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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級(jí)最佳效能 

英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級(jí)最佳效能 

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2025-03-09 17:37:36736

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管
2025-03-09 16:58:52797

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器集成
2025-03-09 16:38:10731

微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片LPD2106

輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力,高壓耐壓達(dá)650V,開關(guān)節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)能力支持達(dá)50V/ns,瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能,集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:281248

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04899

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15811

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08850

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28674

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07772

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)功能

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器<。該LMG2610通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝
2025-02-24 15:07:01964

技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:13:211177

技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:04:471082

技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987

技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011089

技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05805

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。
2025-02-21 10:46:25772

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過(guò)在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57881

TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過(guò)在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36829

TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過(guò)在 9mm x 7mm QFN
2025-02-20 16:04:13779

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191

AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱
2025-02-17 15:42:22673

650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

~同時(shí)加快車載GaN器件的開發(fā)速度,以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779

服務(wù)器電源B3M040065Z替代英飛凌COOLMOS的分析

的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化
2025-02-10 09:44:58582

650V碳化硅MOSFET在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案

650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
2025-02-08 07:56:071202

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081124

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到,IGBT自面世以來(lái),歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543

XD075H065CX1S3(75A 650V)國(guó)產(chǎn)IGBT芯達(dá)茂

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD075H065CX1S3(75A 650V)國(guó)產(chǎn)IGBT芯達(dá)茂 ,原裝現(xiàn)貨 XD075H065CX1S3  XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:49:00

XD060Q065AY1S3 (650V/60A)國(guó)產(chǎn)IGBT單管

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)XD060Q065AY1S3 (650V/60A)國(guó)產(chǎn)IGBT單管,原裝現(xiàn)貨XD060Q065AY1S3  XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:36:01

XD050Q065AY1S3(650V/60A)國(guó)產(chǎn)IGBT單管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD050Q065AY1S3(650V/60A)國(guó)產(chǎn)IGBT單管,原裝現(xiàn)貨 XD050Q065AY1S3   50A 650V TO-247-3L
2025-01-06 17:26:24

XD040Q065AY1S3 (40A 650V)國(guó)產(chǎn)IGBT單管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) XD040Q065AY1S3 (40A 650V)國(guó)產(chǎn)IGBT單管,原裝現(xiàn)貨 XD040Q065AY1S3  XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:19:18

XD040H065AY1S3 芯達(dá)茂 40A 650V 國(guó)產(chǎn)IGBT

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD040H065AY1S3 芯達(dá)茂 40A 650V 國(guó)產(chǎn)IGBT管,原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD040H065AY1S3 (650V/40A
2025-01-06 17:15:31

原裝TLD5097EP LED驅(qū)動(dòng)器/TLE4263-2ES汽車穩(wěn)壓器/IKW75N65ES5 650V IGBT 單管

寬) 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 基本產(chǎn)品編號(hào):TLE42632 3、IKW75N65ES5 是一款采用 TO247 封裝的 650 V,75 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5
2025-01-06 16:27:29

XD020H065CX1H3(20A 650V)國(guó)產(chǎn)IBGT管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD020H065CX1H3(20A 650V)國(guó)產(chǎn)IBGT管,原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT 單管 XD020H065CX1H3采用先進(jìn)的微溝槽 FS
2025-01-06 16:05:42

XD015H060CX1L3芯達(dá)茂IBGT管 15A 650V

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)XD015H060CX1L3芯達(dá)茂IBGT管 15A 650V,原裝現(xiàn)貨 XD015H060CX1L3  XDM芯達(dá)茂 IGBT單管  
2025-01-06 15:39:58

安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)精彩回顧

為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝柵場(chǎng)截止(FS)工藝,為工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)高可靠性的同時(shí),提高功率密度。
2025-01-06 14:55:521044

XD006H060CX1G3 國(guó)產(chǎn)IBGT管6A 650V

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD006H060CX1G3 國(guó)產(chǎn)IBGT管6A 650V,原裝現(xiàn)貨XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD006H060CX1G3 (600V/6A)XDM芯達(dá)茂 IGBT
2025-01-06 14:46:47

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