富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:37
1375 SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于去
2021-12-20 09:41:592462 
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1
2022-01-13 14:19:144610 
硫酸(H2SO4)和過(guò)氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見(jiàn)清潔和表面處理順序:
2022-07-11 17:26:0110122 
英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專(zhuān)為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:11:31830 
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
首先自我介紹下， 我是金鑒實(shí)驗(yàn)室邵工， 在這里給大家講解下近兩年很火熱的新型半導(dǎo)體激光器——VCSEL 激光器項(xiàng)目， 既然講到這里， 那肯定就會(huì)涉及到 VCSEL激光器研發(fā)這塊， 既然是研發(fā)新產(chǎn)品
2022-03-15 12:08:50
半導(dǎo)體制冷—— 2 1 世紀(jì)的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學(xué)光學(xué)與電子信息工程學(xué)院，上海 200093）摘要：基于節(jié)能和環(huán)保已是當(dāng)今一切科技發(fā)展進(jìn)步的基本要求，對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)原理以及應(yīng)用情況做了
2010-04-02 10:14:56
滲透、與UV紫外線殺菌等重重關(guān)卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導(dǎo)體工業(yè)之使用量極為驚人！ 8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機(jī)臺(tái)空壓所需要的，都得使用氮?dú)?(98
2011-08-28 11:55:49
）用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必須
2020-02-17 12:20:00
哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實(shí)驗(yàn)
2021-04-07 06:42:55
進(jìn)行了詳細(xì)研究，建立了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，并通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)對(duì)系統(tǒng)特性和實(shí)際應(yīng)用的難點(diǎn)進(jìn)行了分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2 測(cè)溫原理 當(dāng)一定波長(zhǎng)的光通過(guò)半導(dǎo)體材料時(shí)，主要引起的吸收是本征吸收，即電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶引起的吸收
2018-11-01 14:57:18
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
，傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器難以直接用于金屬切割。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體耦合技術(shù)的提高，以及新型合束技術(shù)的逐漸成熟，部分千瓦級(jí)以上的光纖輸出的半導(dǎo)體激光器，也可以滿足切割對(duì)光束質(zhì)量的要求。另外，由于半導(dǎo)體激光器波長(zhǎng)
2019-05-13 05:50:35
載波機(jī)中的石英晶體振蕩器小結(jié)思考題練習(xí)題半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)和電子測(cè)量?jī)x器簡(jiǎn)介半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體三極管的判別和直流參數(shù)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)二直流穩(wěn)壓電路的調(diào)整和測(cè)試實(shí)驗(yàn)三LC振蕩電路的調(diào)試和研究實(shí)驗(yàn)四阻容耦合放大
2008-07-11 13:05:29
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
多層薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的襯底,利用Al2O3高介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和BCB薄膜工藝制備厚度的靈活性實(shí)現(xiàn)了低傳輸損耗。本研究采用與CMOS相兼容的半導(dǎo)體制造工藝在三種不同襯底(Si、Si/BCB和Si/Al2O
2010-04-24 09:02:35
,新型,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),能源消耗,物質(zhì)資料,新能源,新挑戰(zhàn),礦物燃料【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-008【正文快照】：.新估計(jì)衰明.到2050年我們所搖要的能源可能會(huì)達(dá)到現(xiàn)有
2010-05-04 08:06:22
RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
梁德豐，錢(qián)省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過(guò)程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
我正在研究 STM32H743我使用 USB 設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序（引腳 PB14 和 PB15）：只有 AF12 是可能的我也使用 SD 卡驅(qū)動(dòng)程序 (PC8 ... PC12) ：只有 AF12 是可能
2022-12-06 09:00:02
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
了腐蝕層。本文討論了一種新開(kāi)發(fā)的由化學(xué)鍍鎳、鈀和金組成的多層涂層系統(tǒng)，作為一種改進(jìn)工藝。實(shí)驗(yàn)研究如下：用于引線鍵合研究的樣品制備（內(nèi)容略）焊點(diǎn)試件生產(chǎn)加工可靠性研究（內(nèi)容略）引線鍵合可靠性評(píng)估（內(nèi)容略
2021-07-09 10:29:30
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來(lái)，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
發(fā)射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問(wèn)題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
陽(yáng)極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測(cè)量結(jié)果。這項(xiàng)研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動(dòng)力學(xué)和機(jī)制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過(guò)程的附加信息。 實(shí)驗(yàn) 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
蝕刻之后完成。在去污之后，晶片被認(rèn)為是“干凈的”。去污包括：1.浸入 5:1:1 H2O:H2O2:HCl 中 20 分鐘（在 wbsilicide 中完成 - 水槽必須在之后凈化。）2.過(guò)程通過(guò)
2021-07-01 09:42:27
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^(guò)氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱(chēng)電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)
2019-02-26 17:04:37
我廠專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合用于
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用于
2019-07-31 07:43:42
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
將會(huì)展出。安森美半導(dǎo)體還將于2018年2月27日發(fā)表無(wú)電池智能無(wú)源感測(cè)方案的演講。觀迎出席以了解這種新型無(wú)線傳感器如何從電源和過(guò)程功能中發(fā)揮感測(cè)功能，開(kāi)拓各種新應(yīng)用。請(qǐng)蒞臨4A展廳＃260展位參觀。
2018-10-11 14:28:55
和邏輯轉(zhuǎn)換器：安森美半導(dǎo)體的I2C I/O擴(kuò)展芯片通過(guò)I2C總線或SMBus提供16位通用I/O功能。I/O口擴(kuò)展芯片可用于MCU/DSP通用I/O口的擴(kuò)展，通過(guò)I2C擴(kuò)展成8或16位GPIO。當(dāng)應(yīng)用中
2019-05-15 10:57:14
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日為時(shí)尚、零售和電子市場(chǎng)推出了其最新的UHF解決方案?；诮Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
，有如下反應(yīng)：42 （
2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來(lái)，這樣
半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而
半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、氧化物
半導(dǎo)體甲烷傳感器的
研究進(jìn)展 盡管甲烷是分子結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種碳?xì)?/div>
2018-10-24 14:21:10
`電動(dòng)車(chē)USB手機(jī)充電器芯片 電動(dòng)車(chē)充電器芯片 85V90V100V110V120V轉(zhuǎn)5V2A 惠海半導(dǎo)體H6201東莞惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC寬電壓8-150V輸入降壓恒壓芯片
2020-09-05 10:24:46
惠海半導(dǎo)體H6205 100V降壓芯片 100V降壓IC 電動(dòng)車(chē)/電瓶車(chē)/滑板車(chē)儀表儀器供電芯片方案 100V轉(zhuǎn)5V2A東莞惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC寬電壓8-150V輸入降壓恒壓芯片
2020-09-05 17:26:34
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：基于電場(chǎng)誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場(chǎng)誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場(chǎng)誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
態(tài)比電阻為5.7mQ·cm2的4H—SiCBJT 3.SiC MOSFET的研究MOSFET在目前的超大規(guī)模集成電路中占有極其重要的地位，而SiC作為唯一一種本征的氧化物是SiO，的化合物半導(dǎo)體
2017-06-16 10:37:22
”，“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級(jí)別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級(jí)別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評(píng)估投資該市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)。2016技術(shù)成熟度曲線（來(lái)源：Gartner 2016年7月）新型半導(dǎo)體材料主要是以砷
2017-02-22 14:59:09
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
The QS30H2O product line was developed to detect the presence of water and water-based liquids.
2008-07-29 14:05:44
23 研究了以H2O2為氧化劑氧化木薯淀粉，輔以脲醛樹(shù)脂、陶土制備快干型淀粉粘合劑的工藝過(guò)程。經(jīng)制備所得的淀粉粘合劑具有粘接力強(qiáng)、粘度穩(wěn)定、干燥速度快、滲透性和流動(dòng)性良好
2009-04-05 09:46:5511 為了研究納米HA的生物學(xué)效應(yīng)，本文采用Ca(H2PO4)2·H2O均勻沉淀反應(yīng)體系制備納米HA。XRD與TEM分析結(jié)果表明：干燥態(tài)HA粒子為低結(jié)晶度、(5~20nm)×60nm針狀；燒結(jié)態(tài)的粒子呈球狀、粒徑<
2009-04-26 22:19:5712 通過(guò)對(duì)陽(yáng)極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽(yáng)極氧化參數(shù)對(duì)多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 基于O2 和CO2 在Au 微電極上的穩(wěn)態(tài)電化學(xué)響應(yīng)特性和新型高分子固體聚合物電解質(zhì)研究,構(gòu)建了一類(lèi)全新的固態(tài)電化學(xué)傳感器, 實(shí)現(xiàn)了常溫下氣體O2 和CO2 的聯(lián)合檢測(cè), 不僅消除了常規(guī)
2009-06-23 09:09:5925 本文以In2O 3 及其混合物為敏感材料, 采用懸浮柵結(jié)構(gòu)和功函數(shù)方法, 研究出可在室溫下工作的HSGFET型功函數(shù)O 3 傳感器, 并給出傳感器對(duì)O 3 響應(yīng)曲線以及實(shí)驗(yàn)結(jié)果的理論分析等.關(guān)鍵
2009-07-10 09:39:5815 用共沉淀法制備了Mg2 + 摻雜的In2O3 納米粉,研究了鎂摻雜對(duì)In2O3 電導(dǎo)和氣敏性能的影響. 結(jié)果表明: MgO 和In2O3 間可形成有限固溶體In2 - xMgxO3 (0 ≤x ≤0. 40) ; MgIn×電離的空穴對(duì)材料導(dǎo)帶
2009-07-14 11:03:0417 新型鋅-空氣電池陰極催化劑的制備和研究
摘要：為了改善鋅-空氣電池空氣電極的電催化性能，提高電池的放電電流密度，采用改進(jìn)的無(wú)定形檸檬酸配合物前
2009-11-07 13:51:1216 設(shè)計(jì)安裝自動(dòng)平衡裝置作為物理仿真系統(tǒng)對(duì)水下機(jī)器人姿態(tài)控制進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，給出了實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。結(jié)合具體系統(tǒng)設(shè)計(jì)了H∞/H2 魯棒控制器，分析了調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能
2009-12-28 11:17:2817 納米CeO_2和Co_3O_4粉體的合成：用甲酸代替水作反應(yīng)介質(zhì),以六水合硝酸亞鈰為原料,采用非水溶劑水熱法制備納米CeO2 ;以六水合硝酸亞鈷為原料,碳酸銨為沉淀劑,采用均相沉淀法在不同
2010-01-04 12:20:4615 SnO2-Ag-SnO2 結(jié)構(gòu)元件室溫下對(duì)H2S的敏感特性研究
以SnCl4 和O2 為源物質(zhì),采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( PECVD) 和浸漬法摻Ag 技術(shù)制備了SnO2-Ag2SnO2 結(jié)構(gòu)薄膜,在20 ℃下
2010-02-26 17:04:319
半導(dǎo)體發(fā)光器件--led常識(shí)2
2006-06-30 19:29:421103 FX2系列PLC軟元件及研究實(shí)驗(yàn)
一、實(shí)驗(yàn)目的
1、了解FX2系列PLC軟元件。
2007-12-26 22:32:321947 
半導(dǎo)體世界是平的--記貝爾實(shí)驗(yàn)室終止半導(dǎo)體研究
貝爾實(shí)驗(yàn)室?guī)滋烨白C實(shí)了關(guān)于該公司退出芯片研究業(yè)務(wù)的消息。
貝爾實(shí)驗(yàn)室，現(xiàn)已成為阿爾卡特-朗訊公司的一
2008-09-03 09:33:20633 鋰離子電池負(fù)極材料尖晶石Li4Ti5O12/ZrO2的制備與研究
摘要：以工業(yè)純的TiO2和LiOH·H2O為原料采用機(jī)械球磨濕法混料方式，加入一定的Zr(O
2009-12-07 09:30:472348 半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類(lèi)
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:026526 利用Na2 CO3作為助熔劑，采用高溫固相反應(yīng)方法制備了三價(jià)銪離子激活的Gd2 Mo3 O9紅色熒光粉。利用XRD和熒光光譜，研究了助熔劑的量、制備時(shí)的溫度以及激活劑Eu3+的濃度對(duì)熒光粉的晶體
2011-04-15 14:49:5232 紅色熒光粉Ca_3B_2O_6_Eu_3_的制備及發(fā)光性能
LED照明設(shè)計(jì)與施工問(wèn)答題和論文題目。
2016-05-20 17:01:115 2um波段半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)分析及投資研究報(bào)告
2017-01-13 17:38:430 水潤(rùn)滑推力軸承用新型石墨材料研究_張金慧
2017-01-02 15:44:460 除了石墨烯，該團(tuán)隊(duì)成功地剝離和印刷了一系列2D半導(dǎo)體，包括MoS2、WS2和六方氮化硼（h-BN）。使用這種方法，該團(tuán)隊(duì)已開(kāi)發(fā)出高效的光檢測(cè)器和可編程邏輯存儲(chǔ)器件（能夠存儲(chǔ)以二進(jìn)制形式編碼的信息）。這項(xiàng)工作是曼徹斯特大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與比薩大學(xué)合作完成的。
2017-02-04 17:06:101105 為了提高915 nm半導(dǎo)體激光器腔面抗光學(xué)災(zāi)變的能力，采用基于Si0：薄膜無(wú)雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合法制備符合915 nm半導(dǎo)體激光器AIGaInAs單量子阱的非吸收窗口．研究了無(wú)雜質(zhì)空位誘導(dǎo)量子阱混合
2018-02-10 10:16:350 初創(chuàng)公司Oxdata推出了H2O開(kāi)源機(jī)器學(xué)習(xí)項(xiàng)目，目前該公司獲得了新一輪890萬(wàn)美元的融資。Oxdata的旗艦產(chǎn)品，被稱(chēng)之為“H2O”，是一款核心數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。
2018-05-18 18:07:001637 以納米CuO修飾的花狀WO3微球?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)，研制了高靈敏度硫化氫（H2S）氣體傳感器采用簡(jiǎn)單的兩步水熱法制備了復(fù)合材料用XRD、SEM、TEM和BET等測(cè)試手段對(duì)樣品的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征考察
2019-11-07 08:00:001 H2O是GPU開(kāi)放分析計(jì)劃的創(chuàng)始成員，該計(jì)劃旨在為GPU上的數(shù)據(jù)科學(xué)創(chuàng)建開(kāi)放框架。作為該計(jì)劃的一部分，H2O的GPU版機(jī)器學(xué)習(xí)算法與GPU數(shù)據(jù)框（開(kāi)放的GPU內(nèi)存中數(shù)據(jù)框）兼容。H2O可以讀取數(shù)據(jù)幀并直接在GPU內(nèi)存中運(yùn)行機(jī)器學(xué)習(xí)。
2020-04-14 16:39:033243 6月1日消息，一個(gè)意大利研究團(tuán)隊(duì)完善了一種改進(jìn)版新型海底互動(dòng)有腿偵查機(jī)器人，該機(jī)器人名為SILVER2。SILVER2可以在海底走動(dòng)并拍攝視頻，這款新型SILVER機(jī)器人的主要工作是作為海床上行走的“清潔工”，幫助清理海上的塑料垃圾。
2020-06-02 15:37:103587 本文將 3D 打印技術(shù)與注射成型工藝相結(jié)合用于 Al2O3 陶瓷坯體的快速成型，即采用注射成型的原理制備低粘度、高固相量、穩(wěn)定均勻的熱塑性 Al2O3 陶瓷漿料，通過(guò) FDM 3D 打印成型技術(shù)制備
2020-07-13 08:00:000 近年來(lái)，Ga2O3材料憑借著優(yōu)越的電學(xué)與光學(xué)特性，愈發(fā)引起了研究人員的強(qiáng)烈關(guān)注，同時(shí)被廣泛地應(yīng)用于各類(lèi)高功率半導(dǎo)體器件與光電子器件。因此，借助于計(jì)算軟件對(duì)其內(nèi)部物理機(jī)制的研究便顯得尤為重要，可幫助研究
2020-11-02 14:27:331038 
單晶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 11:53:2935 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00535 
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于去
2022-02-23 13:26:323250 
。以雙酚A(BPA)為探針?lè)肿?，?duì)制備的樣品進(jìn)行了微量檢測(cè)性能的檢測(cè)，檢測(cè)限低至10?9M；該檢測(cè)限在所有報(bào)道的半導(dǎo)體襯底中都是最低的。在紫外照射下，用MoS2/Fe2o3NCs進(jìn)行快速光催化降解。高度可回收的MoS2/Fe2O3NCs在催化(SERS)底物后具有SERS的催化活性和良好
2022-03-25 17:04:06707 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421658 
在這項(xiàng)研究中，我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟(jì)特區(qū)單晶片自旋處理器開(kāi)發(fā)了一種單一背面清潔解決方案，能夠通過(guò)蝕刻晶片背面的幾埃來(lái)去除任何金屬或外來(lái)污染物，無(wú)論其涂層如何(無(wú)涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45957 
7月29日，美國(guó)和日本啟動(dòng)了“2+2”部長(zhǎng)級(jí)對(duì)話的新經(jīng)濟(jì)版本。美國(guó)和日本宣布，他們將為新一代半導(dǎo)體研究成立一個(gè)“新的研發(fā)機(jī)構(gòu)”。
2022-08-02 11:28:371493 在Covid-19大流行的刺激下，隨著整個(gè)醫(yī)療保健行業(yè)和消費(fèi)者對(duì)消毒和清潔的抗菌需求不斷增加，人們對(duì)稀釋過(guò)氧化氫(H2O2)生產(chǎn)的研究越來(lái)越感興趣。
2022-09-08 09:09:371460 作為一種高增值化學(xué)品，過(guò)氧化氫（H2O2）廣泛用于家庭、醫(yī)療、農(nóng)業(yè)和工業(yè)等領(lǐng)域。迄今為止，H2O2的工業(yè)生產(chǎn)主要通過(guò)蒽醌法實(shí)現(xiàn)，但這種方法需要昂貴的Pd催化劑，非常耗能。近年來(lái)，許多研究人員正聚焦于
2022-11-28 10:22:403905 所制備的NiSe2-Vse在堿性介質(zhì)中對(duì)H2O2的選擇性最高達(dá)96%，在0.25-0.55 V寬電位范圍內(nèi)的選擇性超過(guò)90%，在已報(bào)道的過(guò)渡金屬基電催化劑中處于領(lǐng)先地位。
2023-01-14 10:52:271983 過(guò)氧化氫（H2O2）用于對(duì)潔凈室、生物隔離器、培養(yǎng)箱和其他設(shè)備進(jìn)行消毒。在這個(gè)過(guò)程中，通過(guò)放氣或噴霧使空氣飽和，從而在所有表面上形成縮微膠片。過(guò)氧化氫能殺死所有微生物。然后將H2O2機(jī)械回收或允許其
2023-04-24 16:48:37988 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無(wú)污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:441473 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:392247 
研究人員針對(duì)擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問(wèn)題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00742 該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:491343 英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專(zhuān)為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26514 
本文簡(jiǎn)單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識(shí)，基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類(lèi)。
2025-06-26 14:03:471348 
過(guò)氧化氫(H2O2)是重要大宗化學(xué)品，在化工、醫(yī)療、能源、半導(dǎo)體和環(huán)保等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，但其工業(yè)主要生產(chǎn)方法為蒽醌法，安全風(fēng)險(xiǎn)和環(huán)保壓力大，開(kāi)發(fā)綠色安全的H2O2綠色生產(chǎn)工藝是工業(yè)亟需，針對(duì)以上困局，作者前期提出了無(wú)催化劑光合成H2O2新方案，即室溫條件下光子激發(fā)有機(jī)物，有機(jī)物
2025-09-02 09:30:14424 
半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對(duì)特定類(lèi)型的污染物設(shè)計(jì)，并通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過(guò)氧化氫（H?O?）和去離子水
2025-09-11 11:19:131329 
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：多功能明膠復(fù)合水凝膠的制備及體外構(gòu)建工程化心肌組織的研究 研究方向：生物醫(yī)學(xué) 測(cè)試目的： 制備一種基于GelMA的三維各向異性的電磁功能復(fù)合水凝膠支架
2024-07-10 18:17:31
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