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IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

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2025-11-03 16:41:24510

選型手冊(cè):MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23497

選型手冊(cè):MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298

選型手冊(cè):MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228

選型手冊(cè):MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池
2025-10-31 17:33:14177

選型手冊(cè):MOT70R280D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:31:08179

選型手冊(cè):MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-31 17:28:48199

英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297

選型手冊(cè):MOT8N65MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:44:09275

選型手冊(cè):MOT5N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 15:37:22324

選型手冊(cè):MOT7N65AC 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:30:12327

選型手冊(cè):MOT4N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11280

選型手冊(cè):MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力,廣泛適用于適配器、充電器的功率開關(guān)電路等領(lǐng)域
2025-10-30 14:47:55283

選型手冊(cè):MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-29 16:43:51591

選型手冊(cè):MOT6525G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6525G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、30A大電流承載能力及緊湊貼片封裝,廣泛適用于便攜設(shè)備電源、筆記本功率管理、電池
2025-10-29 10:45:45151

選型手冊(cè):MOT65R380D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性,廣泛適用于功率因數(shù)校正(PFC)、開關(guān)模式電源(SMPS
2025-10-29 10:31:10190

選型手冊(cè):MOT1514G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、無線
2025-10-29 10:22:59202

選型手冊(cè):MOT4N70C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 17:48:45783

選型手冊(cè):MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-10-28 17:44:21762

選型手冊(cè):MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430

選型手冊(cè):MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適用于便攜式設(shè)備電源、筆記本功率管理、電池
2025-10-27 17:30:03198

選型手冊(cè):MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190

Nexperia推出功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中,80 V
2025-10-10 11:22:27700

Bourns推出全新Riedon PF2472系列功率電阻

Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝,具備堅(jiān)固耐用、高功率的厚膜電阻特性,能在搭配散熱器時(shí)提供高達(dá) 100 W 的輸出功率,并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11678

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327

請(qǐng)問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作?

請(qǐng)問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復(fù)出廠設(shè)置分別是如何操作的?
2025-08-06 08:02:08

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192439

揚(yáng)杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列

面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
2025-07-03 18:03:351094

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用

? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合,在25°C時(shí)R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604

揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500

初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)
2025-06-03 15:39:43

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)?

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)?
2025-05-28 06:51:33

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

日前,集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945

MOSFET與IGBT的區(qū)別

飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外,新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng),新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957

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