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隨著GaN技術(shù)的成熟,GaN市場發(fā)展將迎來黃金期

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2025-07-22 07:46:004783

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個(gè)GaN FET,由
2025-07-11 14:40:22677

GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371

瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨(dú)特D-MODE賦能高功率場景

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長機(jī)遇。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢
2025-07-09 00:18:006975

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計(jì)??删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44656

SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

SGK5872-20A 類別:GaN 產(chǎn)品 &gt; 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼:I2C 功能:C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率:P5dB
2025-06-16 16:18:36

增強(qiáng)AlN/GaN HEMT

一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱,他們已經(jīng)打開了一扇大門,有望制備出
2025-06-12 15:44:37800

如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化鎵技術(shù)

的關(guān)鍵角色。憑借在效率與功率密度方面的顯著優(yōu)勢,GaN開關(guān)在電壓轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、D類音頻放大器等多種應(yīng)用場景中展現(xiàn)出強(qiáng)大吸引力。隨著LT8418等優(yōu)化驅(qū)動(dòng)模塊相繼問世,控制這項(xiàng)新的電路技術(shù)已變得既簡單又可靠。因此,GaN開關(guān)為電力電子技術(shù)發(fā)展帶來了巨大潛力。
2025-06-11 10:07:24

新成果:GaN基VCSEL動(dòng)態(tài)物理模型開發(fā)

作為高速數(shù)據(jù)傳輸與光電信號處理的核心器件,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在高速光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其動(dòng)態(tài)特性直接關(guān)聯(lián)器件調(diào)制速率及穩(wěn)定性等關(guān)鍵參數(shù)。近期,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)
2025-06-05 15:58:20440

GaN LLC電源EMC優(yōu)化技巧

目錄 1,整機(jī)線路架構(gòu) 2,初次極安規(guī)Y電容接法 3,PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項(xiàng) 4,LLC環(huán)路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 5,GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)走線參考 6,變壓器輸出整流注意事項(xiàng) 一,整體線路圖 獲取完整文檔資料可下載附件哦?。。?!如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評論支持一下哦~
2025-05-28 16:15:01

使用基于GaN的OBC應(yīng)對電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)

本期,為大家?guī)淼氖恰妒褂没?GaN 的 OBC 應(yīng)對電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》,深入回顧 CISPR 32 對 OBC 的 EMI 要求,同時(shí)詳細(xì)探討可靠數(shù)據(jù)測量的最佳做法、GaN 對 EMI 頻譜的影響,以及解決傳導(dǎo)發(fā)射問題的有效方案。
2025-05-24 15:46:004360

京東方華燦消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性認(rèn)證

GaN功率器件場景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口,京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點(diǎn),正式開啟“消費(fèi)級普及、工業(yè)級深化、車規(guī)級突破”的三級躍遷戰(zhàn)略。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū),我們以標(biāo)準(zhǔn)化能力為根基,以IDM全鏈創(chuàng)新為引擎,為全球客戶提供覆蓋全場景的“中國芯”解決方案。
2025-05-23 14:10:17736

交流充電樁負(fù)載能效提升技術(shù)

0.5W以下。 交流充電樁的能效提升需融合材料科學(xué)、電力電子與信息技術(shù),通過器件革新、拓?fù)鋬?yōu)化、智能控制及系統(tǒng)集成實(shí)現(xiàn)全方位降耗。未來,隨著SiC/GaN成本下降與能源互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展,充電樁逐步從“能源消耗節(jié)點(diǎn)”轉(zhuǎn)型為“智慧能源樞紐”,推動(dòng)交通與能源系統(tǒng)協(xié)同低碳化。
2025-05-21 14:38:45

基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/div>
2025-05-19 09:29:571016

45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269

應(yīng)對各類技術(shù)挑戰(zhàn),為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案,今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269!快充電源芯片
2025-05-15 16:20:17587

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759

GaN快充芯片U8609的工作原理

GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365m?,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù),通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng),以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。
2025-04-22 17:03:121036

功率GaN的新趨勢:GaN BDS

電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān),即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開關(guān))。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品,顧名思義,雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348

分立器件在GaN充電器中的應(yīng)用

隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí),卻面臨一些棘手挑戰(zhàn): 在高頻狀態(tài)下,電磁干擾EMI頻繁發(fā)生,這導(dǎo)致設(shè)備兼容性下降;器件
2025-04-15 09:10:36974

手術(shù)機(jī)器人正迎來快速發(fā)展黃金時(shí)期

在醫(yī)療器械領(lǐng)域,手術(shù)機(jī)器人正迎來快速發(fā)展黃金時(shí)期。
2025-04-11 10:13:291729

工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

引言:工業(yè)電機(jī)行業(yè)作為現(xiàn)代制造業(yè)的核心動(dòng)力設(shè)備之一,具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的持續(xù)增長,工業(yè)電機(jī)行業(yè)迎來更多的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。以下是中研網(wǎng)通
2025-03-31 14:35:19

Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)
2025-03-19 17:16:291165

突破雷達(dá)性能極限:GaN 功率放大器解決方案助力遠(yuǎn)程探測

您是否在為遠(yuǎn)程雷達(dá)系統(tǒng)的信號衰減、熱管理和功率穩(wěn)定性難題而困擾?Analog Devices 最新推出的 S 波段 GaN 功率放大器技術(shù)白皮書 ,為您提供系統(tǒng)性解決方案,助您實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)探測距離與更高
2025-03-18 15:36:531178

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046941

氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784

GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2025-03-13 15:52:351146

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型,然后提供
2025-03-11 17:43:112141

CGD 官宣突破100kW以上技術(shù),推動(dòng)GaN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場

技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用,該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個(gè)模塊或集成功率管
2025-03-11 09:47:45733

SiC與GaN技術(shù)專利競爭:新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢,如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作,使其特別適用于電動(dòng)汽車(EV
2025-03-07 11:10:29953

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費(fèi)下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展,其性能逐漸接近極限,在進(jìn)一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903

氮化鎵(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334530

產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級

LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級,使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個(gè) 80V GaN FET 組成,由一個(gè)采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121051

使用集成GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應(yīng)用資料

隨著快速充電系統(tǒng)的趨勢和不斷增長的電力需求,迫切需要?jiǎng)?chuàng)建占地面積小、方便、便攜的設(shè)計(jì)。小型化、高功率密度的電源設(shè)計(jì)在消費(fèi)類AC/DC市場中占據(jù)了迫在眉睫的份額,重點(diǎn)是高效可靠的能量轉(zhuǎn)換。本應(yīng)用說明討論了如何考慮兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)(管理熱量和使用集成GaN技術(shù)提高開關(guān)頻率),以創(chuàng)建可靠、功率密集的設(shè)計(jì)。
2025-02-25 10:06:31726

技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987

技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011089

技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727

CERNEX窄帶高功率放大器(GaN

CERNEX窄帶高功率放大器(GaN) CERNEX推出的CNP GaN系列窄帶高功率放大器專為多種通用應(yīng)用場景而設(shè)計(jì),涵蓋實(shí)驗(yàn)室測試設(shè)備、儀器儀表及高功率輸出需求的其他領(lǐng)域。CNP GaN系列窄帶
2025-02-21 10:39:06

TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:571227

聞泰科技榮獲GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一殊榮不僅彰顯了聞泰科技在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力,更是對其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)深耕細(xì)作、不斷追求技術(shù)創(chuàng)新的肯定。 CCPAK封裝GaN FET是聞泰科技針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用精心研發(fā)的一款領(lǐng)先產(chǎn)品。該產(chǎn)品憑借其出色的性能、穩(wěn)定
2025-02-17 13:32:50736

目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域

作用。 *附件:中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢.pdf 背景 :隨著技術(shù)發(fā)展,電力需求攀升,設(shè)計(jì)人員面臨提升設(shè)計(jì)效率、在相同體積下提供更多電力的挑戰(zhàn)。GaN 因具有增加功率密度和提升效率兩大優(yōu)勢,在高電壓電源設(shè)計(jì)中得到應(yīng)用,新的中電壓(80V - 200V)GaN 解決方案也逐漸受到歡迎
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:220

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:192

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551177

聞泰科技深耕氮化鎵推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級

隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體——氮化鎵(GaN)正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年,憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,創(chuàng)造新的價(jià)值增量。
2025-02-10 17:15:041127

電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 14:03:073

變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:51:210

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:50:270

利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本

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2025-01-23 08:30:370

解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不斷提升,器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴(yán)重,成為制約其發(fā)展的主要瓶頸。 為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)
2025-01-16 11:41:411729

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

直接導(dǎo)致了消費(fèi)級GaN充電器價(jià)格偏高,目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進(jìn)來,相信技術(shù)會(huì)越來越成熟,成本下降只是時(shí)間問題。 在充電協(xié)議上,GaN 充電頭目前以PD協(xié)議
2025-01-15 16:41:14

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:281899

CERNEX寬帶高功率放大器(GaN

CERNEX寬帶高功率放大器(GaN)CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術(shù)應(yīng)用,如實(shí)驗(yàn)測試設(shè)備、儀表設(shè)備和其他需要高功率輸出的應(yīng)用。使用穩(wěn)固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22

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