動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-12-24 18:04
晶圓多層膜的階高標(biāo)準(zhǔn)：實(shí)現(xiàn)20–500nm無金屬、亞納米級(jí)臺(tái)階精度
在集成電路檢測(cè)中，高光學(xué)對(duì)比度的晶圓級(jí)階高標(biāo)準(zhǔn)對(duì)提升自動(dòng)圖像識(shí)別的精度至關(guān)重要。傳統(tǒng)基于單層Si-SiO?薄膜的階高標(biāo)準(zhǔn)在低臺(tái)階高度下對(duì)比度不足，通常需借助金屬鍍層增強(qiáng)信號(hào)，但這會(huì)引入污染風(fēng)險(xiǎn)。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究提出 -
發(fā)布了文章 2025-12-22 18:04
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發(fā)布了文章 2025-12-19 18:04
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發(fā)布了文章 2025-12-17 18:02
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發(fā)布了文章 2025-12-15 18:03
臺(tái)階儀在刻蝕工藝RIE中的應(yīng)用：關(guān)鍵參數(shù)精確調(diào)控與表面粗糙度控制
InP-on-Si（IMOS）作為一種新興的光子集成平臺(tái)，因其能夠?qū)⒏咝阅苡性磁c無源光子器件異質(zhì)集成在硅基電路之上而備受關(guān)注。然而，隨著波導(dǎo)尺寸的急劇縮小，光場(chǎng)與波導(dǎo)表面的相互作用顯著增強(qiáng)，導(dǎo)致刻蝕工藝引入的側(cè)壁與底面粗糙度成為制約傳播損耗的主要因素。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏振串?dāng)_，要求刻蝕剖面具有近乎垂直的側(cè)壁形貌。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-12 18:03
橢偏儀在薄膜光學(xué)表征中的應(yīng)用：實(shí)現(xiàn)25.5%EQE的穩(wěn)定電致發(fā)光二極管
膠體量子阱（CQWs）因其發(fā)光波長(zhǎng)可調(diào)、譜線窄、光致發(fā)光量子產(chǎn)率高及穩(wěn)定性優(yōu)異，被視為新一代發(fā)光材料。其準(zhǔn)二維結(jié)構(gòu)產(chǎn)生強(qiáng)烈的垂直量子限域效應(yīng)，同時(shí)保持面內(nèi)激子離域特性，從而形成取向化的躍遷偶極矩，顯著增強(qiáng)了光輸出耦合能力，理論上外量子效率可接近40%。然而，要實(shí)現(xiàn)具有主導(dǎo)水平偶極取向的CQW薄膜的大面積可控制備，目前仍是巨大挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀 -
發(fā)布了文章 2025-12-10 18:04
MEMS制造中的臺(tái)階測(cè)量：原理、技術(shù)及其在工藝監(jiān)控中的關(guān)鍵作用
隨著微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件向微型化、高深寬比發(fā)展，其內(nèi)部微細(xì)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的精確測(cè)量成為保障器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而，現(xiàn)有測(cè)量手段面臨兩難選擇：非接觸式方法（如光學(xué)干涉、原子力顯微鏡）往往設(shè)備昂貴、操作復(fù)雜或?qū)悠酚刑囟ㄏ拗疲欢鴤鹘y(tǒng)接觸式臺(tái)階儀雖簡(jiǎn)單可靠，但其探針測(cè)量力較大，易劃傷MEMS中常見的軟質(zhì)材料（如硅片），F(xiàn)lexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀 -
發(fā)布了文章 2025-12-08 18:01
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發(fā)布了文章 2025-12-05 18:04
臺(tái)階儀的原理及常見問題解答
表面特征是材料、化學(xué)等領(lǐng)域的重要研究?jī)?nèi)容。準(zhǔn)確評(píng)價(jià)表面形貌與特征，對(duì)材料性能分析、工藝改進(jìn)具有重要意義。臺(tái)階高度測(cè)量在表面研究中作用突出：一方面可用于分析微觀形貌，另一方面在半導(dǎo)體制造等工業(yè)中涉及大量臺(tái)階檢測(cè)需求。臺(tái)階高度是薄膜工藝中的關(guān)鍵參數(shù)，其精確、快速測(cè)定與控制是保障材料質(zhì)量、提升生產(chǎn)效率的重要手段。因此，表面線條寬度、間距、臺(tái)階高度、粗糙度的測(cè)量，以398瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-12-03 18:05
光譜橢偏術(shù)在等離子體光柵傳感中的應(yīng)用：參數(shù)優(yōu)化與亞皮米級(jí)測(cè)量精度
基于衍射的光學(xué)計(jì)量方法（如散射測(cè)量術(shù)）因精度高、速度快，已成為周期性納米結(jié)構(gòu)表征的關(guān)鍵技術(shù)。在微電子與生物傳感等前沿領(lǐng)域，對(duì)高性能等離子體納米結(jié)構(gòu)（如金屬光柵）的精確測(cè)量提出了迫切需求，然而現(xiàn)有傳統(tǒng)光學(xué)模型（如有效介質(zhì)近似）往往難以準(zhǔn)確描述其復(fù)雜的光學(xué)響應(yīng)，這限制了相關(guān)器件在尺寸計(jì)量與高靈敏度傳感中的應(yīng)用。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與
