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Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

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2025-11-19 15:25:38249

選型手冊:MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:21:04220

選型手冊:MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-19 15:15:00183

選型手冊:MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓,適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-19 11:15:03277

選型手冊:MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗(yàn)證及500V耐壓,適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32239

選型手冊:MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì),適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-18 16:04:11277

選型手冊:MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-18 15:58:04228

選型手冊:MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性,適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200

選型手冊:MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241

選型手冊:MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率
2025-11-14 12:03:12167

Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢與應(yīng)用實(shí)踐

Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)(FOM)。Vishay
2025-11-13 11:21:53430

選型手冊:MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-12 14:19:35308

選型手冊:MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-12 14:15:44277

基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率,R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319

選型手冊:MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測試驗(yàn)證及700V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS
2025-11-12 09:34:45197

Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗(+25°C
2025-11-11 13:42:26335

選型手冊:MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54216

選型手冊:MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36254

選型手冊:MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 16:01:46413

選型手冊:MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 15:50:16247

選型手冊:MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:40:08221

選型手冊:MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:31:03211

選型手冊:MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59239

選型手冊:MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-06 16:15:37292

選型手冊:MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24294

選型手冊:MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286

選型手冊:MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如
2025-11-06 15:44:22300

選型手冊:MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205

選型手冊:MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283

選型手冊:MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性,廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238

選型手冊:MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226

選型手冊:MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23497

選型手冊:MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298

選型手冊:MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228

圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

工程師私藏技巧:MOS管如何讓你的移動電源快充又省電?HGE001N04L 低內(nèi)阻1mΩ 40V 170A大電流

應(yīng)對快充需求,有效減少發(fā)熱和損耗。 (二)升壓效率高,延長續(xù)航時長 在放電升壓時,HGE001N04L 耐壓40V,快關(guān)速度快,可以輕松實(shí)現(xiàn) 3.7V 升壓至 5V/9V/12V 的高效電壓轉(zhuǎn)換,升壓
2025-07-29 15:58:49

圣邦微電子推出N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:20:33784

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40VN 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40VN 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772

LTS3002FJ-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS3002FJ-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:29:590

LTS3002FJC-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS3002FJC-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-24 11:25:250

LT3055AFN-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 15:00:060

LTD1534RFJ-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 14:39:470

PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 14:16:450

BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:000

BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 11:31:090

瑞薩電子推出新型 100V功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957

AP120N04F 120A 40V TO-220F-3L

AP120N04F40V n溝道增強(qiáng)模式MOSFETAP120N04F采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和柵極電壓低至10V。這該裝置適合作為電池保護(hù)裝置使用或其它開關(guān)
2025-01-10 15:14:480

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