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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

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三星/SK海力士DRAM大幅擴產(chǎn),恢復(fù)至削減前水平,存儲新周期開啟

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2024-04-12 00:05:006369

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`這幾年以來,國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存,以期打破壟斷,尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言,三星占了全球80%的份額,成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前,三星一反常態(tài),放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
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三星4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

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三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

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三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

Insights資料顯示,2017年全球半導(dǎo)體頂尖大廠的研發(fā)投資,以英特爾的130.98億美元排名第一,成長3%,但營收比重竟然高達(dá)21.2%;這個數(shù)字也是三星、東芝、高通、博通的總和。高通為
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全球10大DRAM廠商排名

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IC Insights:DRAM市場即將放緩 國產(chǎn)品牌穩(wěn)步挺近

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2018-10-18 17:05:17

回收三星ic 收購三星ic

年收購電子芯片,收購電子IC,收購DDR ,收購集成電路芯片,收購內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

夏普將淪為三星OEM代工廠?

爆發(fā)性的增長。據(jù)報導(dǎo),據(jù)調(diào)查公司Data Supply的資料顯示,2012年夏普事務(wù)機全球率為12.5%,僅次于Canon、Ricoh等日系廠商位居第5位,而甫于2012年搶進高階事務(wù)機市場的三星的市
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三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計2010年下半40納米將成為主流制程
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三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
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3月25日消息,據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動DRAM內(nèi)存芯片。
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三星電子開發(fā)新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù)

關(guān)于新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后,不到九個月又成功開發(fā)出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
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三星開始量產(chǎn)20nm LPDDR2 Mobile DRAM

南韓媒體朝鮮日報、聯(lián)合新聞通訊社(Yonhap News )日文版18日報導(dǎo),全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布,已領(lǐng)先全球于前(4)月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力(LP)DDR2 Mobile DRA
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市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。
2016-05-24 09:48:541191

三星、SK海力士及美光全力防堵DRAM技術(shù)流入大陸

全球DRAM三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸,讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板,也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員,遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040

DRAM內(nèi)存今年繼續(xù)缺貨、漲價:三星成主要推手

用戶,金士頓表態(tài)稱今年DRAM內(nèi)存還會面臨缺貨窘境,價格也會繼續(xù)上漲。據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。
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三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

三星全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己一家就占據(jù)了47.5%的份額,遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點

三星不僅是智能手機市場的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕,這大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對手,手機OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:021878

全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強

三星DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
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三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

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三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

三星DRAM市場表現(xiàn)十分強勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM產(chǎn)量
2017-12-27 11:22:381145

全球最小DRAM芯片:采用新工藝技術(shù),將在全球率先量產(chǎn)

韓國三星電子公司20日說,已經(jīng)研制出全球最小DRAM芯片,將在全球率先量產(chǎn)。
2018-07-02 12:50:001869

DRAM價格居高不下,發(fā)改委約談三星

,因而引來政府關(guān)注,將可能使今年第一季的 DRAM 價格受到抑制。而目前三星全球最大的存儲器芯片廠商,有近 48% 的全球率。
2018-07-02 18:31:00956

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102

三星或?qū)⒂肊UV設(shè)備進行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
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三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價位。
2018-10-09 10:46:394311

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
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三星將進行DRAM擴產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
2018-10-25 15:59:261447

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026

10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
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2019年三星與SK海力士的DRAM率將進一步成長

從企業(yè)別來看,三星電子的銷售額為437億4700萬美元,市率為43.9%,維持著壓倒性的領(lǐng)先地位;SK海力士也緊追在后,銷售額達(dá)294億900萬美元,市率為29.5%。若將兩家企業(yè)一并來看,在
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三星將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM

三星電子14日表示,將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
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三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存

據(jù)消息,作為先進存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,三星電子今(21)日宣布第代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory
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三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

三星電子 目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算

雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國,對業(yè)界投下震撼彈,但三星電子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算,還說日本出口限制令的沖擊難以估算,只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384645

DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

2019 Q4全球DRAM廠商三星環(huán)比下降 所占市場份額為43.5%

2 月 21 日訊,日前,TrendForce 研究部門 DRAMeXchange 公布了 2019 年第四季度全球 DRAM 廠商營收排行榜單,三星第一,SK 海力士位居第二,第是美光科技,后續(xù)名次依次為 Nanya(南亞科技)、Winbond(華邦)和 Powerchip(力晶科技)。
2020-02-24 15:34:251047

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

出貨100萬 三星業(yè)界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲器供應(yīng)商

韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511320

三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)后市,激勵DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價走揚。 三星預(yù)期,受惠5G需求
2021-02-01 12:43:001296

三星穩(wěn)坐DRAM市場頭名:利潤率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計算,其在全球 DRAM 市場中的份額在 7-9 月期間 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 個
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這一時期擴大領(lǐng)先優(yōu)勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星威脅龍頭Sony市場地位,將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 17:24:022901

三星將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

全球DRAM市場波動變化,預(yù)計2026年市場規(guī)模突破千億美元

2016-2019年,全球DRAM市場波動變化,2019年市場銷售額為620億美元,同比下降37%。其中,美國比39%,為全球排名第一DRAM銷售市場,中國比34%。全球DRAM市場由三星、SK海力士和美光大巨頭壟斷,2020年第季度市場份額分別為41.3%、28.2%和25%。
2021-01-06 15:44:404925

三星電子和SK海力士四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%

數(shù)據(jù)顯示,四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%,達(dá)176.5億美元。其中,三星電子市率為42.1%,銷售額環(huán)比增長3.1%至74.4億美元。SK海力士市場份額為29.5%,銷售額環(huán)比增長5.6%至52億美元。
2021-03-12 09:45:342045

全球DRAM大廠涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價格被起訴

據(jù)韓國媒體報導(dǎo),全球DRAM大廠韓國三星、SK海力士及美國美光(Micron)因涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價格,于當(dāng)?shù)貢r間5月3日遭美國律師事務(wù)所以損害消費者權(quán)益為由起訴。 NEWS1等韓媒報導(dǎo)稱
2021-05-19 18:00:372541

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

全球DRAM市場總份額被家廠商占去94%,其中有兩家屬于韓國

。 目前全球DRAM主要有6個供應(yīng)商,而排名前的供應(yīng)商占據(jù)了去年90%以上的DRAM市場份額。 去年占據(jù)DRAM市場份額最多的是韓國的三星,去年三星DRAM業(yè)務(wù)的銷售額約為419億美元,占據(jù)了總
2022-05-27 14:58:344241

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司將避免擴產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星DRAM產(chǎn)量將保持在60萬片,較目前水平進一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

三星電子DRAM市場份額創(chuàng)新低 仍是全球第一

今年上半年,三星電子的旗艦產(chǎn)品,如半導(dǎo)體、智能手機和電視等,在市場份額方面普遍遭遇下滑。特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心業(yè)務(wù)DRAM方面,盡管三星電子仍然占據(jù)全球第一的位置,但市場份額已經(jīng)達(dá)到了自9年來的最低點。
2023-08-18 17:14:572594

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價格上漲

三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時,管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%

近期,全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能,這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在,最新消息表明,DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲,漲幅預(yù)計達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實驗室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

全球DRAM產(chǎn)業(yè)量價雙升,大原廠獲益

三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營收達(dá)到79.5億美元,環(huán)比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:571207

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?
2024-05-09 18:46:35924

三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量

 根據(jù)行業(yè)預(yù)估,三星和SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應(yīng)對逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場環(huán)境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617

三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計,應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計,力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343

HBM重構(gòu)DRAM市場格局,2025年首季DRAM排名

增長42.5%至267.29億美元,環(huán)比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,在2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢,終結(jié)三星長達(dá)四十多年的市場統(tǒng)治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星DRAM上的差距就已經(jīng)開始
2025-05-06 15:50:231221

減產(chǎn)有成效,Q4三星NAND Flash要漲價10%,加速存儲市場反彈

對NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。 ? 在今年第一季度財報中,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬億韓元(約合249億元人民幣)后,三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾,表示將調(diào)整存儲芯片產(chǎn)量。經(jīng)過半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施,從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲大廠的動作來看,存
2023-10-08 09:01:373853

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