飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時(shí)節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:44
1436 通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:133171 該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231952 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351889 半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56898 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及
2024-11-20 18:27:291134 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺(tái)達(dá)雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用，使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
，對通信電源產(chǎn)品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時(shí)新型高性能器件的不斷涌現(xiàn)與和軟開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設(shè)計(jì)提供了可能性。本文主要介紹了一臺(tái)1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲(chǔ)能元件如電感及電容，達(dá)到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達(dá)到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應(yīng)用于各種無線通信設(shè)備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
描述PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
克服了上述問題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
LTM4657是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器μModule器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626和LTM4638相比，它的開關(guān)頻率更低, 因此LTM4657在8 A輸出電流范圍內(nèi)提供更高
2020-10-30 07:58:28
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方向前進(jìn)，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
PCB加工如何實(shí)現(xiàn)高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
單相異步電機(jī)如何才能實(shí)現(xiàn)高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
解決方案來簡化您的設(shè)計(jì)，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
采用短或厚的導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)低電阻連接，才能充分發(fā)揮SuperSO8封裝的優(yōu)勢。 實(shí)現(xiàn)更高功率密度和效率的芯片和封裝技術(shù)只有將高性能的半導(dǎo)體技術(shù)與最先進(jìn)的封裝技術(shù)結(jié)合起來，才能滿足對更高效率和更高功率密度的需求
2018-12-07 10:23:12
怎樣去設(shè)計(jì)一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進(jìn)行測試驗(yàn)證？
2021-06-02 06:11:23
，高效率的特性。§可實(shí)現(xiàn)5V~20V以內(nèi)任意電壓的恒壓輸出，100mA~5A以內(nèi)的任意電流恒流輸出以及300mW~60W恒功率輸出?！熳屫?fù)載通過USB PD協(xié)議對適配器進(jìn)行編程，按照最佳供電效率的方式，給
2017-04-12 18:43:19
近日，實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.宣布，擴(kuò)展其面向Wi-Fi網(wǎng)關(guān)、機(jī)頂盒、路由器、企業(yè)級接入點(diǎn)的802.11ax產(chǎn)品組合。此次推出的集成模塊和高級濾波器的高效率產(chǎn)品組合可改善Wi-Fi覆蓋范圍，幫助實(shí)現(xiàn)外形更小巧的終端產(chǎn)品，并降低消費(fèi)者、服務(wù)提供商和制造商的成本。
2019-09-04 06:00:03
，0.85V/25A PoL，PCB 面積為 40mm x 55mm在 0.85V/25A、500kHz 時(shí) >82% 的高效率通過 PMBus 和 TI 的 Fusion GUI 進(jìn)行自適應(yīng)電壓
2022-09-27 06:47:49
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
（或更小尺寸）實(shí)現(xiàn)相同輸出功率量的約束，因此，對更高功率密度的需求已經(jīng)成為一種趨勢。TI的產(chǎn)品組合包括帶高電流、快速升降時(shí)間和延時(shí)匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器。參見表1。 分類設(shè)備描述升/降時(shí)間延時(shí)匹配 高電流
2019-08-07 04:45:12
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 用改進(jìn)的PQFN器件一對一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒?b class="flag-6" style="color: red">高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:133531 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源（UPS）。其他應(yīng)用包括電池充電和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
2018-05-18 09:04:002436 工程師解決高效率電源及充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中遇到的各種實(shí)際問題。英飛凌高級系統(tǒng)應(yīng)用工程師王進(jìn)在本次會(huì)議做的關(guān)于：英飛凌高效率電源管理方案介紹的精彩演講。
2018-06-26 17:00:003700 
Vicor公司日前宣布推出兼容 VITA 62 電源的全新電源系統(tǒng)產(chǎn)品系列，專為 3U 開放式 VPX 系統(tǒng)精心設(shè)計(jì)，可在堅(jiān)固的傳導(dǎo)散熱底座中實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。
2019-04-03 16:44:483305 N.J.-ANADIGICS公司的Warren宣布推出新系列4 mm x 4 mm高效率低功率（HELP）寬帶CDMA（W-CDMA）功率放大器（PA）模塊。 AWT6270，AWT6271
2019-09-15 17:24:003755 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 全新的90W PoE產(chǎn)品組合符合IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)將標(biāo)準(zhǔn)PoE功率提高了一倍以上，擴(kuò)展了無線接入點(diǎn)和IoT無線網(wǎng)關(guān)的功能。該產(chǎn)品組合所提供的更高功率能力有助于實(shí)現(xiàn)PoE供電的5G小基站和數(shù)字化樓宇。
2020-03-18 09:20:232733 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:023163 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:285 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328 
華為全新推出產(chǎn)品組合方案，以高性能資源池為基礎(chǔ)，助力國泰君安成為證券行業(yè)分布式核心交易的標(biāo)桿。
2022-08-25 11:17:402614 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:311477 
、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域提供更高效率、更安全、更綠色的電源管理方案和測試解決系統(tǒng)，攜手助力綠色中國夢 、雙碳目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)、大模型計(jì)算等。
2023-05-14 17:19:001947 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:321564 、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款
2023-06-22 10:14:43865 
以設(shè)計(jì)有源天線系統(tǒng)、遠(yuǎn)程無線電單元和其他系統(tǒng)，以符合最新的 5G 要求并滿足不斷增長的數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)需求。同時(shí)，TI 的無橋 PFC 拓?fù)洹aN 電源產(chǎn)品和接口 IC，可以幫助您創(chuàng)建更加可靠、節(jié)能且經(jīng)濟(jì)高效的商用通信電源整流器，并確保具備更高功率密度
2023-11-08 08:21:30826 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:131209 應(yīng)用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:531008 
八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強(qiáng)
2024-03-07 16:03:041244 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411774 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 德州儀器 (TI) 推出六款新型電源模塊，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。這些電源模塊采用德州儀器專有的 MagPack 集成磁性封裝技術(shù)，與市場上同類產(chǎn)品相比，尺寸縮小了多達(dá) 23%，支持工業(yè)、企業(yè)和通信應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高的性能水平。
2024-07-31 17:25:351873 
英飛凌科技股份公司近日在藍(lán)牙技術(shù)領(lǐng)域邁出重要一步，隆重推出AIROC? CYW20829低功耗藍(lán)牙5.4微控制器（MCU）系列的八款創(chuàng)新產(chǎn)品，此舉顯著擴(kuò)展了其藍(lán)牙產(chǎn)品組合，為工業(yè)、消費(fèi)及汽車等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更加靈活高效的解決方案。
2024-08-22 16:59:301282 程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前， 英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其 CoolSiC MOSFET分立式
2024-09-07 10:02:072096 英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合，進(jìn)一步豐富了該系列的產(chǎn)品線，旨在響應(yīng)大眾
2024-09-30 16:15:581767 英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46840 戴爾科技集團(tuán)，憑借數(shù)十年的PC創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，近日推出了全新設(shè)計(jì)的PC產(chǎn)品組合，旨在大幅提升終端用戶的創(chuàng)造力和生產(chǎn)力。 此次推出的產(chǎn)品組合，采用了簡化的設(shè)計(jì)理念，搭載了前沿的設(shè)備端AI技術(shù)。通過全新
2025-01-10 14:41:131034 新思科技近日宣布，推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應(yīng)系統(tǒng)級芯片（SoC）的HAPS原型驗(yàn)證系統(tǒng)，全新升級其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗(yàn)證（HAV）產(chǎn)品組合。
2025-02-18 17:30:481088 Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011015 的應(yīng)用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創(chuàng)新的核心所在。該工藝?yán)媒饎偸淖吭綗釋?dǎo)性能，有效提升了封裝產(chǎn)品的散熱效率，從而實(shí)現(xiàn)了更高功率密度的封裝。這一技術(shù)突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠(yuǎn)
2025-02-19 14:44:211078 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列，采用先進(jìn)的不對稱半橋（AHB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將反激轉(zhuǎn)換器的簡易性和諧振轉(zhuǎn)換器的效率相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。因此，該控制器系列適用于各類AC/DC應(yīng)用，包括二級市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13762 
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29462 
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297
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