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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD

三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD

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產(chǎn)品報|三星裸眼3D筆記本電腦

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2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代

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空氣產(chǎn)品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
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三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318

空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073

3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進入市場之際加快發(fā)展步伐

無論是3D堆疊還是QLC的推出,這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?,國際廠商正在加快推進技術(shù)進步。3D NAND相對2D NAND來說,是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087

三星PM883 SSD固態(tài)硬盤:LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒,最先進的10nm級工藝制造

三星電子今天發(fā)布了一全新的SSD固態(tài)硬盤,型號“PM883”,最大特點是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場,采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格,主控方案未知(估計是三星自家的),閃存三星64層3D V-NAND顆粒,容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654

三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
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三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259

美光MX500系列SSD:64層3D TLC NAND閃存,性價比高

由于NAND閃存價格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存,把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點,具有極高的性價比和極強的市場競爭力,或許可以打破這一困境。
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三星搭載QLC閃存SSD宣布量產(chǎn),最高達到4TB的容量

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2018-08-07 17:00:031358

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

代V-NAND技術(shù),堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是,三星3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39780

東芝TR200SSD240G性能測試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說中的64層3D NAND的故事,延續(xù)了1年時間。這次巧合的機會體驗到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝64層 3D NAND SSD
2018-10-09 16:26:0011015

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 三星將于2019年試產(chǎn)QD-OLED

三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 在三星Tech Day會議上,三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù),SSD方面也更新了路線圖,未來的重點就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571

三星開始量產(chǎn)業(yè)界首消費級QLC SSD 單芯片容量1Tb

今年8月初,NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:521378

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:572304

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294

三星970EVO250GM.2NVMeSSD值不值得買

的發(fā)布以及 64 層堆棧 3D NAND 閃存技術(shù)的成熟,960 EVO M.2 NVMe SSD 也迎來了正式的繼任者,這次就為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星 970 EVO 250G M.2 NVMe SSD 的開箱評測。
2019-03-08 10:53:177904

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632

關(guān)于浮柵技術(shù)的介紹和分析以及應(yīng)用

三星NAND閃存市場最強大的廠商,在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先,他們最早在2013年就開始量產(chǎn)3D NAND閃存了。在3D NAND路線上,三星也研究過多種方案,最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)
2019-09-04 09:17:137175

長江存儲推出了全球基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長江存儲64層3D NAND閃存是全球基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788

三星QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲容量最大達4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481654

三星擴大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報道,三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458

三星960 Evo硬盤來襲,擁有全新架構(gòu)和高端性能

固態(tài)硬盤市場的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的,也是目前技術(shù)最強的,已經(jīng)發(fā)展了代V-NAND閃存,堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517

全球3D QLC NAND SSD升級新固件

兩年前,美光發(fā)布了全球采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號為5210 ION系列。今天,美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級,可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042

業(yè)內(nèi)128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點?

2020年4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星正在開發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進制造工藝

上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存
2020-04-20 09:29:47834

三星宣布硅驗證3D IC封裝技術(shù)可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業(yè)內(nèi)最先進工藝節(jié)點專門研發(fā)的硅驗證3D IC封裝技術(shù),eXtended-Cube,簡稱為X-cube,已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

,已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一,并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片,是目前行業(yè)內(nèi)單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?;蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586

三星為什么部署3D芯片封裝技術(shù)

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)
2020-09-20 12:09:163743

三星即將發(fā)布其名為“ISOCELL Vizion”的3D ToF傳感器

據(jù)麥姆斯咨詢報道,三星在2020年9月18日向歐盟知識產(chǎn)權(quán)局(EUIPO)提交了一份商標(biāo)申請文件,顯示該公司可能即將發(fā)布其名為“ISOCELL Vizion”的3D ToF傳感器。這款3D ToF傳感器或?qū)⒂糜诿髂陠柺赖男驴頖alaxy S21系列(或為S30系列)智能手機。
2020-09-26 10:37:462949

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存
2020-11-11 11:50:212924

美光科技宣布已批量出貨全球 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

三星將首發(fā)高通3D超聲波指紋識別技術(shù)

高通官方特確認,三星Galaxy S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)
2021-01-15 09:13:03961

三星NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205

三星SSD核心部件的技術(shù)自主化研發(fā)歷程

在上篇中,我們探討了三星NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ),推動了存儲介質(zhì)從HDD到SSD模式的轉(zhuǎn)變。 今天,我們就來了解一下,三星SSD核心部件的技術(shù)自主化研發(fā)歷程,以及三星SSD產(chǎn)品的迭代與創(chuàng)新。 憑借
2021-08-09 17:26:332894

三星的新挑戰(zhàn) 消費級SSD的普及

在上一次“從HDD(硬盤驅(qū)動器,Hard Disk Drive)到SSD(固態(tài)硬盤,Solid State Drive),存儲介質(zhì)的進階之路”中,我們探討了三星NAND 閃存(NAND?Flash
2021-08-16 17:07:474233

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

淺談400層以上堆疊的3D NAND技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示,計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星2025年后將首家進入3D DRAM內(nèi)存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND3D NAND閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預(yù)計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867

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