在近日舉行的FMS 2024峰會上，SK海力士震撼發(fā)布了其存儲技術(shù)的最新成果，其中最為引人注目的便是尚未正式公布標準的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這一前瞻性的展示，不僅彰顯了海力士在存儲領(lǐng)域的深厚底蘊，也預(yù)示著智能手機及移動設(shè)備性能即將迎來新一輪的飛躍。

回顧當前，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會最新公布的UFS規(guī)范仍停留在UFS 4.0階段，該標準以其高達46.4Gbps的理論接口速度贏得了業(yè)界的廣泛贊譽。然而，SK海力士此次展出的UFS 4.1產(chǎn)品，預(yù)示著在數(shù)據(jù)傳輸速率上即將實現(xiàn)更為顯著的突破，為用戶帶來前所未有的流暢體驗。

海力士此次精心準備了兩款UFS 4.1通用閃存產(chǎn)品，分別擁有512GB和1TB的超大容量，它們均基于先進的321層堆疊V9 1Tb TLC NAND閃存技術(shù)打造。這一技術(shù)革新不僅提升了存儲容量，更在數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性上樹立了新的標桿。

此外，SK海力士還首次公開了其在NAND閃存領(lǐng)域的又一力作——3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC顆粒。這兩款產(chǎn)品不僅在容量上達到了業(yè)界領(lǐng)先水平，更在速度上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，為高端存儲市場注入了新的活力。

值得一提的是，海力士還展示了其創(chuàng)新的ZUFS（分區(qū)UFS，Zoned UFS）樣品。這些產(chǎn)品基于V7 512Gb TLC NAND技術(shù)，提供512GB和1TB兩種容量選擇，旨在通過優(yōu)化數(shù)據(jù)管理效率來滿足用戶對高效存儲解決方案的迫切需求。據(jù)悉，ZUFS 4.0產(chǎn)品預(yù)計將于今年第三季度正式進入量產(chǎn)階段，為市場帶來更加豐富的選擇。

隨著UFS 4.1通用閃存的逐步推進和量產(chǎn)，我們有理由相信，智能手機和移動設(shè)備的性能將得到前所未有的提升。SK海力士的這一系列創(chuàng)新舉措，無疑將為用戶帶來更加流暢、高效的使用體驗，推動整個存儲行業(yè)向更高層次邁進。