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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>Wolfspeed碳化硅(SiC)制造工廠正式開(kāi)業(yè)

Wolfspeed碳化硅(SiC)制造工廠正式開(kāi)業(yè)

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此次合作助力禾望電氣推出風(fēng)電行業(yè)首個(gè)全碳化硅功率柜 創(chuàng)新型碳化硅功率解決方案的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司今日宣布與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司(禾望電氣
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半導(dǎo)體“碳化硅SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)”詳解

近年來(lái),基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用,受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開(kāi)關(guān)速度,與硅IGBT相比,導(dǎo)通損耗
2025-11-05 08:22:008365

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2025-10-18 21:22:45403

探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
2025-10-02 17:25:001519

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級(jí)解決方案

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[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
2025-09-22 09:53:361555

Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái),它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái),Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中,我們
2025-09-22 09:31:47654

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

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2025-09-21 20:41:13419

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求,高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的溫度特性和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面的系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求,包括需要具備多供應(yīng)商兼容的封裝,能夠滿足嚴(yán)格的功率密度限制、且可以應(yīng)對(duì)散熱設(shè)計(jì)受限的問(wèn)題。
2025-09-17 15:57:25653

Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開(kāi)啟大規(guī)模商用

全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開(kāi)啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
2025-09-11 09:12:541414

碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-09-03 17:56:411428

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:431260

碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來(lái),第三代半導(dǎo)體材料碳化硅SiC,SiliconCarbide)憑借其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能
2025-08-25 14:10:301466

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19960

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28492

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

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2025-06-19 16:57:201228

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
2025-06-19 16:43:27782

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241467

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

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2025-06-09 17:22:53859

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體憑借其卓越的物理特性,正逐步取代
2025-06-09 07:07:17728

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471096

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與市場(chǎng)開(kāi)拓 ,但很快意識(shí)到IDM(集成設(shè)計(jì)制造)模式對(duì)碳化硅領(lǐng)域的重要性。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)布
2025-06-07 06:17:30911

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為碳化硅SiC)領(lǐng)域的先驅(qū),Wolfspeed
2025-05-21 09:49:401086

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-05-10 13:38:19860

破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的勞動(dòng)者
2025-05-06 10:42:25490

34mm碳化硅SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

34mm碳化硅SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

基本半導(dǎo)體碳化硅SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

碳化硅SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20759

SiC碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

SiC碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-04-30 14:30:531035

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56870

麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅SiC)項(xiàng)目問(wèn)題

作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師,我的日??偫@不開(kāi)碳化硅SiC)器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí),屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形,讓我誤以為
2025-04-15 14:14:16

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化硅逆變焊機(jī)新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象
2025-04-14 07:02:35650

除了安森美CREE等還有哪些在美國(guó)境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

根據(jù)搜索結(jié)果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國(guó)境內(nèi)涉及碳化硅SiC)器件流片或代工合作,X-FAB作為美國(guó)境內(nèi)的SiC工廠,其
2025-04-14 05:58:12946

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-04-09 18:02:041275

麥科信光隔離探頭在碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中國(guó)在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)中
2025-03-31 18:03:08982

碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢(shì),并提供在實(shí)際應(yīng)用中的設(shè)計(jì)選型指南。
2025-03-19 16:59:401045

碳化硅SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

碳化硅SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481580

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09897

中國(guó)制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國(guó)產(chǎn)化

的國(guó)際地位,還為新能源革命和可持續(xù)發(fā)展提供了關(guān)鍵支撐。 碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的重要成果之一,其發(fā)展不僅體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)核心技術(shù)的自主可控目標(biāo),還推動(dòng)了高端制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)。主要得益于 政策
2025-03-09 09:21:062007

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日,博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度,增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:291113

碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì),封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過(guò)程中,銀燒結(jié)
2025-03-05 10:53:392553

CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):? 一、從壟斷到突破:中國(guó)碳化硅材料的逆襲之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:051295

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解

碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過(guò)技術(shù)整合與設(shè)計(jì)創(chuàng)新,完美適配SiC器件的需求,成為推動(dòng)硅基向碳化硅升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)方案。
2025-03-01 10:16:091311

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來(lái),碳化硅SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國(guó)內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

碳化硅SiC)在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性,成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)展與技術(shù)突破:一、材料優(yōu)勢(shì)1.輕量化與高剛度
2025-02-22 14:40:372197

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24914

BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-10 09:41:151009

高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法

亟待解決的問(wèn)題。金屬殘留不僅會(huì)影響SiC晶片的電學(xué)性能和可靠性,還可能對(duì)后續(xù)的器件制造和封裝過(guò)程造成不利影響。因此,開(kāi)發(fā)高效的碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法,對(duì)于提高
2025-02-06 14:14:59395

碳化硅SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯

碳化硅SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對(duì)碾壓
2025-02-05 14:43:171298

光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對(duì)比

在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計(jì)中,IGBT、碳化硅SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
2025-02-05 14:41:381157

碳化硅SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

碳化硅SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅襯底的生產(chǎn)過(guò)程

碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001980

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)

碳化硅SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342728

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅SiC)是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導(dǎo)體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132593

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。本文為白皮書第三篇,將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。
2025-01-09 10:31:47916

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。
2025-01-07 10:18:48917

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過(guò)程中,碳化硅片的減薄是一個(gè)重要環(huán)節(jié),它可以提高
2025-01-06 14:51:09392

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