瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。
2013-05-20 11:31:282996 更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361998 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實現(xiàn)更緊湊設(shè)計的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:362659 
通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步擴展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:133171 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001789 Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301501 
和可靠性。 ? CoolMOS_S7T ? SSR是各種電子設(shè)備的基本配置，如果能夠?qū)鞲衅骱?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié) MOSFET集成到同一
2023-12-19 15:22:261727 
理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感
2024-06-24 16:18:221537 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461452 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產(chǎn)品也是目前市場上第一顆650V并且?guī)Э旎謴?fù)二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應(yīng)對LLC硬關(guān)斷時各種現(xiàn)象
2018-12-05 09:56:02
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來說，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當MOS關(guān)斷時，形成兩個反向偏置的PN結(jié)：P和垂直導(dǎo)電
2017-08-09 17:45:55
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發(fā)站內(nèi)信聯(lián)系我！基本參數(shù)為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數(shù)再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
描述：
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)
低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
描述：
APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率
一般
2025-07-09 13:35:13
靈動微電子量身定制IoT專用MCU
2021-01-27 07:30:03
的MOSFET設(shè)計了一種商標CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來說，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當MOS關(guān)斷
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是， CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET，可以視作英飛凌不斷創(chuàng)新的工匠精神和數(shù)年沉淀的行業(yè)經(jīng)驗的集大成之作。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)
2017-04-12 18:43:19
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發(fā)中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)士蘭微超結(jié)MOS SVSP35NF65P7D3耐壓650V35A ，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:25:36
SVSP35NF65P7D3 超結(jié)MOS管國產(chǎn)35A,650V，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高壓超結(jié)mos管，提供SVSP65R041P7HD4關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-19 14:56:39
供應(yīng)SVS7N65FJD2 7A,650V 超結(jié)MOS管國產(chǎn)-士蘭微mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:34:47
華潤微CRJD380N65G2_TO-252超結(jié)MOS 內(nèi)阻330mΩ 650V12A 華潤華晶coolMOS 現(xiàn)貨供應(yīng)
2023-01-05 16:09:28
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44728 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:424944 
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標桿， 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:257884 以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應(yīng)用測量結(jié)果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:323335 
650V CoolMOS CFDA功率MOSFET這種全新解決方案兼具快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點：更高的輕載效率、更低的柵極電荷、更低的開關(guān)損耗、更易使用以及卓越可靠性等。
2019-09-25 10:20:4210505 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
2020-10-09 15:28:261590 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
MathWorks面向汽車應(yīng)用開發(fā)的量身定制工具說明。
2021-05-31 11:26:318 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 超結(jié)MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
2022-07-15 17:12:369503 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:551515 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:322342 超結(jié)也稱為超級結(jié)，是英文Super Junction 的直譯，而英飛凌之前將這種技術(shù)稱之為CoolMOS。因而超結(jié)（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半導(dǎo)體多年前就進軍超結(jié)領(lǐng)域，經(jīng)過多年研發(fā)生產(chǎn)，目前已擁有完整的超結(jié)系列產(chǎn)品。
2022-10-14 11:54:285165 
? PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結(jié)（SJ）技術(shù)樹立了新的行業(yè)標準。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩(wěn)健性，同時降低了BOM（材料清單）成本。該產(chǎn)品專為超高功率密度和超高效率的產(chǎn)品設(shè)計量身打造，主要用于照明系統(tǒng)以及消費和工業(yè)領(lǐng)域的開關(guān)電
2022-11-09 11:33:15973 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應(yīng)用
2022-11-15 20:17:570 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221504 
650 V、1 A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010EP-Q
2023-02-07 20:32:140 650 V、1 A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010EP
2023-02-08 19:05:533 650 V、1 A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010ER-Q
2023-02-08 19:06:120 650 V、1 A 超快恢復(fù)整流器-PNU65010ER
2023-02-08 19:06:240 的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qg)，能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。 ? 最新的快速恢復(fù)體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器進
2023-02-22 15:26:581508 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:571193 安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:101909 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162413 
) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:012 供應(yīng)SVSP14N65FJHE2超結(jié)mos耐壓650V14A，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:27:312 驪微電子供應(yīng)高壓超結(jié)mos管650v35aSVSP35NF65P7D3，可廣泛應(yīng)用于適用于硬/軟開關(guān)拓撲，是士蘭微mos代理商，提供產(chǎn)品詳細參數(shù)及樣品申請。>>
2022-05-18 16:27:301 SVS11N65DD2超結(jié)MOS管國產(chǎn)650V11A，可廣泛應(yīng)用于適用于硬/軟開關(guān)拓撲，驪微電子是士蘭微mos代理商，提供產(chǎn)品詳細參數(shù)及樣品申請。>>
2022-08-30 16:49:145 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:508 供應(yīng)超結(jié)mos器件SVS7N65FJD2，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多SVS7N65FJD2650V,7A參數(shù)規(guī)格書、產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:36:263 供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管，適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:351 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:062 供應(yīng)650V14A超結(jié)MOS管SVS14N60FJD2，提供超結(jié)MOS管SVS14N60FJD2參數(shù)規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:33:041 MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:151699 
(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創(chuàng)新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術(shù)。eMOSE7超結(jié)技術(shù)提供了快速的開關(guān)性能，同時具有低開關(guān)噪音和過沖尖峰。這提高了
2024-06-11 10:49:211019 
產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00938 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39930 
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主導(dǎo)地位，以至于人們很容易認為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器
2024-11-08 01:03:32975 600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器，提高了結(jié)溫測量的精度和魯棒性，同時容易使用。該器件針對低頻和大電流開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化，它是固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7結(jié)溫測量功能，提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:231027 超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16884 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結(jié)（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優(yōu)勢顯著 高頻高效 ：SiC
2025-03-02 11:57:01899 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877 電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
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