摘要

晶圓薄化是實現(xiàn)集成電路小型化的主要工藝步驟，硅片背面磨至70微米的厚度被認(rèn)為是非常關(guān)鍵的，因為它很脆弱。本文將討論關(guān)鍵設(shè)備檢查項目的定義和設(shè)置險。 所涉及的設(shè)備是內(nèi)聯(lián)晶圓背面研磨和晶圓安裝。本研究采用定性方法，通過應(yīng)用過程映射來識別關(guān)鍵字過程步驟。 結(jié)果表明，建立了關(guān)鍵設(shè)備子流程 步驟如研磨，分層和膠帶。

介紹

電子封裝的發(fā)展同時也預(yù)測了對更薄架構(gòu)的需求集成電路封裝內(nèi)部如較薄的基材，模蓋，膠粘劑粘合介紹了線厚和模具厚度。

問題解決

為了實現(xiàn)晶圓或硅片的細(xì)化，需要使用超精密研磨機(jī)[1]進(jìn)行?，F(xiàn)在，有幾個問題和要求在擴(kuò)散過程中遇到開發(fā)到制造階段。

精算估值

材料晶圓減薄將集中在200毫米晶圓尺寸使用超細(xì)背部研磨機(jī)。設(shè)備將有一個完整的晶圓回磨，工藝:粗、精、CMP; 和連接到一個完整的晶圓貼片過程。

設(shè)備

圖1 晶圓制備過程

圖2 推薦紋理設(shè)置

表1 主軸研磨前后角度調(diào)整

　　審核編輯：湯梓紅