動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-01-19 18:01

  臺(tái)階儀在QLED的應(yīng)用：分子前體溶液法制備的金屬硫化物薄膜形貌與厚度表征

  

  量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）作為新一代顯示與照明技術(shù)，其性能高度依賴于電子傳輸層（ETL）與空穴注入層（HIL）的材料特性。傳統(tǒng)有機(jī)材料及某些過渡金屬氧化物（如ZnO、MoO?）由于電阻率高、空穴濃度低等限制，性能提升有限。金屬硫化物具有組成多樣、帶隙可調(diào)、導(dǎo)電性良好等優(yōu)勢，在光電器件中展現(xiàn)出巨大潛力。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表

  QLED 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-16 18:04

  光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對(duì)比研究

  

  在浸沒式光刻技術(shù)中，為提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質(zhì)（如去離子水或高折射率液體），卻引發(fā)了光刻膠與液體間復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用，成為制約工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題。光刻膠在接觸水后會(huì)發(fā)生吸水膨脹，導(dǎo)致厚度顯著增加（約7%）并伴隨折射率下降（約-0.4%），且吸水行為受膠體年齡與后處理工藝影響，在表面呈現(xiàn)非均勻分布。此外，液體還可能萃取光刻膠中的光酸產(chǎn)生劑等

  光刻膠 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2026-01-14 18:05

  臺(tái)階儀在平板顯示的應(yīng)用：銀導(dǎo)電薄膜的厚度與粗糙度檢測與優(yōu)化

  

  有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）因其優(yōu)異的光電性能受到廣泛關(guān)注，但其陰極材料制備仍依賴成本高、工藝復(fù)雜的真空蒸鍍技術(shù)。為此，本研究探索溶液法制備銀納米顆粒基致密導(dǎo)電薄膜，以應(yīng)用于OLED陰極及其他電子器件。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。系統(tǒng)

  檢測 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-12 18:03

  光譜橢偏儀在二維材料光學(xué)表征中的應(yīng)用綜述

  

  二維材料因其獨(dú)特的電子與光學(xué)性質(zhì)成為前沿研究熱點(diǎn)。準(zhǔn)確表征其光學(xué)響應(yīng)，尤其是復(fù)介電函數(shù)，對(duì)理解其物理機(jī)制與器件應(yīng)用至關(guān)重要。傳統(tǒng)光學(xué)方法受限于信號(hào)強(qiáng)度與靈敏度，而光譜橢偏儀通過探測偏振態(tài)變化，能夠?qū)崿F(xiàn)超薄材料的高精度光學(xué)常數(shù)提取，已成為該領(lǐng)域不可或缺的工具。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表

  二維材料 光學(xué) 光譜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 18:03

  臺(tái)階儀在納米薄膜工藝監(jiān)控：基于三臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)的高精度厚度與沉積速率測定

  

  納米尺度測量通常依賴具有納米特征的標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行儀器校準(zhǔn)。目前常見標(biāo)準(zhǔn)樣品多為單臺(tái)階結(jié)構(gòu)，由于儀器非線性，需使用不同高度值進(jìn)行多次校準(zhǔn)。多臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)樣品可減少探針重復(fù)定位，提升校準(zhǔn)效率。原子力顯微鏡與臺(tái)階儀是納米結(jié)構(gòu)測量的常用設(shè)備，后者具有更大掃描范圍且對(duì)樣品污染不敏感，但噪聲較大且易受環(huán)境振動(dòng)影響。光譜橢偏儀等方法可用于測量薄膜沉積速率，但其結(jié)果受材料特性與模

  光譜 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-07 18:03

  橢偏儀在MEMS的應(yīng)用：Er/Sc-AlN薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)精確表征

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，智能手機(jī)對(duì)射頻前端濾波器的需求急劇增加，聲表面波（SAW）濾波器因其高聲速、高機(jī)電耦合系數(shù)和低溫漂特性成為研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)LiTaO?等單晶材料存在成本高、聲速低、溫漂大等問題，而基于AlN的壓電薄膜SAW濾波器具有成本低、易于集成、性能可調(diào)等優(yōu)勢，逐漸成為主流選擇。然而，純AlN薄膜的壓電常數(shù)（d33）和機(jī)電耦合系數(shù)（kt）較低，

  mems 光學(xué) 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-05 18:05

  臺(tái)階儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化

  

  摩擦納米發(fā)電機(jī)作為一種環(huán)境機(jī)械能收集技術(shù)，在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段。目前，激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物材料中取得成效，但在金屬-半導(dǎo)體體系，尤其是半導(dǎo)體表面圖案化方面的研究仍較有限。GaN作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體，具備優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性與高電子遷移率，適用于摩擦電層。

  半導(dǎo)體 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-12-31 18:04

  橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

  

  Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效應(yīng)，尤其(11-22)取向在實(shí)現(xiàn)高銦摻入InGaN量子阱方面優(yōu)勢顯著。然而，半極性薄膜在異質(zhì)外延中面臨晶體質(zhì)量差、應(yīng)力各向異性等挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣

  GaN 半導(dǎo)體 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-29 18:03

  臺(tái)階儀在光電材料中的應(yīng)用：基于AZO薄膜厚度均勻性表征的AACVD工藝優(yōu)化

  

  鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導(dǎo)電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應(yīng)用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積（AACVD）技術(shù)制備AZO薄膜的研究多采用氮?dú)獾榷栊詺怏w作為載氣，而對(duì)具有氧化活性的氧氣作為載氣的系統(tǒng)性研究明顯缺乏，這限制了對(duì)沉積氣氛與薄膜性能間關(guān)聯(lián)機(jī)制的深入理解。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)

  光電材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-26 18:02

  橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

  

  隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本文基于光譜橢偏技術(shù)，結(jié)合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統(tǒng)研究了c面藍(lán)寶石襯底上

  半導(dǎo)體 薄膜

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