減少資本支出。該公司計劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應(yīng)對市場狀況。 DRAM價格下降11%,NAND價格下降21% 隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩,供應(yīng)短缺得到解決,內(nèi)存市場環(huán)境迅速變化。因此,SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13%至9.94萬
2019-01-27 00:35:00
9508 SK海力士本周宣布,他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品,該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前,他們推出了96層第5代3D NAND,但低價促使他們削減了產(chǎn)量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 據(jù)韓媒報道,SK海力士將在2020年進行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組,其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起,實現(xiàn)從開發(fā)、制造,以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 最新消息,SK海力士將在2020年消費電子展(CES)上推出兩款消費類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是,新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:39
4178 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM,頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
8383 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出,海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:35
1594
SK集團(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動公告,SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷,社長樸星昱甚至晉升為副會長,顯示SK海力士在集團內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認為,這次人事
2016-12-30 09:10:39
1434 蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:04
2003 SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。從現(xiàn)場給出的技術(shù)演示來看,4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似,只不過外圍電路(PUC,Peri.Circuits)在存儲單元下方,好處有三點,一是芯片面積更小、二是處理工時縮短、三是成本降低。
2018-08-09 10:46:17
4284 SK海力士今天正式發(fā)布了最新款的企業(yè)級SSDPE8000系列,包括PE8010、PE8030、PE8111三款型號,這也是其首款PCIe4.0SSD,無論存儲密度、容量還是性能都是世界一流的,甚至
2020-04-08 10:11:53
6532 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB兩種存儲容量,產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:42
3984 英特爾同意以大約90億美元將其Nand存儲業(yè)務(wù)出售給韓國的SK海力士,以專注于其主要業(yè)務(wù)。
2020-10-20 10:16:42
3366 根據(jù)南韓媒體 《Business Korea》 報道,南韓存儲器大廠 SK 海力士旗下為積極爭取未來中國境內(nèi)的晶圓代工需求,在近期 SK 海力士收購英特爾的 NAND Flash 快閃存儲器業(yè)務(wù)之后
2020-11-11 10:12:40
3651 5月30日消息,據(jù)國外媒體報道,在獲得美國和歐盟的批準之后,SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易,也已獲得了韓國監(jiān)管機構(gòu)的批準。 ? 從韓國媒體的報道來看,韓國公平貿(mào)易委員會較快批準
2021-05-31 10:00:07
4381 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8534 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產(chǎn)品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:00
3509 大家好!小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進行了對比,驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導指出,海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
1317 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12
941 SK海力士預(yù)計第四季度D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級D-RAM和72
層NAND閃存,明年業(yè)績?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15
754 比,存儲芯片巨頭SK海力士和美光科技在2017年的排名將會大幅提升。受益于DRMA內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片市場需求大幅提升的推動,上述兩家公司的排名均將上升兩位。”
2017-12-20 15:40:48
1711 今年的閃存技術(shù)峰會,美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱之為“4D NAND”,長江存儲稱之為Xtacking,美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:28
7883 首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇,SK海力士稱,CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)
2018-08-12 10:55:15
4453 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長,而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球對3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:00
5500 SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權(quán),倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二,但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:51
5400 SK海力士今年第一季財報和當初預(yù)期相同,受存儲器行情影響,營收和營益驟減,對此SK海力士準備以強化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對市場,預(yù)計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10%以上。
2019-04-25 19:23:19
1116 SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功,并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:28
3820 SK海力士宣布,該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:20
6119 SK海力士近日正式宣布,已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前,該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:15
3551 SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:54
4098 .據(jù)日經(jīng)新聞報道,韓國內(nèi)存大廠SK海力士今日表明,為了應(yīng)對日本對韓國部分關(guān)鍵半導體材料的出口管制,該公司在2019年NAND型閃存產(chǎn)量將比2018年時減產(chǎn)15%。
2019-07-26 15:39:41
3080 目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 2019年智能手機的閃存容量進一步提升,中高端手機基本上是128GB起步,高端會上512GB,個別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去,明年1TB容量的手機會更多,因為SK海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商,堆棧層數(shù)達到了128層。
2019-11-21 08:53:08
776 SK海力士作為閃存巨頭,在今年8月份重新返回了消費級SSD市場,不過首款產(chǎn)品Gold S31比較平淡,很常規(guī)的2.5英寸SATA產(chǎn)品,最大容量1TB。
2019-12-30 08:52:55
3280 根據(jù)消息報道,韓國全球半導體制造商SK海力士將在2020年國際消費電子展(CES)上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態(tài)硬盤,采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:12
4487 12 月 30 日訊,SK 海力士作為閃存巨頭,在今年 8 月份重新返回了消費級 SSD 市場,SK 海力士此次準備了兩款新的 SSD,一個是 Gold P31,另一個則是 Platinum P31,都采用 PCIe 形態(tài),并支持 NVMe。
2019-12-31 14:03:08
1045 根據(jù)消息報道,SK 海力士在CES 2020上發(fā)布了發(fā)布了兩款M.2 PCI NVMe固態(tài)硬盤,分別名為Gold P31和Platinum P31,都采用了128層4D NAND閃存模塊,主控也是SK 海力士自己的。
2020-01-08 15:04:22
3656 在最近舉辦的CES 2020展會上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:55
3583 PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產(chǎn)的96層堆疊4D TLC NAND閃存顆粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向讀取密集型應(yīng)用,PE8030則為讀寫混合應(yīng)用而優(yōu)化。
2020-04-08 09:06:30
3418 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111,是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:19
4475 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),TLC顆粒,容量達512Gb(64GB)。 ? 據(jù),SK海力士透露,該閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:32
1786 SK海力士作為全球半導體領(lǐng)頭企業(yè)之一,旨在強化其NAND閃存解決方案相關(guān)競爭力,發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng),進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。
2020-10-20 09:53:01
2363 據(jù)路透社當?shù)貢r間19日報道援引知情人士稱,英特爾正準備將NAND芯片業(yè)務(wù),以近100億美元的價格,出售給SK海力士。若交易達成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內(nèi)存市場的全球第二大廠商,并進一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 據(jù)報道,英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務(wù)出售給韓國公司SK海力士,價格約90億美元。英特爾正在采取全面措施,專注于主營業(yè)務(wù)的經(jīng)營。
2020-10-20 14:33:35
2138 2020年10月20日上午消息,存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。
2020-10-20 16:51:39
2925 
10月20日,SK海力士和英特爾已經(jīng)達成協(xié)議,前者將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。 本次收購包括英特爾NANDSSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù),以及其在中國大連的NAND閃存制造
2020-10-20 17:18:28
7473 一錘定音,韓國當?shù)貢r間10月20日,SK海力士正式宣布將以90億美元的價格,全盤收購老牌存儲大廠英特爾NAND閃存以及存儲器業(yè)務(wù)。
2020-10-21 09:13:36
2974 韓國存儲芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門,NAND部件
2020-10-21 14:30:37
2788 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購Intel的NAND內(nèi)存與儲存事業(yè),以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易,超過三星
2020-10-21 17:26:32
2248 另一方面,對于SK海力士來說,此次收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)也有跡可循。作為全球第二大存儲芯片廠家,雖然其DRAM產(chǎn)品市占率僅次于三星電子,但在NAND方面其市場排名卻還比較靠后。
2020-10-22 11:25:57
6438 據(jù)國外媒體報道,SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:15
2718 10月20日,SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:16
8594 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2793 據(jù)英文媒體報道,上月 20 日,SK 海力士在官網(wǎng)宣布,他們同英特爾達成了最終協(xié)議,將斥資 90 億美元收購英特爾的 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù)。 但消息人士日前表示,NAND 閃存目前的市場行情并不
2020-11-03 15:08:33
2014 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:00
2037 前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:32
1877 前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。 盡管外界批評SK海力士買虧了、且目前閃存處于價格下行軌道,但后者似乎決心已定,并不
2020-11-05 09:41:54
1673 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:26
2339 據(jù)報道,第三季度財報優(yōu)于市場預(yù)期的SK海力士計劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調(diào),決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務(wù),在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:42
2079 SK海力士在聲明中稱,已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)。此次收購包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù),以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進行,最終交易要到2025年3月份才會完成。
2020-11-11 14:53:02
2528 據(jù)悉,SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù),包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠,但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說,剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:57
3105 繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb(64GB),TLC。 SK海力士透露,閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:27
2200 繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb(64GB),TLC。
2020-12-07 13:44:09
2510 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:23
3708 雖然已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士,但是Intel還會繼續(xù)發(fā)展存儲芯片。日前的存儲峰會上,Intel推出了一系列SSD硬盤,包括670P、傲騰H20等,首發(fā)了144層TLC、QLC閃存,涵蓋消費級、企業(yè)級等多個市場。
2020-12-17 10:11:28
2736 SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購獲得了美國外國投資委員會(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡稱CFIUS)的許可!
2021-03-19 14:19:22
2540 去年10月份,Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批,日前通過了歐盟的審批,中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:57
2342 SK海力士今日宣布,已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段。
2021-12-30 10:09:13
1073 SK海力士之前以90億美元收購了Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù),隨后于美國成立了公司Solidigm,這次的P5530硬盤是兩家公司首個共同開發(fā)的新企業(yè)級硬盤。
2022-04-06 18:17:32
1882 近日,SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:53
4080 今年8月初,SK海力士旗下NAND閃存解決方案提供商Solidigm在閃存峰會上展示了全球首款正在研發(fā)的PLC(五層單元)SSD。與QLC(四層單元)SSD相比,PLC SSD可在每個存儲單元內(nèi)存儲5bit的數(shù)據(jù)。
2022-08-19 10:27:54
1506 SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線,以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能。SK海力士原計劃在明年年初開始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30
555 sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:53
2449 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%,成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54
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SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
1993 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
888 該產(chǎn)品與 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研發(fā)的 SSD 主控,然而獨特之處在于其搭載了 PCIe Gen5 技術(shù)及 238 層的 TLC NAND 閃存。
2024-03-20 14:13:01
1783 來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:08
1225 當前,3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進展。然而,在這種趨勢下,閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
2024-05-07 10:33:03
912 SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開緊密合作,通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導入新技術(shù)。在當前,增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:24
1034 SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端
NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內(nèi)
最高性能且專門針對端側(cè)AI手機進行優(yōu)化?!贝送?,公司還強調(diào),“借助此產(chǎn)品,我們將在
NAND閃存領(lǐng)域引領(lǐng)AI存儲器市場,這也是繼HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑?!?/div>
2024-05-09 09:30:33
1063 今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175 在智能手機技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
2024-05-11 10:14:19
1068 在全球半導體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22
1473 據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 近日,韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產(chǎn)。
2024-08-01 15:26:42
1322 韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:11
1743 在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為未來的移動設(shè)備性能提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-08-10 16:52:08
3027 SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41
878 今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1987 近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:20
1231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1277 在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
1189 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:55
1096 據(jù)外媒最新報道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13
858 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:59
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