淺談芯片驗(yàn)證方法的演進(jìn)過程
回溯 20 世紀(jì) 90 年代，當(dāng)時(shí)行業(yè)內(nèi)接觸的芯片主要包括 Z80、8031、8080/8086 等....
運(yùn)算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)
運(yùn)算放大器是模擬電路與混合信號(hào)電路的核心基礎(chǔ)模塊，其性能直接決定電子系統(tǒng)的信號(hào)處理精度與穩(wěn)定性。掌握....
晶圓接受測(cè)試的具體內(nèi)容與重要作用
在智能手機(jī)、電腦和自動(dòng)駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后，隱藏著一項(xiàng)至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測(cè)試....
芯片制造檢驗(yàn)工藝中的全數(shù)檢查
在IC芯片制造的檢驗(yàn)工藝中，全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查，而老化測(cè)試作為可靠性驗(yàn)證的核心手段....
金屬淀積工藝的核心類型與技術(shù)原理
在集成電路制造中，金屬淀積工藝是形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)（如互連線、柵電極、接觸塞）的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要包括蒸發(fā)、濺....
PN結(jié)的形成機(jī)制和偏置特性
PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體....
化學(xué)氣相淀積工藝的常見類型和技術(shù)原理
APCVD 的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)如圖所示，系統(tǒng)通過專用傳送裝置實(shí)現(xiàn)硅片的自動(dòng)化運(yùn)送，反應(yīng)氣體從反應(yīng)腔中部區(qū)域....
化學(xué)氣相淀積工藝的核心特性和系統(tǒng)分類
化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制....
詳解半導(dǎo)體制造中的回流技術(shù)
玻璃回流（reflow）技術(shù)是通過升溫加熱雜氧化硅，使其產(chǎn)生流動(dòng)特性的工藝，常見的回流處理對(duì)象包含硼....
半導(dǎo)體中的合金制備技術(shù)詳解
合金本質(zhì)是金屬與其他金屬或非金屬經(jīng)混合熔化、冷卻凝固后形成的具有金屬性質(zhì)的固體產(chǎn)物，而在集成電路工藝....
什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片
在半導(dǎo)體制造的精密工藝鏈條中，芯片切割作為晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)演進(jìn)與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良....
三維集成電路與晶圓級(jí)3D集成介紹
微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動(dòng)力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSO....
CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護(hù)
閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險(xiǎn)的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀....
淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)
在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢(shì)，正通過垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封....
功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方....
工商網(wǎng)監(jiān)