電子發(fā)燒友網綜合報道 近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經開始提供符合AEC-Q101標準的預生產產品系列樣品，包括高壓CoolGaN汽車晶體管和雙向開關。

英飛凌氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“我們的100V氮化鎵汽車晶體管解決方案以及即將擴展到高壓范圍的產品組合是開發(fā)汽車應用節(jié)能可靠功率晶體管的一個重要里程碑?！?br />
英飛凌這款 100V G1 系列晶體管采用增強型設計，典型導通電阻低至 3.3mΩ，封裝在 3x5mm 的 PQFN 緊湊結構中，可在 - 40°C 至 + 150°C 環(huán)境穩(wěn)定工作。其高頻特性能將開關損耗降低 70% 以上，在 48V/12V 混合架構的區(qū)域控制單元、主 DC-DC 轉換器中，可使磁性元件體積縮減 30% 以上。

在區(qū)域控制單元與主 DC-DC 轉換器場景，48V/12V 混合架構中GaN 的高頻特性可減小電感、電容體積，提升轉換效率。

同時這款100V GaN FET也能夠應用于 ADAS、激光雷達、線控轉向等系統的高效供電，以及車載音頻放大器等。英飛凌表示，隨著汽車平臺從傳統的12V架構過渡到先進的48V系統，特別是在軟件定義汽車中，氮化鎵技術發(fā)揮著關鍵作用。它不僅提高了系統效率和性能，還實現了線控轉向和實時底盤控制等創(chuàng)新功能，有助于提高駕駛舒適性和精確控性。

英飛凌同步推出預生產型高壓 CoolGaN 晶體管和雙向開關，為車載充電器（OBC）和牽引逆變器的高壓應用鋪路。其 650V G5 系列已應用于消費電子和數據中心，未來有望向汽車高壓領域延伸。

目前GaN在汽車領域的應用已經成為趨勢，英諾賽科已經推出了多款車規(guī)級GaN產品。包括40V 的 INN040FQ045A-Q 采用 3x4mm FCQFN 封裝，導通電阻 4.5mΩ，通過 16 項嚴苛可靠性測試，適配高頻 DC-DC 轉換器與電機驅動器；100V 的 INN100W135A-Q 則采用 2.13x1.63mm 超小封裝，開關速度較硅器件提升 13 倍，成為 L2+/L3 級自動駕駛激光雷達的核心器件。

Tier1廠商也在近幾年陸續(xù)推出基于GaN的OBC模塊產品，匯川聯合動力推出的6.6kW GaN 車載二合一電源，采用GaN功率器件，該產品采用了業(yè)內先進的PFC變頻調制技術、動態(tài)母線控制技術、雙有源變換器調制技術，實現了整機96%的滿載效率，功率密度達到4.8kW/L，整機重量降低20%；

聯合電子首發(fā)的超級氮化鎵車載充電機，以 “GaN+SiC” 組合實現 6.8kW/L 功率密度，磁件體積縮減 60%；浩思動力則將 GaN 芯片集成于增程器發(fā)電系統，使整體效率提升 2%，電控體積縮減 30%；陽光電動力推出的二合一OBC，采用GaN器件以及單級拓撲架構，實現6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率，整機重量可減輕25%以上。

英飛凌收購 GaN Systems 后，整合了電壓型和電流型驅動技術，形成覆蓋 40V 至 700V 的完整產品線。同時，在車規(guī)級產品上，英飛凌也得益于GaN Sysyems此前的積累，也終于正式入局車規(guī)級GaN FET產品。未來通過硅、SiC、GaN的技術組合，英飛凌將能夠在汽車領域提供從高壓到低壓的全鏈路產品組合。