比特位的技術(shù)），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 以各原廠的技術(shù)進展來看，三星去年進度最快已成功量產(chǎn)3D NAND，去年底出貨占比已達35％，最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片，3D NAND的出貨比重將在本季達到45％。另外，三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3D NAND，韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產(chǎn)。
2017-03-02 10:40:251179 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機殼引起熱議，因為這款產(chǎn)品可以實現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說，這個手機殼就是超清晰3D顯示屏?。∠矚g玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達人怎能放過？！終于搜到這個寶貝，原來
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
優(yōu)勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 三星啟動量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設(shè)計。
2016-08-19 15:57:111041 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對于64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存真是愛的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031683 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:374328 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 據(jù)Digitimes報道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動，目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143966 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 3D NAND可以簡單理解為“蓋樓”，在占地面積固定的情況下， 樓層越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一個投產(chǎn)超100層的3D NAND。
2019-08-06 16:14:173451 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲技術(shù)也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 根據(jù)AnandTech的報道，三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 的應(yīng)用效能。 據(jù)了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu)，是目前全球技術(shù)最為先進的NAND節(jié)點，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:553696 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層
2020-11-14 10:01:202368 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 NAND應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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