動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-11-07 18:02
穆勒矩陣橢偏儀：DVRMME技術(shù)的系統(tǒng)誤差建模與校準(zhǔn)補(bǔ)償
雙渦旋延遲器穆勒矩陣橢偏儀（DVRMME）是一種先進(jìn)的單次快照式全偏振測(cè)量技術(shù)。然而，其測(cè)量精度極易受到光學(xué)元件裝配偏差和器件缺陷引入的系統(tǒng)誤差影響。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本研究構(gòu)建了一個(gè)包含六個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)誤差參數(shù)（涉及起偏器、檢偏器及兩個(gè)渦旋延遲器的方位角與延遲量偏3.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-05 18:02
臺(tái)階儀表面輪廓測(cè)量國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：ISO21920與ISO4287的差異解析
Flexfilm探針式臺(tái)階儀作為表面形貌測(cè)量的精密儀器，能夠依據(jù)最新的ISO21920系列標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量。該設(shè)備通過(guò)高精度探針掃描技術(shù)，可精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與薄膜厚度，為材料質(zhì)量控制和生產(chǎn)工藝優(yōu)化提供可靠的數(shù)據(jù)支撐。本文將系統(tǒng)闡述ISO21920-2:2021與舊版ISO4287:1996在表面輪廓分析標(biāo)準(zhǔn)方面的主 -
發(fā)布了文章 2025-11-03 18:04
面向半導(dǎo)體量測(cè)的多波長(zhǎng)橢偏技術(shù)：基于FDM-SE實(shí)現(xiàn)埃米級(jí)精度與同步測(cè)量
隨著半導(dǎo)體芯片制造精度進(jìn)入納米尺度，薄膜厚度的精確測(cè)量已成為保障器件性能與良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。光譜橢偏儀雖能實(shí)現(xiàn)埃米級(jí)精度的非接觸測(cè)量，但傳統(tǒng)設(shè)備依賴寬帶光源與光譜分光系統(tǒng)，存在測(cè)量效率低、系統(tǒng)復(fù)雜且易受環(huán)境干擾等問(wèn)題。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本研究提出了一種基于頻分復(fù)用 -
發(fā)布了文章 2025-10-31 18:12
臺(tái)階儀校準(zhǔn)：材料測(cè)具的輪廓保真度與探針幾何形態(tài)
在工業(yè)表面紋理測(cè)量領(lǐng)域，觸針式輪廓儀仍是最常用的測(cè)量工具。為確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性，需要定期使用ISO5436-1標(biāo)準(zhǔn)定義的材料測(cè)具進(jìn)行校準(zhǔn)。這些校準(zhǔn)過(guò)程涉及探針與材料測(cè)具之間的機(jī)械接觸，在重復(fù)測(cè)量中可能引起磨損，進(jìn)而影響校準(zhǔn)結(jié)果的可靠性。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì) -
發(fā)布了文章 2025-10-29 18:02
橢偏儀在DRAM制造量測(cè)中的應(yīng)用：實(shí)現(xiàn)20mm×20mm超寬視場(chǎng)下晶圓級(jí)精準(zhǔn)監(jiān)控及提升良率
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸持續(xù)縮小，局部結(jié)構(gòu)變化易影響電學(xué)性能甚至導(dǎo)致失效，對(duì)高空間密度、高吞吐量的先進(jìn)計(jì)量技術(shù)需求迫切。但現(xiàn)有技術(shù)存在局限：光譜類技術(shù)（SR/SE/MMSE）需逐點(diǎn)測(cè)量，難以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)快速計(jì)量；SEM分辨率高卻視場(chǎng)小，無(wú)法高效識(shí)別大范圍結(jié)構(gòu)變化；傳統(tǒng)成像類技術(shù)視場(chǎng)窄且穆勒矩陣組件利用不足。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射 -
發(fā)布了文章 2025-10-27 18:04
如何選擇臺(tái)階儀的觸針針尖？基于三維仿真與譜分析的選型標(biāo)準(zhǔn)研究
臺(tái)階儀因其測(cè)量的直接性和數(shù)據(jù)的可追溯性，在表面形貌精密測(cè)量中始終占據(jù)關(guān)鍵地位。然而，其觸針的球狀針尖在掃描表面時(shí)，無(wú)法完全復(fù)現(xiàn)真實(shí)的峰谷結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致所測(cè)輪廓與實(shí)際輪廓存在差異，此現(xiàn)象被稱為“輪廓畸變”或“機(jī)械濾波”。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供 -
發(fā)布了文章 2025-10-24 18:09
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發(fā)布了文章 2025-10-22 18:03
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發(fā)布了文章 2025-10-20 18:04
橢偏儀表征薄膜非晶相 | 精準(zhǔn)分析不同襯底溫度下氫化非晶氧化硅(i-a-SiO?:H)薄膜的光學(xué)性質(zhì)與結(jié)構(gòu)
本征氫化非晶氧化硅（i-a-SiO?:H）是a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的重要鈍化材料，兼具PECVD低溫沉積、帶隙寬等優(yōu)勢(shì)，但i-a-SiO?:H鈍化性能與制備工藝、儀器密切相關(guān)；目前室溫（25℃）下在n型直拉單晶硅（n-Cz-Si）表面沉積i-a-SiO?:H時(shí)，硅片少子壽命極低，鈍化效果差，且襯底溫度對(duì)其鈍化性能的影響尚不明確；Flexfilm843瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-17 18:03
臺(tái)階儀在表面計(jì)量學(xué)的應(yīng)用：基于表面紋理最大高度S±3σ的表征研究
表面形貌的平均高度與最大幅度直接影響零部件的使用功能。工業(yè)中常通過(guò)二維輪廓測(cè)量獲取相關(guān)參數(shù)，但輪廓最大高度存在較大波動(dòng)性。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究提出基于三維面掃描測(cè)量結(jié)果，通過(guò)將表面最大高度修正至材料比率0.13%-99
