ARM宣布將在今年10月底的ARM TechCon展會中探討14nm制程面臨的挑戰(zhàn)，來自IBM的工程師Lars Liebman和ARM資深研發(fā)工程師Greg Yeric都將在會中發(fā)表演講，共同探討這個業(yè)界矚目的議題。

　　ARM的演講將探討IC定義所需的圖形化以及在涉及非平面架構(gòu)時的困難程度，同時也將討論超紫外光（EUV） 微影技術(shù)，并解釋在EVU到位以前，如何將雙重圖案運用光學(xué)微影技術(shù)來彌合技術(shù)差距。另外也將討論到多重圖案的復(fù)雜性。

　　ARM 將在這次活動中探索14nm節(jié)點時晶片的功耗、面積及成本。另外，活動中也將針對FinFET的基本原理，以及FinFET對實體IP和更高層處理器IP的影響。也就是說，會中還將討論FinFET將對即將到來的ARM處理器核心及其周邊帶來哪些影響。

　　英特爾探路10nm

　　英特爾（ Intel ）技術(shù)暨制造部總監(jiān)Mark Bohr則是在稍早前的英特爾開發(fā)者論壇（ IDF ）中表示，已經(jīng)找到采用浸入式微影技術(shù)來開發(fā)10nm制程的方法，這家晶片制造商預(yù)計在2013年底開始14nm制程生產(chǎn)晶片。

　　10nm 制程預(yù)計在2015年或以后首度亮相。該制程的某些光罩將會需要四重圖形（quadruple patterning），但“它仍具經(jīng)濟(jì)性，”Bohr強調(diào)。

　　Bohr 并未透露英特爾的14nm 或10nm 制程計劃細(xì)節(jié)，僅強調(diào)了技術(shù)上的可行性。

　　一直以來，英特爾都致力于開發(fā)超紫外光（EUV）微影技術(shù)，最近也加入ASML 的41億美元投資計劃，以推動該技術(shù)發(fā)展?！皩ξ覀兌?，EUV相當(dāng)重要，這就是為何我們投資ASML的主要原因，但我們?nèi)匀挥性S多選擇，包括采用多重圖形的浸入式技術(shù)等，”Bohr說。

　　英特爾預(yù)計，在14nm至少某些層將需要雙重圖形。若在10nm使用浸入式技術(shù)，則會有更多層需要雙重圖形，有些甚至?xí)枰闹貓D形。

　　在14nm，Bohr表示，“增加的晶圓以及雙重圖形成本仍可由晶片密度提升來抵銷，因此，每一代電晶體的成本也都會以穩(wěn)定的趨勢持續(xù)降低?！?/p>

　　他認(rèn)為，即使是在10nm使用浸入式技術(shù)，該趨勢也將會一直持續(xù)。截至目前，“EUV比我預(yù)想的還要遲，我無法肯定它何時到來，”他說。

　　“我們可能是最后一家堅守每隔兩年投入新一代制程技術(shù)腳步的公司，”Bohr說。

　　英特爾位在俄勒岡州的元件和邏輯技術(shù)開發(fā)小組正在廣泛地探索各種電晶體、互連、記憶體和其他技術(shù)的可能性，不過，他們可不是只做這些事，”Bohr說。

　　Bohr談到了英特爾的晶片制造策略?！拔覀兊哪康牟⒉辉诖?，但我們確實有著小規(guī)模的晶片制造業(yè)務(wù)，”他表示。除了銷售晶圓，這項工作“也為我們提供了額外優(yōu)勢，就是能從其他的設(shè)計團(tuán)隊獲得資訊，從而最佳化制程技術(shù)?！?/p>

　　英特爾正在考慮許多發(fā)展方向，包括一些并未包含在這張幻燈片中的選項片。