接管IBM制造業(yè)務(wù)，引進(jìn)新技術(shù)

　　制程落后的Global Foundries除了強(qiáng)攻新技術(shù)，也在過去幾年一直尋求交易，在2014年，他們接管了IBM的半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)，也從IBM取得半導(dǎo)體設(shè)計(jì)能力。在這個交易中，IBM給Global foundries公司支付15億美元，作為接盤費(fèi)用。

　　對于Global Foundries來說，拿下IBM應(yīng)該不在于其工廠，更重要的是IBM所積累的專利和技術(shù)，這有利于他們推進(jìn)其制程進(jìn)度，緊跟競爭者。

　　以目前立體鰭式電晶體（3D-FinFET）研發(fā)為例，即可窺探出IBM的研發(fā)能量。為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發(fā)展出立體式的電晶體結(jié)構(gòu)，F(xiàn)inFET（英特爾（Intel）稱之為Tri-Gate）。目前全球在FinFET設(shè)計(jì)與制程技術(shù)開發(fā)的競爭中，英特爾仍為領(lǐng)導(dǎo)廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

　　IBM與英特爾制程技術(shù)上最大的差異，則是使用絕緣層覆硅（Silicon On Insulator， SOI）基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板（Bulk Substrate）成本高出許多，但SOI可大幅減少制程步驟，以及降低操作電壓達(dá)到低功耗芯片的制作效益。由此可知，IBM所具有的研發(fā)能力不可小覷，關(guān)于英特爾與IBM的FinFET晶體管剖面圖比較如圖1所示，目前兩種不同的基板各有優(yōu)缺點(diǎn)，誰可勝出，仍需要時間以及市場上的驗(yàn)證。

　　藉由這一樁合并案，Global Foundries將具有優(yōu)先使用IBM與位于美國紐約州Albany納米科學(xué)暨工程學(xué)院（Colleges of Nanoscale Science and Engineering， CNSE）共同研發(fā)專案結(jié)果的權(quán)利，其中令人矚目的是IBM將與CNSE共同開發(fā)的下世代微影技術(shù)。

　　那么在兩家不同企業(yè)技術(shù)整合方面，目前Global Foundries14納米FinFET制程技術(shù)的主要來源為三星電子（SamsungElectronics）。

　　其實(shí)Globalfoundries當(dāng)時原計(jì)劃自己推出14nm-XM工藝，但宣布之后就沒了下文，最終自己的工藝腹死胎中，他們直接選擇了三星的14nm FinFET工藝，借助后者豐富的經(jīng)驗(yàn)和成熟的工藝突圍。未來IBM與Global Foundries在FinFET技術(shù)的發(fā)展方向應(yīng)該會朝向于支援與整合三星電子的技術(shù)。

　　但按照2014年年底分析師的報道，Global Foundries的晶圓廠當(dāng)時14nm尚未準(zhǔn)備完畢，且進(jìn)度恐怕會拖延一至兩季。部分設(shè)備業(yè)者猜測，財務(wù)或良率等問題，可能是拖延進(jìn)度的主因。

　　而在2015年中，GlobalFoundries已經(jīng)開始使用14nm FinFET（14LPE）工藝為它們的客戶量產(chǎn)芯片。Global Foundries表示它們的14nm半導(dǎo)體產(chǎn)能可以比肩三星（Samsung Foundry）。GlobalFoundries的發(fā)言人Jason Gorss表示，他們的14nm爬坡量產(chǎn)已經(jīng)步入正軌，產(chǎn)能可以等同于盟友三星。Global Foundries沒有透露他們每個月能使用14nm LPE工藝生產(chǎn)出多少塊晶圓，但該公司表示，用于14nmFinFET工藝商業(yè)生產(chǎn)的部分重要設(shè)備已經(jīng)安裝好。

　　也就是在2015年，Global Foundries超越聯(lián)電，爬上了晶圓代工廠二哥的位置。

　　但對于Global Foundries來說，這是不夠的，因?yàn)閾?jù)媒體披露，自從2008年從AMD分拆出來之后，它一直表現(xiàn)不佳，2014年虧損更是高達(dá)15億美元，2013年也虧了9億美金。因此GlobalFoundries要多種方式求變。