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“80后”白發(fā)干部被質疑年齡

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netstat命令怎么看監(jiān)控?

要使用netstat命令查看網絡連接狀態(tài)并判斷是否監(jiān)控,可以參考以下步驟和命令: 1、查看所有監(jiān)聽端口 使用以下命令查看系統(tǒng)上所有監(jiān)聽的端口及其對應的進程: sudo netstat -tulpn
2025-04-16 20:36:521776

校準,記憶示波器顯示頻率和幅度是否準確?

導致幅度測量誤差(如 10% 偏差)。校準未重新檢查探頭補償。 溫度漂移電子元件溫度系數(shù)導致校準參數(shù)隨溫度變化。校準環(huán)境溫度變化 > ±5°C。 負載效應探頭輸入阻抗與測電路不
2025-04-16 14:56:57

軸承損壞導軌還能用嗎?

軸承損壞導軌還能用嗎?
2025-04-03 17:52:35617

LM-80測試:評估LED燈具的壽命與性能

提供了科學且統(tǒng)一的方法,行業(yè)內公認為“黃金標準”。對于LED制造商而言,LM80測試是產品性能的重要證明,也是申請能效認證(如能源之星、中國能效標識)的關鍵環(huán)節(jié)
2025-03-27 10:26:011492

MSP430對LTC6115進行ADC采集,LTC6115信號電壓下拉怎么解決?

通當前通道,信號電壓即刻下拉下來,且在不同電壓輸入信號情況下的下拉幅度不一致,如圖2圖3。 下圖藍色為經過OPA2333的信號,可以看到與ADG708輸出信號相比剛好為其二分之一。 下圖為相關
2025-03-25 06:58:32

如何確定HSADC DMA的80MHZ采集速率是否正確?

現(xiàn)在我使用 LPC4370 微控制器的 HSADC DMA 模塊來采集樣本,但無法確定是否已達到所需的 80MHZ 采集速率。有什么方法可以測試它嗎?我想用 IO 口輸出高低電平確認:DMA 開啟時上拉,DMA 中斷時下拉,通過測量高電平時間確認速率是否達到 80MHZ。這種方法可靠嗎?
2025-03-17 06:32:07

HPM6E80芯片異常

的電壓為3.3V,出現(xiàn)這種現(xiàn)象是不是芯片燒掉了,我這邊打樣了3塊電路板,都出現(xiàn)這個問題。我看HPM6E80數(shù)據(jù)手冊,只要給 DCDC_IN、VPMC、VIO_Bxx供3.3V,VDD_SOC供1.2V
2025-03-13 17:52:45

FIBBR菲伯爾鍍銀DP80電競線 | 次世代顯卡的理想伙伴

顯得尤為重要。菲伯爾FIBBR鍍銀DP80電競線,正是為追求高水準游戲體驗的玩家所設計的一款優(yōu)選產品。為何50系顯卡用戶傾向于選擇鍍銀DP80電競線?DP2.1接
2025-02-28 15:22:37803

dcdc帶載電壓拉低怎么解決?

輸入12V,使用ME3116轉5V,之后用ME6211轉3v3,只焊接降壓電路沒有問題,再焊上stm32f103c8t6 dcdc輸出電壓拉低至2.1V,ME3116反饋電壓為8V,如圖為pcb設計,求大佬解答
2025-02-27 06:00:54

DS28E80 1-Wire存儲器技術手冊

DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術。DS28E80有248字節(jié)的用戶內存,這些內存以8字節(jié)為單位進行組織。單個塊可以
2025-02-26 11:43:101138

摩智能5篇論文入選國際頂會

2025年伊始,摩智能在三大國際頂會(AAAI、ICLR、DAC)中斬獲佳績,共有5篇論文收錄,覆蓋大語言模型(LLM)推理優(yōu)化、模型量化、硬件加速等前沿方向。
2025-02-19 14:02:151311

PSMN2R3-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-18 15:43:140

熱RC網絡(福斯特)型號PSMN2R8-80SSF

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2025-02-18 15:35:150

使用一片DLP3010的時候,出現(xiàn)工作一段時間擊穿的現(xiàn)象,怎么解決?

我司在使用一片DLP3010的時候,出現(xiàn)工作一段時間擊穿的現(xiàn)象,取下來進行檢查發(fā)現(xiàn)VRST管腳對地電阻僅有5歐姆,外觀無任何異常。我們想確定問題的原因,ESD/熱/電擊穿,結果在OM顯微鏡下出現(xiàn)了下面的圖像,猜測可能是問題點。 請問針對可能的原因或者下一步的排查方向,是否有什么建議呢?
2025-02-18 06:38:24

PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:17:400

ADS1232高速測量時出現(xiàn)20分鐘的長周期波動,是什么原因呢?

時(10次/秒),波動已經可以做到10個字以內,但是高速(80次/秒)時測值波動較大,采用4個周期的移動平均濾波,穩(wěn)定性增強,但是數(shù)據(jù)出現(xiàn)20分鐘的長周期波動,波動幅度在800個字,形狀類似鋸齒波,請問是什么原因呢?
2025-02-14 07:11:31

PSMN1R1-80CSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 17:18:540

PSMNR90-80CSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 17:17:500

SOD80C玻璃、全密封玻璃表面貼裝封裝規(guī)格書

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2025-02-13 15:39:251

PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 15:37:380

allegro 通孔層拆開成任意接的鐳射孔

allegro 輸出通孔層拆開成任意接的鐳射孔是什么原因?
2025-02-12 14:59:09

PSMNR90-80ASE MOSFET規(guī)格書

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2025-02-12 14:51:530

PSMNR90-80ASF規(guī)格書

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2025-02-12 14:50:190

突破傳統(tǒng)!GCOM80-2NET的創(chuàng)新性邊緣計算方式

GCOM80-2NET邊緣計算網關,突破傳統(tǒng)Modbus協(xié)議僅能進行數(shù)據(jù)讀采的限制,直接在設備終端進行復雜的數(shù)據(jù)點運算,減少冗余數(shù)據(jù)傳輸,釋放軟件人員針對不同Modbus設備協(xié)議解析的時間
2025-02-10 16:43:39712

PSMN2R5-80SSE MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 16:39:470

PSMN3R3-80YSF SPICE熱模型

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2025-02-09 15:32:120

PSMN2R8-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-08 16:56:450

OpenAI o3-mini模型思維鏈遭質疑

質疑。 有網友在體驗表示,o3-mini的思維鏈文本似乎并非完全由大模型原生生成,而是經過了某種形式的“總結”或“編寫”。這一觀點迅速在網絡上引發(fā)了熱議,不少用戶對OpenAI的公開內容產生了疑慮。 針對這一質疑,OpenAI的CEO奧特曼迅速作出了
2025-02-08 10:57:24956

Wi-Fi FEM,康希和三伍微誰會是未來第一

我們碰上了國產芯片創(chuàng)業(yè)大潮,但因為不被看好一直質疑,行業(yè)質疑,投資人質疑客戶質疑,甚至供應鏈質疑。相反,看好的芯片創(chuàng)業(yè)公司一路綠燈,資本不斷加持,人才紛紛涌入,供應鏈愿意支持,客戶愿意測試導入。同樣做Wi-Fi FE
2025-02-08 10:35:11832

ADS1118如何計算測電壓值?

超過+0.256V時的ADC測量值最大為0x3FFF,對應計算測電壓值=0.256/16383*ADC值。 請問MUX[2:0]=000,-> AINP is AIN0
2025-01-24 08:23:03

ads7845寫入0x90在讀數(shù)據(jù)一直是0x80,這是怎么回事?

對ads7845寫入0x90在讀數(shù)據(jù)一直是0x80。這是怎么回事?
2025-01-23 06:55:42

指針釋放就變成了空指針嗎

指針釋放,是不是就變成了空指針?有好多同學提出了這樣的問題。 借用《C專家編程》上面的一段代碼,可以很好的解釋這個問題。 ? ? #include int main(){ char *s
2025-01-22 09:23:21702

想要在ADS12864液晶上顯示出測波形,AD采樣需要DA嗎?

想要在12864 液晶上顯示出測波形,AD 采樣需要DA 么,求個解決方法?
2025-01-17 07:54:39

AI80C51U倒計時

AI80C51U倒計時
2025-01-10 11:41:06854

為什么80%的芯片采用硅晶圓制造

? 本文詳細介紹了硅作為半導體材料具有多方面的優(yōu)勢,包括良好的半導體特性、高質量的晶體結構、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得硅成為制造芯片的首選材料。 我們今天看到80%以上
2025-01-06 10:40:402391

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