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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>電容失效模式和失效機(jī)理分析

電容失效模式和失效機(jī)理分析

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在數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)及工業(yè)控制等應(yīng)用場(chǎng)景中,光模塊作為實(shí)現(xiàn)光信號(hào)傳輸與接收的關(guān)鍵器件,其運(yùn)行狀態(tài)直接影響系統(tǒng)鏈路的可靠性與傳輸性能。專業(yè)運(yùn)維實(shí)踐表明,需基于標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程、精確的測(cè)量工具以及對(duì)失效
2025-12-31 11:02:0557

拉力測(cè)試過關(guān),產(chǎn)品仍會(huì)失效?揭秘不可替代的半導(dǎo)體焊球-剪切測(cè)試

兩個(gè)相互獨(dú)立又相互影響的要素:引線自身強(qiáng)度和焊球-焊盤界面結(jié)合強(qiáng)度。界面結(jié)合不良可能導(dǎo)致的失效模式包括:溫度循環(huán)下的界面退化、電流過載時(shí)的局部過熱、機(jī)械振動(dòng)引起的界面剝離、潮濕環(huán)境下的腐蝕擴(kuò)散...這些
2025-12-31 09:09:40

PCB電路失效的元兇:如何精準(zhǔn)量化離子污染風(fēng)險(xiǎn)?

離子污染是導(dǎo)致PCB漏電、腐蝕等失效的關(guān)鍵“隱形殺手”,目前行業(yè)主流是通過ROSE、局部離子測(cè)試和離子色譜(IC)結(jié)合SIR/CAF試驗(yàn)來實(shí)現(xiàn)“從含量到可靠性”的量化評(píng)估體系。一、離子污染如何導(dǎo)致
2025-12-30 11:22:3975

SD卡讀寫均衡失效問題分析

一、讀寫均衡失效引發(fā)的核心問題 讀寫均衡(磨損均衡,Wear Leveling)是SD卡固件通過算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元,避免局部單元過度擦寫的關(guān)鍵機(jī)制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫均衡失效后,會(huì)
2025-12-29 15:08:0798

LED燈整流器的失效原因和檢測(cè)方法

今天結(jié)合電子整流器的核心原理,帶大家拆解整流器內(nèi)部器件,從結(jié)構(gòu)、失效原因到檢測(cè)方法逐一講透,文末還附上實(shí)操修復(fù)案例,新手也能看懂。
2025-12-28 15:24:43997

LED失效分析方法與應(yīng)用實(shí)踐

發(fā)光二極管(LED)作為現(xiàn)代照明和顯示技術(shù)的核心元件,其可靠性直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與壽命。與所有半導(dǎo)體器件相似,LED在早期使用階段可能出現(xiàn)失效現(xiàn)象,對(duì)這些失效案例進(jìn)行科學(xué)分析,不僅能夠定位
2025-12-24 11:59:35172

電解電容失效模式有哪些?

電解電容失效模式多樣,主要涵蓋漏液、爆裂、容量衰減、等效串聯(lián)電阻(ESR)增大、電壓擊穿及壽命終止等類型,以下為具體分析: 漏液 原因 :電解電容的密封結(jié)構(gòu)若存在缺陷,或長(zhǎng)期在高溫、高濕度環(huán)境下工
2025-12-23 16:17:49134

合科泰拆解電阻失效根源的技術(shù)實(shí)踐

在電子設(shè)備的精密生態(tài)中,從智能家電的電源模塊到工業(yè)控制的信號(hào)電路,從汽車電子的電池管理系統(tǒng)到醫(yī)療設(shè)備的傳感器,一顆電阻的微小失效,都可能引發(fā)整批產(chǎn)品返廠、品牌信任度受損等連鎖反應(yīng)。合科泰深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域數(shù)十年,以專業(yè)提煉五大最常見的電阻失效問題,結(jié)合技術(shù)積累與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),為您提供可落地的解決方案。
2025-12-13 14:47:511898

鋁電解電容常見的失效模式和儲(chǔ)存方法

電子領(lǐng)域,鋁電解電容是極為常見且關(guān)鍵的電子元件,被廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。
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2025-12-10 07:22:58

如何判斷MDDESD二極管的熱失效與修復(fù)

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體ESD二極管的熱失效通常與其長(zhǎng)時(shí)間在過電流和高溫環(huán)境中工作相關(guān)。在過電壓、過電流的脈沖作用下,二極管的溫度可能迅速升高,超過其最大工作溫度,從而導(dǎo)致熱失效。這不僅會(huì)導(dǎo)致二極管的性能
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聚焦離子束(FIB)技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用詳解

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2025-12-04 14:09:25368

焊材導(dǎo)致的功率器件焊接失效的“破局指南”

本文以焊材廠家工程師視角,科普焊材導(dǎo)致功率器件封裝焊接失效的核心問題,補(bǔ)充了晶閘管等此前未提及的器件類型。不同器件焊材適配邏輯差異顯著:小功率MOSFET用SAC305錫膏,中功率IGBT選
2025-12-04 10:03:572063

半導(dǎo)體“基礎(chǔ)FMEA和家族?FMEA”分析的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 在質(zhì)量管理和可靠性工程領(lǐng)域,F(xiàn)MEA(失效模式與影響分析)、DFMEA(設(shè)計(jì)失效模式與影響分析)和PFMEA(過程失效模式與影響分析)是三個(gè)
2025-12-03 08:35:54482

如何判斷二極管的熱失效情況

在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,二極管作為關(guān)鍵的辰達(dá)半導(dǎo)體元件,廣泛應(yīng)用于整流、保護(hù)、開關(guān)等各種電路中。然而,由于二極管的工作條件(如電流、溫度和功率)可能超過其額定值,容易導(dǎo)致熱失效。二極管的熱失效是指
2025-12-02 10:16:19351

ASP3605同步降壓芯片多場(chǎng)景失效機(jī)理與防護(hù)策略研究

于新能源汽車、工業(yè)控制及商業(yè)航天等高端領(lǐng)域。本文針對(duì)該芯片在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的三類典型失效案例,采用"外觀檢查-電性能測(cè)試-無損檢測(cè)-物理開封-材料分析"的階梯式失效分析流程,結(jié)合SEM、XRD及溫度場(chǎng)仿真等技術(shù)手段,系統(tǒng)揭示了過電應(yīng)力導(dǎo)致VDMOS鍵合絲熔斷、溫度梯度引發(fā)焊盤
2025-11-30 09:33:111389

水晶光電失效分析與材料研究實(shí)驗(yàn)室斬獲CMAS認(rèn)可證書

2025年11月,水晶光電失效分析與材料研究實(shí)驗(yàn)室憑硬核實(shí)力,順利通過中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)(CNAS)嚴(yán)苛審核,正式獲頒CNAS認(rèn)可證書。這標(biāo)志著實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)能力與服務(wù)質(zhì)量已接軌國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),彰顯了企業(yè)核心技術(shù)創(chuàng)新力與綜合競(jìng)爭(zhēng)力,為深耕國(guó)際市場(chǎng)筑牢品質(zhì)根基”。
2025-11-28 15:18:30591

CW32x030時(shí)鐘運(yùn)行的失效檢測(cè)

CW32x030 支持外部時(shí)鐘(HSE 和LSE)運(yùn)行中失效檢測(cè)功能。在外部時(shí)鐘穩(wěn)定運(yùn)行過程中,時(shí)鐘檢測(cè)邏輯持續(xù) 以一定的檢測(cè)周期對(duì)HSE 和LSE 時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù):在檢測(cè)周期內(nèi)檢測(cè)到設(shè)定個(gè)數(shù)
2025-11-27 06:37:44

合科泰SOT-23封裝MOS管AO3400的失效原因

工程師在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)或負(fù)載開關(guān)電路時(shí),最常遇到的突發(fā)故障可能是MOS管的突然失效。沒有明顯的前期征兆,卻讓整個(gè)電路停擺,甚至影響產(chǎn)品批量良率。近期,我們的FAE團(tuán)隊(duì)協(xié)助客戶解決了一起
2025-11-26 09:47:34615

半導(dǎo)體“金(Au)絲引線鍵合”失效機(jī)理分析、預(yù)防及改善的詳解;

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言:真知不問出處,所分享的內(nèi)容
2025-11-14 21:52:26858

晶背暴露的MOS管漏電怎么查?熱紅外顯微鏡Thermal EMMI 熱點(diǎn)分析案例

失效機(jī)理。 #芯片分析 #熱成像 #失效分析 #漏電測(cè)試 #紅外顯微鏡 #MOS管#iv曲線 致晟光電每一次定位、每一張熱像, 都在推動(dòng)失效分析往更精準(zhǔn)、更科學(xué)的方向邁進(jìn)
2025-10-31 16:08:331256

電子元器件典型失效模式機(jī)理全解析

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,元器件的可靠性直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。本文將深入探討各類電子元器件的典型失效模式及其背后的機(jī)理,為電子設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用提供參考。典型元件一:機(jī)電元件機(jī)電元件包括電連接器
2025-10-27 16:22:56374

電子元器件失效分析之金鋁鍵合

電子元器件封裝中的引線鍵合工藝,是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中,金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)勢(shì),成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知,卻是
2025-10-24 12:20:57444

半導(dǎo)體器件的靜電放電(ESD)失效機(jī)理與防護(hù)設(shè)計(jì)

靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用,靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性(1)人體通常需2~3KV靜電才能感知,而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21602

探秘鍵合點(diǎn)失效:推拉力測(cè)試機(jī)在半導(dǎo)體失效分析中的核心應(yīng)用

個(gè)微小的鍵合點(diǎn)失效,就可能導(dǎo)致整個(gè)模塊功能異常甚至徹底報(bào)廢。因此,對(duì)鍵合點(diǎn)進(jìn)行精準(zhǔn)的強(qiáng)度測(cè)試,是半導(dǎo)體封裝與失效分析領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。 本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)這一核心設(shè)備,深入淺出地
2025-10-21 17:52:43701

MSD失效的“爆米花”效應(yīng)

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2025-10-20 15:29:39415

常見的電子元器件失效分析匯總

電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常,甚至整機(jī)損毀,耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進(jìn)一步增加了問題定位的難度。電阻器失效1.開路失效:最常見故障。由過電流沖擊導(dǎo)致
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電解電容加速壽命試驗(yàn)的研究與應(yīng)用

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2025-10-14 12:09:44242

LED器件失效分析機(jī)理、案例與解決方案深度剖析

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2025-09-29 22:23:35461

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2025-09-22 10:52:43807

熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問題!

分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
2025-09-19 14:33:022288

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2025-09-16 16:14:52836

LED失效原因分析與改進(jìn)建議

失效機(jī)理梳理清楚,可在設(shè)計(jì)、工藝、選型環(huán)節(jié)提前封堵風(fēng)險(xiǎn),減少重復(fù)故障,保住品牌口碑。芯片級(jí)失效1.金屬化層開裂(1)故障表現(xiàn):LED仍可微亮,但正向電壓(Vf)突然
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,系統(tǒng)分析風(fēng)華貼片電感的典型失效模式,并提出針對(duì)性預(yù)防措施。 ?一、典型失效模式分析 1.? 磁路破損類失效 磁路破損是貼片電感的核心失效模式之一,具體表現(xiàn)為磁芯裂紋、磁導(dǎo)率偏差及結(jié)構(gòu)斷裂。此類失效通常源于以下原
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IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

,對(duì)散熱效果有顯著影響,進(jìn)而可能關(guān)聯(lián)到 IGBT 的短路失效機(jī)理。 IGBT 工作時(shí),電流通過芯片產(chǎn)生焦耳熱,若熱量不能及時(shí)散發(fā),將導(dǎo)致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適宜工作溫度,確保性能穩(wěn)定。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差時(shí),
2025-08-26 11:14:101195

IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

一、引言 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
2025-08-25 11:13:121348

電子元器件為什么會(huì)失效

電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下,喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段,不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行,還可能引發(fā)系統(tǒng)級(jí)故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣,可系統(tǒng)性地歸納
2025-08-21 14:09:32983

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況,但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:544039

淺談常見芯片失效原因

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,電氣過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素,約占現(xiàn)場(chǎng)失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞,還會(huì)引發(fā)長(zhǎng)期性能衰退和可靠性問題,對(duì)生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成嚴(yán)重威脅。
2025-08-21 09:23:051497

推拉力測(cè)試機(jī)在CBGA焊點(diǎn)強(qiáng)度失效分析中的標(biāo)準(zhǔn)化流程與實(shí)踐

有限元仿真技術(shù),建立了CBGA焊點(diǎn)失效分析的完整方法體系。通過系統(tǒng)的力學(xué)性能測(cè)試與多物理場(chǎng)耦合仿真,揭示了溫度循環(huán)載荷下CBGA焊點(diǎn)的失效演化規(guī)律,為高可靠性電子封裝設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化提供了理論依據(jù)和技術(shù)支持。 一、CBGA焊點(diǎn)失效原理 1、 失效機(jī)理 CBGA焊
2025-08-15 15:14:14576

如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析?

在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域,失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié),F(xiàn)IB(聚焦離子束)截面分析,作為失效分析的利器,在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品,巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2025-08-15 14:03:37866

怎么找出PCB光電元器件失效問題

限制,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效,引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問題并明確責(zé)任,失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效
2025-08-15 13:59:15630

電化學(xué)遷移(ECM):電子元件的“隱形殺手” ——失效機(jī)理、環(huán)境誘因與典型案例解析

前言在電子設(shè)備中,有一種失效現(xiàn)象常被稱為“慢性病”——電化學(xué)遷移(ECM)。它悄無聲息地腐蝕電路,最終導(dǎo)致短路、漏電甚至器件燒毀。尤其在高溫高濕環(huán)境下可能導(dǎo)致電路短路失效。本文將深入解析ECM的機(jī)制
2025-08-14 15:46:223340

降低失效成本,高精度CT檢測(cè)新能源汽車功率模塊

降低失效成本,高精度CT檢測(cè)新能源汽車功率模塊
2025-08-08 15:56:09608

機(jī)械設(shè)備中軸承磨損失效模式剖析與測(cè)量

的正常運(yùn)行和使用壽命有著重要影響。美能超景深顯微鏡可對(duì)軸承磨損的進(jìn)行亞微米級(jí)的測(cè)量與分析,為軸承磨損的研究提供了精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)支持。#軸承磨損失效的主要模式.01磨粒磨損
2025-08-05 17:52:39995

芯片失效步驟及其失效難題分析!

芯片失效分析的主要步驟芯片開封:去除IC封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152706

針對(duì)芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

,為了弄清楚各類異常所導(dǎo)致的失效根本原因,IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達(dá)幾千萬,因此進(jìn)行集成電路失效分析必須具備先進(jìn)、準(zhǔn)確的技術(shù)和設(shè)備,并由具有相關(guān)專業(yè)知識(shí)的半導(dǎo)體分析人員開展分析工作。
2025-07-10 11:14:34591

淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同,失效模式分析檢測(cè)方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52999

芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361505

LED失效的典型機(jī)理分析

一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中,芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降(Vf)增大的現(xiàn)象,在電測(cè)過程中,隨著正向電壓的增加,樣品仍能發(fā)光,這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561

電解電容失效因素解析與預(yù)防策略

電解電容作為電子電路中關(guān)鍵的儲(chǔ)能與濾波元件,其可靠性直接影響設(shè)備性能與壽命。然而,受材料、工藝、環(huán)境等因素影響,電解電容易發(fā)生多種失效模式。本文將系統(tǒng)梳理其失效因素,并提出針對(duì)性預(yù)防措施。 一、核心
2025-07-08 15:17:38783

帶單點(diǎn)失效保護(hù)的15W電源管理方案

芯片單點(diǎn)失效保護(hù)是一種關(guān)鍵的安全設(shè)計(jì)機(jī)制,旨在確保當(dāng)芯片的某一組件發(fā)生故障時(shí),系統(tǒng)不會(huì)完全崩潰或引發(fā)連鎖性失效,而是進(jìn)入預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)。今天推薦的15W電源管理方案,主控芯片就自帶單點(diǎn)失效保護(hù)功能。接下來,一起走進(jìn)U6218C+U7712電源方案組合!
2025-07-08 13:44:17766

LED芯片失效和封裝失效的原因分析

芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765

鋁電解電容失效原因解析:材料、工藝與環(huán)境的協(xié)同作用

比例更高達(dá)50%。本文從材料特性、制造工藝、應(yīng)用環(huán)境三個(gè)維度,揭示鋁電解電容失效的核心機(jī)理。 材料缺陷:電解液與鋁箔的先天短板 鋁電解電容的核心工作介質(zhì)是酸性電解液(pH 4-6),其化學(xué)不穩(wěn)定性是失效的重要誘因。電解液中的Cl?、
2025-07-03 16:09:13614

連接器會(huì)失效情況分析?

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機(jī)械、外觀和功能測(cè)試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新,保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654

MDD快恢復(fù)整流器失效模式詳解:過熱、浪涌與封裝問題一網(wǎng)打盡

失效、浪涌損傷及封裝老化等風(fēng)險(xiǎn)。本文將深入解析快恢復(fù)整流器的主要失效模式,并提供工程應(yīng)對(duì)策略。一、過熱失效:熱設(shè)計(jì)不可忽視的關(guān)鍵快恢復(fù)整流器的功率損耗主要來自導(dǎo)通
2025-06-27 10:00:43525

聚徽——電容失效模式全解:鼓包、漏液、擊穿的「誘因與預(yù)防」

電容作為電子電路中的核心元件,其可靠性直接影響系統(tǒng)性能。然而,鼓包、漏液、擊穿等失效模式卻成為制約電容壽命的「隱形殺手」。本文將從失效機(jī)理、誘因分析及預(yù)防策略三個(gè)維度,深度解析這些故障的根源與應(yīng)對(duì)
2025-06-19 10:21:153123

MDD肖特基整流橋失效模式解析:溫升、漏電與擊穿的工程應(yīng)對(duì)

失效的問題,如溫升過高、反向漏電流異常、器件擊穿等。本文將系統(tǒng)解析肖特基整流橋的三大典型失效模式及其背后的機(jī)理,并提出具體的設(shè)計(jì)與使用建議,助力提升電路的穩(wěn)定性與可
2025-06-19 09:49:49820

SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對(duì)真空度要求不高,使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測(cè)效率
2025-06-17 15:02:09

普通整流橋失效模式大解析:短路、過熱與浪涌沖擊應(yīng)對(duì)策略

實(shí)際工程角度出發(fā),解析普通整流橋的常見失效模式——短路、過熱與浪涌沖擊,并提供相應(yīng)的應(yīng)對(duì)策略,幫助工程師實(shí)現(xiàn)更可靠的整流電路設(shè)計(jì)。一、失效模式一:整流橋短路短路是整流橋
2025-06-13 09:48:131158

固態(tài)電池為何突然失效?中國(guó)團(tuán)隊(duì)破解短路迷因,助力電池量產(chǎn)加速

Society)上刊登了一份研究成果,利用原位透射電鏡技術(shù)首次在納米尺度揭示了無機(jī)固態(tài)電解質(zhì)中的軟短路向硬短路轉(zhuǎn)變機(jī)制及其背后的析鋰動(dòng)力學(xué)。 ? 簡(jiǎn)單來說,就是為固態(tài)電解質(zhì)的納米尺度失效機(jī)理提供了全新認(rèn)知,改變了以往對(duì)固態(tài)電池短路問題的理解,從根本上揭示了其失效
2025-06-11 00:11:007151

高溫環(huán)境性能驟降?聚徽分享安卓工控機(jī)散熱系統(tǒng)失效的5大根源與修復(fù)方案

在冶金、化工、機(jī)械制造等高溫工業(yè)場(chǎng)景中,安卓工控機(jī)常因散熱系統(tǒng)失效導(dǎo)致性能驟降、系統(tǒng)卡頓甚至硬件損壞。本文結(jié)合工業(yè)實(shí)踐案例與散熱技術(shù)原理,深入剖析散熱失效的5大根源,并提出針對(duì)性修復(fù)方案,助力企業(yè)
2025-06-10 10:36:33787

ATS失效請(qǐng)求報(bào)文問題的故障排除步驟

本篇文章提供了解決 ATS 失效請(qǐng)求報(bào)文問題的故障排除步驟,主要聚焦在 CQ 接口上未顯示主機(jī)發(fā)送的報(bào)文的情況。
2025-06-09 15:17:441304

新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險(xiǎn)與應(yīng)對(duì)指南——從焊點(diǎn)看整車可靠性

本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機(jī)械失效(熱循環(huán)與振動(dòng)導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞)、熱失效(高溫下焊點(diǎn)軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電阻增大)、環(huán)境失效(腐蝕與吸濕膨脹)。結(jié)合行業(yè)
2025-06-09 10:36:492097

淺談射頻同軸連接器的失效原因

同軸產(chǎn)品在使用中總會(huì)碰到問題,可能涉及到連接器也可能涉及到安裝的電纜,本期將圍繞總結(jié)3個(gè)大點(diǎn)8種同軸連接的失效原因,并對(duì)不同問題分別進(jìn)行解析。
2025-06-04 10:00:551607

MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析:開路、熱擊穿與漏電問題排查

電路的供電穩(wěn)定性甚至導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此,深入了解其典型失效模式,如開路、熱擊穿和漏電流異常,是每位工程師必須掌握的故障排查技能。一、開路失效:電路中的“隱形人”開路
2025-05-16 09:56:081095

離子研磨在芯片失效分析中的應(yīng)用

芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察,需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置,而后再采用光學(xué)顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進(jìn)行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910

如何找出國(guó)巨貼片電容引腳斷裂失效的原因?

國(guó)巨貼片電容作為電子電路中的關(guān)鍵元件,其引腳斷裂失效會(huì)直接影響電路性能。要找出此類失效原因,需從機(jī)械應(yīng)力、焊接工藝、材料特性及電路設(shè)計(jì)等多維度展開系統(tǒng)性分析。 一、機(jī)械應(yīng)力損傷的排查 在電路板組裝
2025-05-06 14:23:30641

元器件失效之推拉力測(cè)試

元器件失效之推拉力測(cè)試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過程中,組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能,還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效,給用戶帶來麻煩和經(jīng)濟(jì)損失,同時(shí)對(duì)制造商的聲譽(yù)和成本也會(huì)造成負(fù)面影響。為什么要做推拉
2025-04-29 17:26:44679

MDDTVS管失效模式大起底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析

在電子設(shè)計(jì)中,MDD-TVS管是保護(hù)電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的重要器件。然而,TVS管本身在惡劣環(huán)境或選型、應(yīng)用不當(dāng)時(shí),也可能出現(xiàn)失效問題。作為FAE,本文將系統(tǒng)梳理TVS管常見的三大失效模式——熱擊穿
2025-04-28 13:37:05954

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

模塊失效分析中的不當(dāng)行為,維護(hù)了行業(yè)信譽(yù)與國(guó)家尊嚴(yán),這一過程不僅涉及精密的技術(shù)驗(yàn)證,更體現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈從被動(dòng)依賴到主動(dòng)主導(dǎo)的轉(zhuǎn)變。以下從技術(shù)對(duì)抗、商業(yè)博弈、產(chǎn)業(yè)升級(jí)角度展開分析: 一、事件本質(zhì):中國(guó)電力電子行業(yè)功率器
2025-04-27 16:21:50564

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問題

分析方面面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是在化學(xué)開封、X-Ray和聲掃等測(cè)試環(huán)節(jié),國(guó)內(nèi)技術(shù)尚不成熟。基于此,廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析
2025-04-25 13:41:41747

MOSFET失效原因及對(duì)策

一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷三大類,具體表現(xiàn)如下:1. 外部應(yīng)力損傷(1)靜電放電(ESD)擊穿· 成因· MOSFET 柵源極(G-S)間
2025-04-23 14:49:27

失效模式與效應(yīng)分析

文件過大,需要完整版資料可下載附件查看哦!
2025-04-15 14:51:00

潛在失效模式及后果分析

文件過大,需要完整版資料可下載附件查看哦!
2025-04-15 14:48:33

MDD超快恢復(fù)二極管的典型失效模式分析:如何避免過熱與短路?

使用環(huán)境導(dǎo)致失效,常見的失效模式主要包括過熱失效和短路失效。1.過熱失效及其規(guī)避措施過熱失效通常是由于功率損耗過大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過高導(dǎo)致的。主要成因包括:正向
2025-04-11 09:52:17685

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理
2025-03-25 15:41:371791

HDI板激光盲孔底部開路失效原因分析

高密度互聯(lián)(HDI)板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝,但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼!SGS微電子實(shí)驗(yàn)室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn),總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例,旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271

PCB失效分析技術(shù):保障電子信息產(chǎn)品可靠性

問題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性,失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步,通過目測(cè)或借助簡(jiǎn)單儀器(如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡)對(duì)PC
2025-03-17 16:30:54935

柵極驅(qū)動(dòng)芯片LM5112失效問題

請(qǐng)大佬看一下我這個(gè)LM5112驅(qū)動(dòng)碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負(fù)載電壓60V,電路4A以下時(shí)開關(guān)沒有問題,電流升至5A時(shí)芯片失效,驅(qū)動(dòng)輸出電壓為0。 有點(diǎn)無法理解,如果電流過大為什么會(huì)影響驅(qū)動(dòng)芯片的性能呢? 請(qǐng)多指教,謝謝!
2025-03-17 09:33:06

整流橋炸機(jī)元兇追蹤:4類典型失效模式的解剖與防護(hù)設(shè)計(jì)|MDD

本文將深度剖析整流橋的4類典型失效模式,并提出相應(yīng)的防護(hù)設(shè)計(jì)方案,以幫助工程師提高整流電路的可靠性和安全性。1.過電流擊穿失效原因:過流可能是由于負(fù)載短路、突加負(fù)載
2025-03-14 10:25:101594

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411819

太誘電容失效分析:裂紋與短路問題

太誘電容失效分析,特別是針對(duì)裂紋與短路問題,需要從多個(gè)角度進(jìn)行深入探討。以下是對(duì)這兩個(gè)問題的詳細(xì)分析: 一、裂紋問題 裂紋成因 : 熱膨脹系數(shù)差異 :電容器的各個(gè)組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:021222

stm32h750vbt6設(shè)置了LSE后,裝載后RESET失效了怎么解決?

stm32h750vbt6設(shè)置了LSE后,裝載后RESET失效
2025-03-07 15:16:06

高密度封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時(shí)也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531289

DLPC3433部分DSI失效的原因?如何解決?

部分板子,在無法實(shí)現(xiàn)第4步,始終無法顯示系統(tǒng)輸出的DSI,接入后,仍然是馬賽克圖案。 我們可以確保我們輸出的DSI沒有問題,因?yàn)檎0遄邮强梢暂敵鐾暾腄SI視頻信息,同時(shí)我們是同一批生產(chǎn)的板子,目前出現(xiàn)不一致的情況。 請(qǐng)求幫助: 分析DLPC3433部分DSI失效的原因,以及改進(jìn)的措施
2025-02-21 07:24:24

芯片失效分析的方法和流程

、物理分析、材料表征等多種手段,逐步縮小問題范圍,最終定位失效根源。以下是典型分析流程及關(guān)鍵方法詳解: ? ? ? 前期信息收集與失效現(xiàn)象確認(rèn) 1.?失效背景調(diào)查 收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場(chǎng)景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、
2025-02-19 09:44:162908

雪崩失效和過壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生

在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式,它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的,但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施,為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271

PCB及PCBA失效分析的流程與方法

PCB失效分析:步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:011696

整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對(duì)失效原因的分析以及具體的檢測(cè)方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護(hù)措施不力 : 整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置,或保護(hù)裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589

LED失效分析重要手段——光熱分布檢測(cè)

光熱分布檢測(cè)意義在LED失效分析領(lǐng)域,光熱分布檢測(cè)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù),其性能和壽命受到多種因素的影響,其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738

如何有效地開展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開裂、環(huán)境應(yīng)力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996

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