UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器件有效地驅(qū)動(dòng)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能夠灌，拉高峰值電流脈沖進(jìn)入到電容負(fù)載，此電容負(fù)載提供了軌到軌驅(qū)動(dòng)的雙極型晶體管（IGBT）開關(guān)。借助于固有的大大減少擊穿電流的設(shè)計(jì)能力以及極小傳播延遲（典型值為17ns）。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V時(shí)提供4A拉電流和4A灌電流（對(duì)稱驅(qū)動(dòng)）峰值驅(qū)動(dòng)電流功能。 /p>

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的寬VDD范圍以及-40°C到140°C的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行.VDD引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖（UVLO）電路保持VDD運(yùn)行范圍之外的輸出低電平。能夠運(yùn)行在諸如低于5V的低電壓電平上，連同同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性，使得此器件非常適合于驅(qū)動(dòng)諸如GaN功率半導(dǎo)體器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于預(yù)覽）。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的輸入引腳閥值基于CMOS邏輯電路，此邏輯電路的閥值電壓是VDD電源電壓的函數(shù)。通常情況下，輸入高閥值（V _IN-H ）是V _DD 的55％，而輸入低閥值（V _IN-L ）是V _DD 的39％。高閥值和低閥值之間的寬滯后（通常為V _DD 的16％）提供了出色的抗擾性并使用戶能夠通過在輸入脈寬調(diào)制（PWM）信號(hào)和器件的INx引腳間使用RC電路來引入延遲。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在EN引腳上還特有一個(gè)可懸空使能功能.EN引腳可以保持在一個(gè)不連接的狀態(tài)，這樣可以分別實(shí)現(xiàn)UCC27518A-Q1，UCC27519A-Q1和TPS2828，TPS2829器件間的引腳兼容性。使能引腳閥值是一個(gè)固定電壓閥值并且不會(huì)隨著V _DD 偏置電壓的改變而變化。通常情況下，使能高閥值（V _EN-H ）為2.1V，而使能低閥值（V _EN-L ）為1.25V。