動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-17 18:03

  基于均勻樣品的薄膜厚度測量：橢偏儀vs.反射儀

  

  本研究利用高質量二氧化硅（SiO?）和氧化鋁（Al?O?）薄膜（硅襯底）對光譜橢偏儀和反射儀進行了系統(tǒng)比較。通過詳細的不確定度分析，發(fā)現(xiàn)兩種方法在10nm至2000nm的膜厚范圍內結果高度一致，偏差均在測量不確定度之內。橢偏儀在較薄薄膜上不確定度更低，而反射儀在較厚薄膜上更具優(yōu)勢。這項工作強調了嚴格的厚度表征和不確定度評估對薄膜計量學的重要性。Flexfil

  儀器 測量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-15 18:04

  磁控濺射工藝時間對金屬及氧化物靶材濺射速率的影響：基于臺階儀的薄膜厚度表征

  

  磁控濺射是物理氣相沉積（PVD）領域的主流技術之一，具有沉積溫度低、速率快、多靶共沉積靈活等優(yōu)勢，被廣泛應用于金屬、半導體及絕緣體薄膜的制備。實際工程中，由于不同材料濺射原子的角分布差異懸殊，晶振片監(jiān)測往往誤差較大，工程師們通常采用"以工藝時間換算薄膜厚度"的方法：在短時間內濺射沉積一定厚度的薄膜，經(jīng)臺階儀測量折算出沉積速率，再按比例推算目標厚度所需的濺射時

  儀器 半導體

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• 發(fā)布了文章 2026-04-13 18:04

  「納米光柵無損檢測」告別破壞性表征，光譜橢偏儀實現(xiàn)99.97%精度無損測量

  

  隨著半導體技術的持續(xù)演進，器件特征尺寸不斷縮減，而量產化的工藝需求卻日益提高，納米壓印技術因此應運而生。納米壓印（NIL）的基本原理是將模具上的圖形直接轉移至襯底，從而實現(xiàn)批量化復制。與傳統(tǒng)光刻工藝相比，納米壓印還具有工藝簡單、分辨率高、生產效率高、成本低等顯著優(yōu)勢，已成為半導體加工工藝中最重要的技術路線之一。在納米壓印工藝過程中，模板和器件的關鍵尺寸（CD

  儀器 光譜 測量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 18:04

  磁控濺射SiO?薄膜工藝優(yōu)化：臺階儀在膜厚與粗糙度表征中的應用

  

  氧化硅（SiO?）薄膜作為典型的功能薄膜材料，具有優(yōu)良的光學、電學及機械性能，在液晶顯示、太陽能電池、建筑玻璃及汽車玻璃等領域得到廣泛應用。其低折射率和高透光特性，使其在光學減反射膜和表面保護層中具有重要作用。在太陽能電池中，氧化硅薄膜不僅可作為隔離層抑制載流子復合，還可作為抗反射層提升光吸收效率，從而改善器件整體性能與穩(wěn)定性。隨著高性能薄膜需求的不斷提升，

  儀器 材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-08 18:05

  橢偏儀薄膜測試解決方案：半導體、聚合物與生物傳感的高精度表征

  

  近年來，隨著材料科學的快速發(fā)展，薄膜制備技術及表界面研究逐漸成為研究熱點。納米加工技術的不斷成熟，使得器件性能要求持續(xù)提高，相應地，各類微納表征技術也得到了快速發(fā)展。SEM、AFM及TEM等方法雖具備高空間分辨率與良好的可視化能力，但普遍存在對樣品造成不可逆損傷的問題，且難以實現(xiàn)原位檢測。相比之下，橢圓偏振光譜（SpectroscopicEllipsomet

  半導體 測試 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-03 18:01

  臺階儀在薄膜晶體管的應用 | 精準表征有源層厚度均勻性

  

  在薄膜晶體管（TFT）的研發(fā)與性能優(yōu)化中，有源層（即半導體溝道層）的厚度是決定器件電學特性（如閾值電壓、開關比、遷移率）的核心參數(shù)之一。本文聚焦于互補型薄膜晶體管（CTFT）的工藝優(yōu)化，系統(tǒng)探究了P型SnO、Te及N型SnO?薄膜的厚度對最終器件性能的影響。為確保實驗結論的可靠性，精確控制并驗證薄膜的實際沉積厚度成為前提條件。本研究采用Flexfilm費曼儀

  儀器 晶體管 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 18:05

  光譜橢偏法對大面積室溫直流濺射AZO薄膜均勻性的表征研究

  

  鋁摻雜氧化鋅（Al:ZnO，AZO）兼具高透明度與高導電性，且組成元素儲量豐富、無毒，適用于多種大面積光電器件。光譜橢偏法通過引入振蕩子模型，可以同時提取薄膜的多個光學和電學參數(shù)，是評估大面積沉積質量的有效手段。本研究用該方法對沉積在15cm×15cm玻璃襯底上的AZO薄膜進行多點測量，獲取方塊電阻和可見光透過率的空間分布。對照測量（分光光度法和四探針法）顯

  光譜 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-30 18:02

  臺階儀在Mo?C薄膜測量中的應用 | 粗糙化比率>1的薄膜材料

  

  在薄膜科學與技術領域，表面粗糙度是評價薄膜質量、理解生長機制的重要指標。Flexfilm費曼儀器探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質量把控和生產效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本文基于臺階儀對Mo?C薄膜表面粗糙度的測量結果，結合晶粒邊界修正，系統(tǒng)分析了其快速粗糙化現(xiàn)象，并對常規(guī)粗糙化理論難以解釋的

  測量 薄膜 薄膜材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-27 18:02

  基于橢偏儀的大尺寸MPALD氧化鋁薄膜厚度均勻性與n、k值表征

  

  隨著半導體制造工藝不斷向更小線寬和更高精度演進，原子層沉積技術因其原子級厚度可控性及優(yōu)異的均勻性、保形性，在集成電路制造領域獲得廣泛應用。然而，傳統(tǒng)熱驅動原子層沉積工藝受限于配體交換反應的溫度要求，難以滿足熱敏感基底的低溫沉積需求。為此，等離子體增強原子層沉積技術通過引入高活性自由基替代熱反應，有效拓寬了材料范圍并降低了沉積溫度。在各類等離子體源中，微波等離

  儀器 半導體制造 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-23 18:03

  AlN薄膜表征難點解析：橢偏儀從光學常數(shù)到附著性能的系統(tǒng)表征

  

  氮化鋁（AlN）作為Al-N二元體系中唯一的穩(wěn)定相，具有六方纖鋅礦結構，是一種寬帶隙半導體材料，禁帶寬度達6.2eV。其具備高電阻率、低熱膨脹系數(shù)、高硬度、良好的化學穩(wěn)定性以及優(yōu)異的熱導率（3.2W/cm·K），在可見光至紅外波段也表現(xiàn)出較高的光學透過率。這些特性使AlN薄膜在微電子器件、光電器件以及防護涂層等領域具有廣泛的應用前景。Flexfilm費曼儀器

  光學 測試儀 薄膜

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