?(SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。 ? TOLL 封裝的尺寸僅為?9.90
2022-05-11 11:45:30
4086 
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術
2022-03-31 18:10:575864 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實驗波形和效率測量，以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
如題 LT3086并聯(lián)使用是主從關系，7-Lead Plastic DD Pak封裝沒有TRACK引腳 如何并聯(lián)使用是用鎮(zhèn)流電阻嗎說明文檔里沒有寫出，如使用鎮(zhèn)流電阻用多大阻值的 或者計算公式？請知道的大哥幫我一下。
2024-05-22 06:03:37
導通（D極）加上正電壓后，Pin3的電壓會和Pin7相等，為什么？
2，在MOSFET沒有導通前，Pin5/Pin6有電壓20mV和1.2mV，Pin7的電壓為1.7mV。為什么？
2024-09-03 06:16:48
，可改善散熱性能。圖5如圖5所示，選用帶7個管腳的D2Pak封裝，代替標準的D2Pak封裝，可避免出現(xiàn)熱集中點，從整體上降低器件的溫度。SuperSO8封裝具備更多的優(yōu)越性。 圖6圖6對采用帶7個管腳
2018-12-07 10:21:41
?！ 〕Ｒ姷闹辈迨?b class="flag-6" style="color: red">封裝如雙列直插式封裝(DIP)，晶體管外形封裝(TO)，插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)等?！ 〉湫偷谋砻尜N裝式如晶體管外形封裝(D-PAK)，小外形晶體管封裝(SOT)，小外形封裝(SOP
2018-11-14 14:51:03
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開發(fā)邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
電路如圖，VBATT為電池輸入端，VBAT為USB供電端，現(xiàn)在想實現(xiàn)USB供電時電池端斷開，無USB供電時電池供電，現(xiàn)在有個疑問，當USB供電時PMOS的D電壓比S電壓高，會對電池產生什么危害嗎
2019-06-06 10:31:13
如何設計在電池供電與外部供電方式之間的切換電路呢？，要求當電源適配器插入電路板時采用外部供電，拔出電源適配器時采用電池供電
2019-07-31 19:59:49
封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240 A。同樣的芯片采用傳統(tǒng)的D2PAK封裝，其通態(tài)電阻為1.8 mΩ，額定
2011-08-18 14:08:45
問題:我的應用沒有電池。是否可以采用無線供電？
2019-03-30 09:35:08
我的應用沒有電池。是否可以采用無線供電？
2019-07-30 06:00:33
被壓縮,即使是在需要許多種供電電壓和實際輸出功率不斷增加的情況。先進的封裝形式,例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程師在標準封裝中滿足這些需求。采用了NexFET技術的功率
2012-12-06 14:32:55
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
在L7812c2t d^2pak封裝上，經常能看到三行標識，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請問第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
品牌英飛凌封裝D2PAK7P批次21+數(shù)量20000制造商Infineon產品種類MOSFETRoHS是安裝風格SMD/SMT封裝 / 箱體TO-263-7通道數(shù)量1 Channel晶體管極性
2022-04-18 16:06:00
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
東芝光耦:7pin DIP8(LF2) 封裝(包裝)Specification of 7pin DIP8(LF2) package
2012-03-19 11:01:56867 
東芝光耦7pin DIP8(LF5)封裝(包裝)Specification of 7pin DIP8(LF5) package
2012-03-19 11:03:45896 
TOSHIBA光耦7pin DIP8(LF4)封裝Specification of 7pin DIP8(LF4) package
2012-03-19 11:06:451006 
東芝光耦7pin DIP8(LF1)封裝Specification of 7pin DIP8(LF1) package
2012-03-19 11:13:091161 
滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET
2012-08-29 14:52:061021 
采用 MOSFET 參考設計的自供電交流固態(tài)繼電器是單個繼電器的替代方法，可實現(xiàn)高效的電源管理，適用于在恒溫器應用中以低功耗方式替代標準機電式繼電器。此 SSR 參考設計通過 24V 交流電力線實現(xiàn)自供電，可省去恒溫器電池的其他功耗。MOSFET 可快速切換，從而在不影響負載的情況下實現(xiàn)自供電。
2014-08-27 16:41:47
0 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了高溫SCR（硅控整流器）晶閘管——同類首款結溫高達150°C，采用緊湊型表面安裝式D-PAK （TO-252）封裝
2017-10-26 10:04:539793 本文檔的主要內容詳細介紹的是芯片的TO263和D2PAK封裝尺寸原理圖免費下載。
2019-09-30 08:00:00189 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:333576 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。 TOLL?封裝的尺寸僅為 9.90
2022-05-12 23:48:441030 2022 年 9 月 23 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 ??(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7
2022-09-23 16:44:351200 
【導讀】近年來，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等
2022-12-08 17:05:384134 
功率MOSFET封裝向來尺寸較大，因為這提供了更好的散熱和性能，提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2PAK等傳統(tǒng)封裝已經使用多年，鑒于其成本和眾所周知的特性，一些供應商仍在采用這些封裝。
2023-02-10 09:40:381546 
D2PAK 中的 N 溝道 100 V、10 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN8R9-100BSE
2023-02-17 19:15:540 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、4.8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN4R8-100BSE
2023-02-22 18:50:030 I2PAK 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100ES
2023-02-22 18:50:150 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 7.6 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN7R6-100BSE
2023-02-22 18:50:250 I2PAK 中的 N 溝道 120 V、7.8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN7R8-120ES
2023-02-22 19:06:390 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、3.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BLE
2023-02-23 18:37:050 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-30BLE
2023-02-23 18:39:490 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMNR90-30BL
2023-02-23 18:41:091 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 13.9 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN013-100BS
2023-02-23 18:44:381 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 2.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30BL
2023-03-03 18:50:470 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 9.6 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN9R5-100BS
2023-03-03 18:52:320 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN7R6-60BS
2023-03-03 18:53:110 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN6R5-80BS
2023-03-03 18:53:440 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 5.6 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN5R6-100BS
2023-03-03 18:53:570 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、5.1 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN5R0-80BS
2023-03-03 18:54:090 D2PAK 中的 N 溝道 60 V、4.4 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、4.5 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN4R4-80BS
2023-03-03 18:55:000 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 4.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R3-30BL
2023-03-03 18:55:320 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 3.9 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN3R8-100BS
2023-03-03 18:55:570 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.3 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BL
2023-03-03 18:56:180 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3.5 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80BS
2023-03-03 18:56:360 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 3.2 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN3R0-60BS
2023-03-03 18:56:490 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.0 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30BL
2023-03-03 18:57:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.8 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30BL
2023-03-03 18:58:100 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.9 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30BL
2023-03-03 18:58:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN050-80BS
2023-03-03 18:59:500 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 34.5 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN034-100BS
2023-03-03 19:00:100 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 22.6 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN022-30BL
2023-03-03 19:00:400 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 17 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN017-80BS
2023-03-03 19:00:570 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 17 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN017-30BL
2023-03-03 19:01:390 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 14.8 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 11 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN012-80BS
2023-03-03 19:02:251 TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術，它解決了廣泛的應用，如適配器，電視、電機驅動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:251528 
Qorvo，全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現(xiàn)了業(yè)界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 市場對于30V解決方案需求的持續(xù)增長。這款經過精心設計的功率MOSFET，憑借高可靠性和易用性，專為滿足廣泛的大眾市場應用需求而生，提供了極大的設計靈活性。其適用場景涵蓋了工業(yè)開關模式電源（SMPS）、電機驅動器、電池供電設備、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源（UPS）等多個領域。
2024-09-30 16:15:581766 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 
新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統(tǒng)設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為
2024-11-29 01:03:07830 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《D2PAK-7L,SMD卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2025-02-12 16:11:310 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
汽車應用場景，例如電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉換器、暖通空調系統(tǒng)(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相
2025-05-09 19:42:5351616 納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301342 新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢和應用領域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優(yōu)勢 頂面散熱設計 熱管理優(yōu)化
2025-08-10 15:11:061220 
(onsemi) NVMFWS1D7N04XM MOSFET具有低電容和低R ~DS(on)~ ，可最大限度地降低驅動器和導通損耗。NVMFWS1D7N04XM采用5mmx6mm的小尺寸封裝，非常適用于電機驅動、電池保護和同步整流。
2025-11-24 09:41:22320 
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736
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