約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng)：今年一月，國(guó)內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，而僅僅幾個(gè)月后，國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來(lái)了好消息。碳化硅器件的成本中，襯底占比超過40%，所以碳化硅襯底尺寸提高，單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:00
4627 晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:207620 
為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，簡(jiǎn)述了化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)碳化硅
2024-01-24 09:16:364122 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸，目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed，今年4月剛剛開始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠試產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:003503 空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距，另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中，無(wú)論是從市場(chǎng)需求，還是
2023-12-12 01:35:002680 英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:11:31830 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日，由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。 ? 碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓
2025-04-16 00:24:002850 16000片/月，配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程，到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月，外延產(chǎn)能2000片/月，目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線。 ? 其中6英寸襯底和外延的工藝和良率持續(xù)優(yōu)化，已經(jīng)向國(guó)際客戶穩(wěn)定出貨；8英寸
2025-09-09 07:31:001630 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求：AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā)，推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏；為了進(jìn)一步提高散熱效率，英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中，將用碳化硅中介層
2025-09-26 09:13:556424 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37812 成熟。2023年2月，我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶被成功制備，中國(guó)電科46所成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，達(dá)到國(guó)際最高
2023-03-15 11:09:59
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
10.5公斤/平方厘米，高溫強(qiáng)度很好。抗彎強(qiáng)度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時(shí)，彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測(cè)自大塊材料。4)熱膨脹系數(shù)較低，導(dǎo)熱性好。5)碳化硅導(dǎo)電性較強(qiáng)
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業(yè)基站成為主流應(yīng)用的前景。相比之下，一個(gè)8英寸硅晶圓廠幾周的產(chǎn)能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個(gè)射頻和微波行業(yè)一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
運(yùn)行時(shí)的電性能和效率要比傳統(tǒng)的硅材料高得多。對(duì)于已被實(shí)際使用的碳化硅半導(dǎo)體和氮化鎵半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，其耐受電壓（高于標(biāo)稱電壓，用于保持可靠性的基礎(chǔ)電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
的效率也會(huì)更高。當(dāng)客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關(guān)管后，通常也會(huì)愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導(dǎo)通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導(dǎo)通損耗
2023-02-28 16:48:24
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠！ 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
明顯偏大，不適合碳化硅的高溫工作。AlN λ值高，α 值接近 SiC 材料，成本合適，是目前較為理想的碳化硅器件的基板材料。BeO 雖然 λ 值高，但其強(qiáng)毒性則限制了其應(yīng)用。Si3N4 α 值最接近
2023-02-22 16:06:08
功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。 作為國(guó)內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺(tái)服務(wù)型公司，泰科天潤(rùn)目前在北京已建成國(guó)內(nèi)第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產(chǎn)線，可在SiC外延上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝。 泰科天潤(rùn)
2018-03-12 14:55:36
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
延遲時(shí)間。碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸延遲需小于200ns，傳輸延遲抖動(dòng)小于20ns，可通過以下方式實(shí)現(xiàn)： · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)芯片，可以達(dá)到信號(hào)傳輸延遲50ns，并且具有比較高的一致性，傳輸抖動(dòng)
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 中國(guó)電科黨組書記、董事長(zhǎng)熊群力指出，中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國(guó)電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。
2020-03-02 10:26:115775 2月28日，中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。
2020-03-02 11:49:523591 我國(guó)近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破，近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進(jìn)展，相同的“碳”字，不同的材料，一個(gè)是晶片，一個(gè)是芯片。
2020-06-13 10:33:2531361 國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡(jiǎn)稱“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153796 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521
新年第一個(gè)月，中國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái)——湖南三安“喜提”多個(gè)好消息。長(zhǎng)沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗(yàn)證，車規(guī)級(jí)二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。
新能源汽車
2022-01-24 14:18:32977 
最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。
2022-09-07 09:29:443278 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:045801 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:413554 
進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:104044 具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅來(lái)源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來(lái)長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額?！?英飛凌是國(guó)際著名的半導(dǎo)體公司，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，英飛凌技術(shù)實(shí)力雄厚，在功
2023-05-04 14:21:061194 希科半導(dǎo)體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:001568 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:065889 
從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底？
2023-06-20 15:01:243320 
隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣，并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作，積極追趕更先進(jìn)的8英寸工藝節(jié)點(diǎn)。
2023-07-10 15:21:242655 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng)，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:581831 采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:314324 
柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導(dǎo)體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導(dǎo)體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩(wěn)定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩(wěn)定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:0421116 前來(lái)看，在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35598 2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166 三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:041652 環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅（SiC）需求，現(xiàn)在情況超出預(yù)期，她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:431115 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國(guó)區(qū)汽車市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營(yíng)模式、市場(chǎng)前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:022169 
第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域，已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:372227 碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:241248 
記者從中國(guó)電子科技集團(tuán)獲悉，近日，集團(tuán)下屬中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院投資建設(shè)的MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地在河北石家莊竣工揭牌。
2024-01-10 10:45:311116 共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延片，制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411 
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:311666 春回大地，萬(wàn)物勃發(fā)。山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地生產(chǎn)廠區(qū)一派紅火景象：機(jī)器轟鳴，流水線高速運(yùn)轉(zhuǎn)，全力沖刺一季度“開門紅”。
2024-03-07 15:57:561549 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:291418 2024年3月27日，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。
2024-04-07 11:29:501259 作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場(chǎng)上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。
2024-04-11 09:28:06901 近日，芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線，這一里程碑事件標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國(guó)內(nèi)首家成功開啟8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)的廠家。此項(xiàng)技術(shù)的突破不僅體現(xiàn)了芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，也展示了其對(duì)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展的堅(jiān)定決心。
2024-05-27 10:57:491312 后，將形成每年6萬(wàn)片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。來(lái)源：芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨(dú)特的
2024-05-30 11:24:522315 
英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26514 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 
近日，晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過客戶驗(yàn)證，設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)未來(lái) 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐
2025-01-09 11:25:33891 
引言
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在SiC晶片的制備和加工過程中，表面金屬殘留成為了一個(gè)
2025-02-06 14:14:59395 的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗，更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問題體現(xiàn)在三個(gè)維度： 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴6英寸晶圓技術(shù)，8英寸量產(chǎn)計(jì)劃因良率不足陷入僵局，而中國(guó)天科合達(dá)、爍科晶體等企業(yè)已實(shí)現(xiàn)8英寸襯底小批量出貨，良率突破。更致命的是，中國(guó)通過工
2025-05-21 09:49:401088 
，標(biāo)志著江蘇集芯在第三代半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域再下一城，也為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控寫下關(guān)鍵一筆。 碳化硅晶體是第三代半導(dǎo)體的重要基礎(chǔ)材料，在6/8 英寸物理氣相傳輸法（PVT）已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的基礎(chǔ)上，江蘇集芯 “自我革命”，僅用半
2025-08-05 17:17:19617 9月8日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補(bǔ)
2025-09-10 09:12:481432 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來(lái)西亞的新工廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，一期項(xiàng)目投資額高達(dá)20億歐元，重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體
2024-08-12 09:10:335264
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