安森美半導(dǎo)體此次新推出的產(chǎn)品中，包括用于CPU穩(wěn)壓的先進(jìn)控制器IC、新系列的高能效高端穩(wěn)壓(HSVR) MOSFET，以及公司針對常見高帶寬通信接口設(shè)計的開關(guān)系列中的首批產(chǎn)品。這些技術(shù)進(jìn)一步擴充安森美半導(dǎo)體用于臺式計算機、筆記本和服務(wù)器等平臺方案的陣容，其中還包括系統(tǒng)輸入端器件及用于保護(hù)和熱管理的元器件。

英特爾臺式產(chǎn)品分部總經(jīng)理Zane Ball說：“我們代號為Sandy Bridge的第二代Intel Core處理器系列微架構(gòu)的智能化表現(xiàn)和新的視覺功能獲得業(yè)界如此積極的配合，令我們非常高興。像安森美半導(dǎo)體這樣的供應(yīng)商再一次準(zhǔn)備就緒，以業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)壓器配合這平臺上市。這些元器件是下一代穩(wěn)壓技術(shù)的重要功能組件，能幫助降低系統(tǒng)總能耗及提高能效?！?/P>

控制器/驅(qū)動器方案

安森美半導(dǎo)體新的NCP61xx系列集成控制器兼具FlexMode和雙緣(Dual-Edge)脈寬調(diào)制(PWM)優(yōu)勢，為VR12和IMVP-7設(shè)計提供業(yè)界最高能效及最高性能的控制器。這些新的先進(jìn)器件包括NCP6151, NCP6121, NCP6131和 NCP6132，它們均提供用戶可配置的相位配置，集成真正的差分電壓感測、差分電感直流電阻(DCR)電流感測、輸入電壓前饋，以及用于精確穩(wěn)定電源的自適應(yīng)電壓定位(adaptive voltage positioning)功能。每款器件均提供分離(split)電流環(huán)路配置，縮短調(diào)諧(tuning)時間及降低復(fù)雜度，進(jìn)而簡化設(shè)計入選(design-in)；其中，結(jié)合了DCR電流感測功能的雙緣PWM對動態(tài)負(fù)載事件提供最快的初始對應(yīng)。控制環(huán)路的非線性瞬態(tài)對應(yīng)滿足高性能應(yīng)用的要求，而30毫伏/秒(mV/s)的轉(zhuǎn)換速率，結(jié)合前饋功能，將充電和放電時間縮至最短，用于高能效工作。輕載工作期間自動“切相”至單相工作，進(jìn)一步提升了能效。.

結(jié)合這些NCP61xx控制器IC與安森美半導(dǎo)體提供的業(yè)界最小的MOSFET驅(qū)動器NCP5901和NCP5911 MOSFET驅(qū)動器，來創(chuàng)建用于客戶端級和企業(yè)級計算應(yīng)用的完整供電方案。(這集成控制器與驅(qū)動器方案每10,000片批量的單價為2.79美元。)

供電

安森美半導(dǎo)體新的NTMFS49xx、NTTFS49xx、NTD49xx和NTMS49xx高端穩(wěn)壓MOSFET非常適合高能效計算機電源管理應(yīng)用。這系列的11款新的高能效MOSFET使用先進(jìn)硅技術(shù)，經(jīng)過了優(yōu)化，在降壓轉(zhuǎn)換器控制端應(yīng)用中提供最佳的開關(guān)性能。每款新器件均提供極低的門電荷(Qg)和門阻抗(Rg)，將開關(guān)損耗降至最低，并改善信號質(zhì)量；提供低電容，將驅(qū)動器損耗降至最低；提供低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))，提高總能效。(這些高端穩(wěn)壓 MOSFET采用SO8FL、u8FL、SOIC8和DPAK/IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.20至0.35美元。)

高速開關(guān)

安森美半導(dǎo)體還推出了高速開關(guān)系列的首批產(chǎn)品NS3L500和NCN2612，配合下一代計算平臺中將常見的計算接口高帶寬和低功率要求。這些器件提供的帶寬適合以千兆位以太網(wǎng)(GbE)、DisplayPort 1.2和PCI Express 2.1要求的速度開關(guān)，同時比競爭產(chǎn)品還降低能耗80%。超低的導(dǎo)通阻抗和電容將信號衰減降至最低，確保提供趨近零的傳播延遲。(這些器件采用WQFN56封裝以減小占用的電路板空間。NS3L500和NCN2612每1,000片批量的單價分別為2.00和1.00美元。)

電源轉(zhuǎn)換