采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
原子級潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過多維度技術(shù)協(xié)同，實(shí)現(xiàn)材料去除精度控制在埃米（?）量級，同時確保表面無殘留、無損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析：一、原子層級精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟基氣體（如CF?、C?F?）與硅基材料的特異性反應(yīng)，通過調(diào)節(jié)等離子體密度（>1012/cm3）和偏壓功率（
2026-01-04 11:39:38
39 
，隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向更小尺寸、更高密度發(fā)展，拉力測試的局限性日益凸顯，通過拉力測試的產(chǎn)品仍可能在后期使用中出現(xiàn)失效。那么今天科準(zhǔn)測控小編就來給您講解講解相關(guān)的知識點(diǎn)。
一、 拉力測試的物理局限
在球形
2025-12-31 09:09:40
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13448 
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊：電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，隨著電子設(shè)備向更高性能、更小尺寸和更輕重量的方向發(fā)展，封裝技術(shù)的重要性日益凸顯。金線球焊鍵合工藝，作為連
2025-12-07 20:58:27779 
BVceo ≥80V。薩科微半導(dǎo)體總部設(shè)在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動公司的發(fā)展，薩科微技術(shù)團(tuán)隊主要來自韓國延世大學(xué)和清華大學(xué)，掌握國際領(lǐng)先的碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝，及第五代超快恢復(fù)功率
2025-12-04 11:36:34
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢，已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 15:22:39873 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 引線鍵合技術(shù)是半導(dǎo)體封裝工藝中的一個重要環(huán)節(jié)，主要利用金、鋁、銅、錫等金屬導(dǎo)線建立引線與半導(dǎo)體內(nèi)部芯片之間的聯(lián)系。這種技
2025-12-02 15:20:264829 【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-01 17:51:062723 【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 電子加工行業(yè)新工藝落地難？線材顏色識別不準(zhǔn)、平行度檢測效率低，還受安裝空間限制？ TY（維視客戶代號，下文同）的選擇給出了最優(yōu)解 —— 維視智造線材顏色與平行度檢測解決方案，用精準(zhǔn)技術(shù) + 高性價比
2025-11-20 11:43:47108 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢
2025-11-11 13:31:171558 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 從事半導(dǎo)體行業(yè)的朋友都知道：隨著半導(dǎo)體工藝逼近物理極限，傳統(tǒng)制程微縮已經(jīng)無法滿足高帶寬、低延遲的需求。這時候，先進(jìn)封裝技
2025-11-10 13:41:173083 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負(fù)責(zé)將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481751 
近日，第六屆中國 MEMS 制造大會在萬眾期待中拉開帷幕，這場匯聚全球 350 + 行業(yè)先鋒的頂級盛會，以 “新工藝?強(qiáng)封裝?智感知” 為核心，全方位解碼 MEMS 產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新突破與未來航向。
2025-10-30 15:29:12918 工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，深刻塑造了當(dāng)今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。從早期的平面晶體管到鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），再到最新的全環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)，每一代新工藝節(jié)點(diǎn)都為顯著改善功耗、性能和芯片面積（PPA）創(chuàng)造了機(jī)會。
2025-10-24 16:28:391177 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133875 
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時的組裝技術(shù)和市場需求
2025-10-21 16:56:30862 
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級突破階段，各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開激烈競爭。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161415 堅實(shí)的質(zhì)量基礎(chǔ)。
二、全面檢測，護(hù)航產(chǎn)品品質(zhì)
從產(chǎn)品研發(fā)、來料檢驗(yàn)；從晶圓測試、封裝測試；再到成品出廠前的最終檢驗(yàn)測試，BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)可貫穿應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的全流程。不僅
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22499 
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03980 
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度調(diào)整與技術(shù)革新的關(guān)鍵時期，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策支持與市場需求的雙重驅(qū)動下，加速向自主可控方向邁進(jìn)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈后道核心環(huán)節(jié)的封裝測試領(lǐng)域，其技術(shù)水平直接影響芯片
2025-09-11 11:06:01758 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓上被切割下來，經(jīng)過處理和封裝，最終成為可以安裝在各種電子設(shè)備中的組件。
2025-08-25 11:23:212264 
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2025-08-22 17:11:34
半導(dǎo)體封裝過程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
? ? 近日，深圳銳盟半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“銳盟半導(dǎo)體”）官宣完成數(shù)千萬元的pre-A+輪融資，由達(dá)資本、合創(chuàng)資本投資，躍為資本擔(dān)任獨(dú)家財務(wù)顧問。 ? ? 這是銳盟半導(dǎo)體一年內(nèi)斬獲的第三筆融資
2025-08-07 18:19:202655 
晶圓切割，作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán)，不僅決定了芯片的物理形態(tài)，更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求，而新興的激光切割技術(shù)以其卓越的精度和效率，為
2025-08-05 17:53:44765 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
半導(dǎo)體傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝的分類及特點(diǎn)
2025-07-30 11:50:181057 
膠系統(tǒng)的技術(shù)革新為切入點(diǎn)，重塑了半導(dǎo)體封裝的工藝范式與產(chǎn)業(yè)邏輯。 ? 這種基于高精度流體控制的創(chuàng)新方案，不僅突破了傳統(tǒng)封裝在良率、效率與可靠性層面的技術(shù)瓶頸，更通過面板級制造的規(guī)模效應(yīng)，推動半導(dǎo)體封裝向高集成、低成本、低功耗的方向深度變革，其影響已延伸至產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的技術(shù)路徑與市場格局。
2025-07-20 00:04:003659 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19581 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
在半導(dǎo)體制造的封裝測試環(huán)節(jié)，溫度控制的精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的可靠性、性能及成品率。半導(dǎo)體深冷機(jī)（Chiller）作為核心溫控設(shè)備，通過高精度、多場景的溫控能力，為封裝測試工藝提供了關(guān)鍵保障。一
2025-07-09 16:12:29550 
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342015 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，后道工藝（封裝與測試環(huán)節(jié)）對溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求高。冠亞恒溫半導(dǎo)體冷水機(jī)憑借其高精度溫控、多通道同步控制及定制化設(shè)計能力，成為保障后道工藝可靠性的核心設(shè)備。本文從技術(shù)
2025-07-08 14:41:51624 
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計時間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過創(chuàng)新設(shè)計與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831 
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設(shè)計人員進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38859 。在全球半導(dǎo)體競爭加劇的浪潮中，芯矽科技使命在肩。一方面持續(xù)加大研發(fā)投入，探索新技術(shù)、新工藝，提升設(shè)備性能，向國際先進(jìn)水平看齊；另一方面，積極攜手上下游企業(yè)，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)，共破技術(shù)瓶頸，推動
2025-06-05 15:31:42
隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
以下是半導(dǎo)體工藝行業(yè)中常見的“黑話”（行業(yè)術(shù)語）匯總，涵蓋晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料等環(huán)節(jié)，幫助快速理解行業(yè)交流中的專業(yè)術(shù)語：
2025-06-03 11:26:408178 
漢思膠水在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場價值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計，為
2025-05-23 10:46:58851 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011418 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 一、什么是電鍍：揭秘電鍍機(jī)理 電鍍（Electroplating，又稱電沉積 Electrodeposition）是半導(dǎo)體制造中的核心工藝之一。該技術(shù)基于電化學(xué)原理，通過電解過程將電鍍液中的金屬離子
2025-05-13 13:29:562529 
在半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮與智能制造的共振下，蘭寶傳感PDE系列激光位移傳感器不僅填補(bǔ)了國內(nèi)高端工業(yè)傳感器的技術(shù)空白，更以卓越性能重新定義行業(yè)標(biāo)桿。無論是提升良率、降低成本，還是加速新工藝研發(fā)，PDE系列都將成為您征戰(zhàn)半導(dǎo)體精密制造的“終極武器”。
2025-05-12 10:29:25878 
激光錫焊作為現(xiàn)代精密焊接領(lǐng)域的革新工藝，憑借其非接觸式能量輸出的技術(shù)特性，在3C電子、汽車電子等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。
2025-05-09 16:19:311484 
半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測試和包裝出庫，涵蓋了前段（FOL）、中段（EOL）、電鍍（plating）、后段（EOL）以及終測（final test）等多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-05-08 15:15:064324 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)
2025-04-28 17:22:334239 ，為多個行業(yè)帶來了全新的發(fā)展契機(jī)。 半導(dǎo)體封裝：技術(shù)基石與性能保障 半導(dǎo)體封裝是將芯片在框架或基板上布局、固定及連接，并引出接線端子，通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。它不僅是芯片的保護(hù)殼，更是芯片與外部電路溝通
2025-04-23 16:33:19699 半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購及操作注意事項的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481232 
裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙重功能，需在確保芯片定位精度的同時，為后續(xù)鍵合、塑封等工藝創(chuàng)造條件。
2025-04-18 11:25:573086 
隨著集成電路的發(fā)展, 先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和新材料的要求和挑戰(zhàn)。
2025-04-16 15:43:19673 封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級集成演進(jìn)，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過特定工藝封裝于保護(hù)性外殼中的技術(shù)，主要功能包括： 物理保護(hù)
2025-04-16 14:33:342235 資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk?？赐晗嘈拍銓φ麄€芯片制造流程會非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?SMPS的進(jìn)展一直以來，離線式SMPS產(chǎn)業(yè)由功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的功率元件發(fā)展所推動。作為主要的功率開關(guān)器件IGBT、功率MOSFET和功率二極管正不斷
2025-03-25 13:43:17
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度不斷提高，功能日益復(fù)雜，這對半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性和成本。本文將深入分析半導(dǎo)體貼裝工藝及其相關(guān)設(shè)備，探討其發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)。
2025-03-13 13:45:001587 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)工藝在電子產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。封裝工藝不僅保護(hù)著脆弱的半導(dǎo)體芯片，還確保了芯片與外界電路的有效連接。在半導(dǎo)體封裝過程中，各種氣體被廣泛應(yīng)用于不同的工序
2025-03-11 11:12:002219 
芯片簡介
SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動器（高邊+ 低邊）集成到 3mm*3mm 8-pins DFN 的封裝中。
與分立元件解決方案相比，SS6208 集成解決 方案大大減少了分立
2025-03-07 09:27:56
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042119 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路的封裝工藝也在不斷創(chuàng)新與進(jìn)步。其中，倒裝芯片（FlipChip，簡稱FC）封裝工藝作為一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)的主流選擇。本文將詳細(xì)介紹倒裝
2025-02-22 11:01:571339 
半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412566 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
在半導(dǎo)體行業(yè)中，封裝技術(shù)對于功率芯片的性能發(fā)揮起著至關(guān)重要的作用。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是在大功率場合下，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足日益增長的性能需求。因此，Cu Clip封裝技術(shù)作為一種新興
2025-02-19 11:32:474753 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片粘接工藝作為微電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片與外部電路的穩(wěn)定連接、提升封裝產(chǎn)品的可靠性和性能具有至關(guān)重要的作用。芯片粘接工藝涉及多種技術(shù)和材料，其工藝參數(shù)的精確控制對于保證粘接質(zhì)量至關(guān)重要。本文將對芯片粘接工藝及其關(guān)鍵工藝參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2025-02-17 11:02:072171 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實(shí)現(xiàn)電信號的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及未來的發(fā)展趨勢。
2025-02-10 11:35:451464 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過程中的一個重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項技術(shù)都承載著推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢和應(yīng)用場景。
2025-01-20 11:44:444405 
Hello,大家好，今天我們來分享下什么是芯片封裝中的FOPLP工藝， 受益于消費(fèi)電子、5G、汽車電子、IoT 等需求拉動，全球半導(dǎo)體材料市場行業(yè)規(guī)模整體呈上升趨勢，半導(dǎo)體封裝的重要性進(jìn)一步提高
2025-01-20 11:02:302694 
，固晶工藝及其配套設(shè)備構(gòu)成了不可或缺的一環(huán)，對最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性以及使用壽命均產(chǎn)生著直接且關(guān)鍵的影響。本文旨在深入剖析半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、未來的發(fā)展趨勢，以及它們在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占據(jù)的重要地位。
2025-01-15 16:23:502496 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，從智能手機(jī)、計算機(jī)到各類智能設(shè)備，半導(dǎo)體芯片作為其核心部件，其性能和可靠性至關(guān)重要。而在半導(dǎo)體芯片的制造過程中，固晶工藝及設(shè)備作為關(guān)鍵
2025-01-14 10:59:133015 
在半導(dǎo)體加工制造工藝中，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)一直發(fā)揮著不可或缺的作用，有其不容忽視的積極意義。作為半導(dǎo)體制造過程中極其重要的輔助加工設(shè)備，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)在多個環(huán)節(jié)都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保了
2025-01-08 10:58:11727 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域。本文介紹了ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模的起源、優(yōu)勢、實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用場景。 ? 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料
2025-01-06 13:41:211793 
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