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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>正威集團(tuán)計劃建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項目

正威集團(tuán)計劃建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項目

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2025-07-16 18:11:441052

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。 本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36

納微半導(dǎo)體攜手力積電,啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃

關(guān)系 ,正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計將使用位于臺灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548

與其他材料在集成電路中的比較

與其他半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的比較可從以下維度展開分析。
2025-06-28 09:09:091479

FinFET和SOI FinFET的差異

三維立體結(jié)構(gòu)成為行業(yè)主流。然而在FinFET陣營內(nèi)部,一場關(guān)于“地基材料”的技術(shù)路線競爭悄然展開——這便是Bulk Silicon(體) 與SOI(絕緣體上) 兩大技術(shù)的對決。這場對決不僅關(guān)乎性能極限的突破,更牽動著芯片成本與可靠性的微妙平衡,成為半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)演進(jìn)的關(guān)鍵戰(zhàn)場。
2025-06-25 16:49:281882

半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,300mm硅片三年貢獻(xiàn)14.2億元

。此次IPO,公司擬募資49.65億元,用于“集成電路用 300 毫米薄層外延片擴(kuò)產(chǎn)項目”“高端半導(dǎo)體材料研發(fā)項目”和“補充流動資金”。 三年營收達(dá)31億元,300mm硅片貢獻(xiàn)14.2億元 半導(dǎo)體硅片根據(jù)尺寸不同劃分為6英寸(直徑150mm)及以下、8 英寸(直徑200m
2025-06-16 09:09:486006

半導(dǎo)體新紀(jì)元:Aginode安捷諾綜合布線系統(tǒng)賦能潤鵬半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線,攜手共筑“芯”未來!

選手”,其背后的綜合布線系統(tǒng)以前所未有的“力量”支撐著現(xiàn)代科技的邊界拓展。截至2023年,全球12英寸(300mm)晶圓廠總數(shù)超過180座。其中,在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2025-06-05 20:40:45800

蘇州芯矽科技:半導(dǎo)體清洗機(jī)的堅實力量

的提升筑牢根基。 兼容性更是其一大亮點。無論芯片尺寸、材質(zhì)如何多樣,傳統(tǒng)還是新興化合物半導(dǎo)體,都能在這臺清洗機(jī)下重?zé)ü鉂?。還能按需定制改造,完美融入各類生產(chǎn)線,助力企業(yè)高效生產(chǎn)。 秉持綠色環(huán)保理念
2025-06-05 15:31:42

半導(dǎo)體表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過在表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗,更是美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問題體現(xiàn)在三個維度: 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長期依賴6英寸晶圓技術(shù),8英寸量產(chǎn)計劃因良率不足陷入僵局,而中國天科合達(dá)、爍科晶體等企業(yè)已實現(xiàn)8英寸襯底小批量出貨,良率突破。更致命的是,中國通過工
2025-05-21 09:49:401086

12英寸SiC,再添新玩家

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底;一個月后,爍
2025-05-21 00:51:007317

第一代半導(dǎo)體被淘汰了嗎

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中,“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的芯片,以為代表的第一代半導(dǎo)體材料,始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色,支撐著全球95%以上的電子設(shè)備
2025-05-14 17:38:40884

電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿足要求。本文不介紹駐極體材料,重點介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料。材料可以是P型摻雜的,也可以是P型摻雜的聚苯胺(有機(jī)半導(dǎo)體)。因為P型摻雜的半導(dǎo)體是通過空穴導(dǎo)電的,這種材料不產(chǎn)生
2025-05-10 22:32:27

廣州芯片獨角獸粵芯半導(dǎo)體啟動IPO輔導(dǎo),擁有廣東第一條12英寸芯片產(chǎn)線!

4月24日,證監(jiān)會披露了關(guān)于粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司(簡稱:粵芯半導(dǎo)體)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告,其上市輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為廣發(fā)證券。 資料顯示,粵芯半導(dǎo)體成立于2017年12月,注冊資本
2025-04-25 18:42:121197

半導(dǎo)體材料電磁特性測試方法

從鍺晶體管到 5G 芯片,半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214

半導(dǎo)體封裝材料革命:從桎梏到多元破局

=電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 黃山明)當(dāng)晶體管微縮逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新重心悄然從芯片內(nèi)部轉(zhuǎn)移至芯片外部。作為芯片性能的 “第二戰(zhàn)場”,封裝材料領(lǐng)域正經(jīng)歷一場從依賴材料到多元材料體系
2025-04-18 00:02:002858

12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,一些頭部的襯底廠商已經(jīng)開始批量出貨。 ? 而在去年11月,天岳先進(jìn)一鳴驚人,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸N型碳化
2025-04-16 00:24:002840

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

半導(dǎo)體材料發(fā)展:至超寬禁帶之變

半導(dǎo)體
jf_15747056發(fā)布于 2025-04-14 18:23:53

半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體,每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601

意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?;l(fā)展

新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前, 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413665

有機(jī)半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測試方案

有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料,1986年第一個聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來,有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來代替以部分為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品,利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢,市場前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551076

碳化硅VSIGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415534

中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona

在SEMICON China 2025展會期間,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191193

上揚軟件助力12英寸異構(gòu)堆疊芯片企業(yè)建設(shè)MES系統(tǒng)項目

近日,上揚軟件攜手國內(nèi)某12英寸異構(gòu)堆疊芯片企業(yè),正式啟動MES(制造執(zhí)行系統(tǒng))、EAP(設(shè)備自動化系統(tǒng))和RMS(配方管理系統(tǒng))系統(tǒng)的建設(shè)。該企業(yè)作為行業(yè)內(nèi)的重要參與者,專注于異構(gòu)堆疊芯片生產(chǎn)制造,年產(chǎn)能達(dá)30萬片,在異構(gòu)集成芯片領(lǐng)域占據(jù)重要地位,此次是上揚軟件在芯片智能制造領(lǐng)域的又一探索。
2025-03-26 17:01:351142

瞄準(zhǔn)1.6T光模塊,ST推新一代光技術(shù)

目前都處于產(chǎn)品轉(zhuǎn)化階段,計劃將在ST位于法國克羅爾 300 毫米晶圓廠投產(chǎn)。 ? 光技術(shù)是一種基于材料襯底(如SiGe/Si、SOI等)的光電集成技術(shù),通過互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造光子器件和光電器件,將光信號與電信號集成在同一芯片上
2025-03-22 00:02:002892

國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在2月27日,意法半導(dǎo)體(ST)和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個近年海外半導(dǎo)體巨頭在中國最大的投資項目,朝著正式量產(chǎn)邁向了一大步
2025-03-18 00:11:004754

半導(dǎo)體芯片集成電路工藝及可靠性概述

半導(dǎo)體芯片集成電路(IC)工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心,涉及從材料到復(fù)雜電路制造的多個精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述:1.晶圓制備材料:高純度單晶(純度達(dá)99.9999999%),通過直拉法
2025-03-14 07:20:001443

石墨烯成為新一代半導(dǎo)體的理想材料

【DT半導(dǎo)體】獲悉,隨著人工智能(AI)技術(shù)的進(jìn)步,對半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長,同時人們對降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍,替代傳統(tǒng)的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過渡金屬二硫化物(TMD
2025-03-08 10:53:061189

【博捷芯12雙軸全自動劃片機(jī)】半導(dǎo)體切割高效解決方案 | 精準(zhǔn)穩(wěn)定,產(chǎn)能翻倍

行業(yè)痛點:半導(dǎo)體切割效率與精度如何兼顧?隨著半導(dǎo)體、LED、集成電路行業(yè)對精細(xì)化加工需求的提升,傳統(tǒng)劃片機(jī)面臨精度不足、產(chǎn)能低下、人工依賴度高等問題。博捷芯12雙軸全自動劃片機(jī),專為高精度、高效率
2025-03-07 15:25:46765

我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機(jī)遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵(Ga?O?)作為第四代半導(dǎo)體材料的代表,具有超寬的禁帶寬度(約4.8eV),遠(yuǎn)
2025-03-07 11:43:222412

北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

8英寸12英寸晶圓產(chǎn)線,布局SiC與65nm特色工藝,產(chǎn)品涵蓋功率器件與顯示驅(qū)動芯片,2024年12英寸產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后將進(jìn)一步提升國產(chǎn)化產(chǎn)能。 7. 得瑞領(lǐng)新(DERA) 領(lǐng)域 :存儲控制器與SSD
2025-03-05 19:37:43

士蘭微電子8英寸碳化硅項目封頂

近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場,海滄臺商投資區(qū)管委會副主任眭國瑜,士蘭微電子董事會秘書、高級副總裁陳越,中建三局(福建)投資建設(shè)有限公司總經(jīng)理王召坤分別致辭。
2025-03-04 14:20:051179

納微半導(dǎo)體榮獲睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”

近日,睿電動汽車技術(shù)(寧波)有限公司(簡稱“睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達(dá)斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”)憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果,喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”。
2025-03-04 09:38:23969

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過程中,多晶被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511240

三安意法重慶8英寸碳化硅項目正式通線 將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)

后每周可以生產(chǎn)約1萬片車規(guī)級晶圓。 ? ? ? 安意法半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月,由三安光電(股權(quán)占比51%)與意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司(股權(quán)占比49%)共同出資設(shè)立,項目計劃總投資約230億元,將建成年產(chǎn)約48萬片的8英寸碳化硅晶圓
2025-02-27 18:45:104657

三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項目通線

三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計將在2025年四季度投產(chǎn),屆時將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590

ROHM推出8英寸熱敏打印頭KA2008-B07N70A

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出支持2節(jié)鋰離子電池驅(qū)動(VH=7.2V)的8英寸熱敏打印頭“KA2008-B07N70A”。
2025-02-26 15:46:401001

晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實現(xiàn)批量出貨

? 【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月21日,晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市場進(jìn)一步提升,并在功率半導(dǎo)體設(shè)備和先進(jìn)制程設(shè)備
2025-02-22 15:23:221830

第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340

鎵仁半導(dǎo)體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901

泛林集團(tuán)擬向印度投資12億美元

美國芯片設(shè)備制造商Lam Research(泛林集團(tuán))近日宣布,計劃在未來幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過1000億盧比(約12億美元)。此舉標(biāo)志著印度加強半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)計劃的又一重要進(jìn)展。
2025-02-13 15:57:07737

尋求68晶圓打包發(fā)貨紙箱廠家

大家元宵節(jié)快樂! 半導(dǎo)體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。 用于我司成品晶圓發(fā)貨,主要是68晶圓。 我司成立尚短,采購供應(yīng)商庫里沒有合適的廠家,因此來求助發(fā)燒友們。 我們的需求是: 瓦楞紙箱(質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36

開門紅!10億元半導(dǎo)體總部項目落戶西海岸

。項目將在新區(qū)選址建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)總部,研發(fā)制造晶圓級永久鍵合、臨時鍵合、解鍵合設(shè)備等產(chǎn)品,計劃結(jié)合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)需求和自身技術(shù)優(yōu)勢,發(fā)展成為國內(nèi)知名半導(dǎo)體裝備公司。 據(jù)悉,海創(chuàng)智能裝備(煙臺)有限公司成立于2017年,布局國際、國內(nèi)市場,
2025-02-11 14:42:59714

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計工程師常常會問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng) MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目啟動,預(yù)計今年一季度封頂

據(jù)廈門日報的最新報道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標(biāo)志著該項目正式進(jìn)入快速建設(shè)階段。預(yù)計在今年一季度,該項目將實現(xiàn)封頂。
2025-01-24 15:01:491544

意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries擱置合資晶圓廠項目

據(jù)外媒最新報道,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與GlobalFoundries已決定暫時擱置一項共同投資高達(dá)75億歐元的合資晶圓廠項目。該項目計劃在法國Crolles地區(qū)建設(shè)一座先進(jìn)的FDSOI晶圓廠。
2025-01-24 14:10:56876

25個半導(dǎo)體項目達(dá)成簽約、開工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展

? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測項目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項目、升陽半導(dǎo)體臺中港區(qū)再生晶圓新廠、南太湖新區(qū)
2025-01-24 11:23:023218

碳化硅與傳統(tǒng)材料的比較

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032590

意法半導(dǎo)體與格芯法國晶圓廠項目停滯

/6G、國防和航空航天等領(lǐng)域。2023年5月,格芯曾宣布?xì)W盟委員會已批準(zhǔn)根據(jù)《歐洲芯片法案》提供補貼,用于資助這家面向上述市場的12英寸晶圓廠。截至2023年6月,該項目的總成本估計已攀升至75億歐元,其中法國Bpifrance在“法國2030”倡議下提供了關(guān)
2025-01-15 15:13:10833

2025山東、江蘇重大半導(dǎo)體項目公布

來源:全球半導(dǎo)體觀察 近期,山東與江蘇兩地公布2025年重大項目名單。 山東公布2025年省重大項目名單,共包含項目600個,其中省重大實施類項目562個,省重大準(zhǔn)備類項目38個,涵蓋電子科技
2025-01-15 11:04:251721

封頂!奧松半導(dǎo)體重慶8英寸MEMS項目今年投產(chǎn)

1月8日,記者從西部(重慶)科學(xué)城獲悉,奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地一期項目FAB主廠房近日封頂,標(biāo)志著該項目建設(shè)取得階段性進(jìn)展。預(yù)計今年年中,該項目將建成投產(chǎn)。 據(jù)介紹,該項目
2025-01-09 18:25:031809

日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

1月8日消息,日本豐田合成株式會社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采用GaN
2025-01-09 18:18:221358

2025年半導(dǎo)體行業(yè)將啟動18個新晶圓廠項目

,其中包括3座200毫米晶圓廠和15座300毫米晶圓廠。這些新晶圓廠的建設(shè)不僅將提升全球半導(dǎo)體產(chǎn)能,還將進(jìn)一步推動半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。 從地區(qū)分布來看,美洲和日本在2025年的新晶圓廠建設(shè)項目中處于領(lǐng)先地位,各計劃建設(shè)4個項目。中國大陸和歐洲
2025-01-09 14:48:592599

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐順利通過客戶驗證

近日,晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長晶爐順利通過客戶驗證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新,引領(lǐng)未來 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長晶爐
2025-01-09 11:25:33890

2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢洞察

趨勢一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,以迅猛之勢改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體相比,SiC
2025-01-08 16:32:155035

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