,SK海力士在在DRAM領(lǐng)域的營業(yè)利潤占其總營業(yè)利潤的90%,其中NAND部門的份額不到10%。相比之下,三星電子的DRAM營業(yè)利潤占63%,NAND業(yè)務(wù)占32%。

從目前來看,韓國、日本和美國的半導(dǎo)體存儲器公司在96層3D NAND閃存的競爭將進(jìn)一步加劇。其中,東芝于今年6月宣布,已完成與西部數(shù)據(jù)的96層3D NAND閃存技術(shù)研發(fā),東芝預(yù)計(jì)最遲將在今年年底或明年年底生產(chǎn)96層3D NAND閃存;此外,美光計(jì)劃通過與英特爾的技術(shù)合作,在今年完成96層3D NAND閃存技術(shù)研發(fā)。

值得一提的是,中國的長江存儲在3D NAND閃存方面也已經(jīng)取得了重要突破。紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京曾透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外,64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行,計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1764

    瀏覽量

    141283
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    1008

    瀏覽量

    41888

原文標(biāo)題:SK海力士計(jì)劃明年量產(chǎn)96層3D NAND閃存

文章出處:【微信號:mantianIC,微信公眾號:滿天芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    3D NAND中的Channel Hole工藝介紹

    Channel Hole(溝道通孔)是3D NAND閃存制造中的核心工藝步驟。它是指在垂直堆疊的多層?xùn)艠O或介質(zhì)中,刻蝕出貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的細(xì)長通孔。這些通孔從頂層延伸至底層,垂直于晶
    的頭像 發(fā)表于 04-14 11:43 ?185次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>中的Channel Hole工藝介紹

    SK海力士攜AI存儲器產(chǎn)品亮相NVIDIA GTC 2026

    韓國首爾,2026年3月17日——SK海力士(簡稱‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,將于3月16日至19日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)參加在美國加利福尼亞州圣何塞舉
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:54 ?670次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>攜AI存儲器產(chǎn)品亮相NVIDIA GTC 2026

    KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構(gòu)”,HBM和HBF技術(shù)加持!

    structure)”,同時(shí)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)。 ? 在SK海力士設(shè)計(jì)的仿真實(shí)驗(yàn)中,H3架構(gòu)將HBM和HBF顯存并置于GPU旁,由GPU負(fù)責(zé)計(jì)算。該公司將8個(gè)HBM3E和8個(gè)HBF置于英偉達(dá)
    的頭像 發(fā)表于 02-12 17:01 ?7709次閱讀
    KV緩存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H3存儲架構(gòu)”,HBM和HBF技術(shù)加持!

    SK海力士HBS存儲技術(shù),基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:11 ?3988次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存儲技術(shù),基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝

    SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”(Full
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:49 ?3821次閱讀

    SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機(jī)端AI運(yùn)行時(shí)間縮短47%!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK
    的頭像 發(fā)表于 09-19 09:00 ?4168次閱讀

    強(qiáng)強(qiáng)合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動(dòng)高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

    Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方將攜手制定高帶寬閃存
    的頭像 發(fā)表于 08-08 13:37 ?2362次閱讀

    SK海力士3214D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存
    的頭像 發(fā)表于 07-10 11:37 ?1914次閱讀

    SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力

    SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術(shù)的支撐,其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力,引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-03 12:29 ?2038次閱讀

    SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

    SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK
    的頭像 發(fā)表于 06-18 15:31 ?2269次閱讀

    SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

    SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會(huì)展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:36 ?1269次閱讀

    SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者

    近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商,這些
    的頭像 發(fā)表于 05-23 13:54 ?1906次閱讀

    SK海力士UFS 4.1來了,基于3211Tb TLC 4D NAND閃存

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高3211Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D
    的頭像 發(fā)表于 05-23 01:04 ?9035次閱讀

    SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動(dòng)HBM等核心產(chǎn)品的營收增長

    近日,SK海力士宣布,在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會(huì)館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上,公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:29 ?1282次閱讀

    英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推動(dòng);高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲,這帶動(dòng)了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財(cái)務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)顯示,在2025年第一季度
    的頭像 發(fā)表于 04-24 10:44 ?1711次閱讀