DRAM產(chǎn)品的長期市場空白。在2025年存儲市場受到AI需求推動(dòng)而火爆之時(shí)，長鑫的IPO節(jié)點(diǎn)令其更加受到市場關(guān)注。 ? 從這份招股書來看，長鑫在營收上保持驚人的增速，隨著產(chǎn)能的逐漸釋放，虧損也逐年收窄，即將邁入扭虧為盈的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。 ? 25年前三季度營收超
2026-01-01 04:09:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）受益于AI浪潮帶動(dòng)存儲行業(yè)的需求激增，疊加大廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM縮減DRAM產(chǎn)能引發(fā)的供應(yīng)短缺等狀況，近日，無論是HBM大廠還是利基存儲、存儲模組等廠商陸續(xù)又開始漲價(jià)或是暫停
2025-10-10 08:28:008993 
正3D DRAM等定制化存儲方案正是基于利基存儲和先進(jìn)封裝，以近存計(jì)算的方式滿足AI推理的存儲需求。SoC廠商、下游終端廠商都在積極適配這一類新型存儲。 ? 華邦電子CUBE ? 華邦電子推出
2025-09-08 06:05:0011620 
AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價(jià)比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上的微型人工智能相機(jī)中使用的理想存儲器。
2026-01-05 14:29:3727 吉時(shí)利2420大電流型數(shù)字源表-2420吉時(shí)利2420大電流型數(shù)字源表-2420吉時(shí)利 2420 是2400 系列的大電流型數(shù)字源表（SMU），主打60W 功率、3A 大電流場景，兼顧高壓與大電流
2026-01-04 18:03:52
。 （一）超級漲價(jià)周期來襲，成本壓力陡增 DRAM價(jià)格創(chuàng)紀(jì)錄暴漲 ：根據(jù)Tom's Hardware數(shù)據(jù)，2025年DRAM合同價(jià)同比上漲171.8%，漲幅遠(yuǎn)超黃金等傳統(tǒng)避險(xiǎn)資產(chǎn)，創(chuàng)下歷史最高紀(jì)錄。作為IT硬件的核心組件，DRAM的價(jià)格飆升直接推高了各類計(jì)算設(shè)備的采購成本。 服務(wù)器
2025-12-31 13:05:3272 2025年，全球存儲市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。DRAM合同價(jià)同比上漲__171.8% ，創(chuàng)下歷史新高；服務(wù)器整機(jī)采購成本因供應(yīng)鏈與關(guān)稅壓力攀升__15%-20% 。這一輪由AI算力需求驅(qū)動(dòng)
2025-12-31 13:04:3662 當(dāng) DRAM 合同價(jià)同比飆升 171.8%，主流品牌服務(wù)器整機(jī)采購成本上漲 15%-20%，疊加 NAND Flash 價(jià)格累計(jì)暴漲 246% 的行業(yè)沖擊，企業(yè) IT 預(yù)算正遭遇前所未有的擠壓。華為
2025-12-31 13:00:0958 2025 年下半年以來，全球 DRAM 內(nèi)存價(jià)格大幅上漲，部分型號售價(jià)一度達(dá)到往常的兩倍以上。業(yè)內(nèi)分析普遍認(rèn)為，這場漲價(jià)潮主要由 AI 算力需求的爆炸式增長與供應(yīng)鏈調(diào)整共同推動(dòng)，且這一趨勢預(yù)計(jì)將持續(xù)
2025-12-29 15:24:03715 
AI的飛速發(fā)展，正成為驅(qū)動(dòng)全球存儲市場增長的核心動(dòng)力，市場對DRAM、NAND到SSD/ HDD的存儲全棧需求持續(xù)激增。
2025-12-29 10:45:43536 
DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個(gè) DRAM 單元組成，每個(gè)單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02637 
手機(jī)磁屏片 18*18mm 手機(jī)皮套專用防休眠片隔磁片智能休眠：各種中高端手機(jī)的普及化促使配備使用智能皮套的用戶越來越多。本人最近也入手了一個(gè)手機(jī)皮套，主要是為了防止碎屏（大屏手機(jī)的短處）。現(xiàn)在
2025-12-23 15:56:43
的主要產(chǎn)品是高速和低功耗 SRAM 以及低密度和中密度 DRAM、NOR/NAND 閃存和 eMMC 產(chǎn)品。我們以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)這些關(guān)鍵市場，并尋求
2025-12-21 11:21:28
(IEDM)上得到展示，并有望應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括人工智能服務(wù)器和物聯(lián)網(wǎng)組件。 ? 在AI時(shí)代，市場對容量更大、功耗更低的DRAM 需求日益增長。傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)正逐漸觸及內(nèi)存容量的物理極限，這促使研究人員尋求提供額外容量。傳統(tǒng)上將單晶硅用作晶體管通道材料的做法
2025-12-19 09:36:061903 
10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(IEDM)上亮相，有望降低AI服務(wù)器和物聯(lián)網(wǎng)組件等眾多應(yīng)用場景的功耗。 在AI時(shí)代，市場對于具備更大容量、更低功耗、可處理海量數(shù)據(jù)的DRAM的需求持續(xù)攀升。傳統(tǒng)DRAM技術(shù)在存儲單元尺寸微縮方面已逼近物理極限，業(yè)界因此開始研究
2025-12-16 16:40:501025 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）今年，隨著大模型、生成式AI和云計(jì)算的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對高性能計(jì)算資源的需求急劇上升，直接推動(dòng)了DRAM與NAND Flash市場的結(jié)構(gòu)性變化。在這一背景下，存儲行業(yè)
2025-12-04 10:47:465724 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46866 解決方案，在高帶寬與低功耗之間取得了良好平衡，并推出全系列符合RoHS指令的綠色DRAM產(chǎn)品，滿足新興市場需求。
2025-12-01 13:42:00253 當(dāng)前，智能傳感正邁入“跨界融合、全域創(chuàng)新”的新紀(jì)元。行業(yè)加速向技術(shù)集成化、場景定制化、功能智能化與多模態(tài)融合方向演進(jìn)，在智慧醫(yī)療、智慧交通、人機(jī)交互等關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用需求持續(xù)攀升。尤為引人注目
2025-11-28 11:36:16443 隨著工業(yè)用電量攀升、數(shù)據(jù)中心規(guī)模擴(kuò)張以及電動(dòng)汽車需求激增，社會對電力的依賴程度與日俱增。
2025-11-26 16:08:44533 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，11月24日，兆易創(chuàng)新高管在2025年第三季度業(yè)績說明會上表示，公司利基型DRAM產(chǎn)品量價(jià)齊升，公司今年新量產(chǎn)的DDR4 8Gb較快搶占份額，進(jìn)入第三季度銷量已經(jīng)與DDR4
2025-11-26 11:58:365359 現(xiàn)在“有錢也買不到存儲芯片”，當(dāng)前全球存儲芯片正遭遇嚴(yán)峻的供需失衡——AI、云端數(shù)據(jù)中心與高速運(yùn)算（HPC）需求爆發(fā)式增長，疊加原廠產(chǎn)能調(diào)整（部分NANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)至毛利更高的DRAM）、新增
2025-11-26 11:34:321486 
DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計(jì)，提高了存儲密度，但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00477 PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 近期內(nèi)存市場的漲勢令人震驚。行業(yè)分析報(bào)告顯示，2025年第三季度DRAM合約價(jià)格同比上漲高達(dá)171.8%，這一數(shù)字甚至超過了同期黃金的漲幅。有業(yè)內(nèi)觀察人士指出，2025年第四季度將標(biāo)志著 “DRAM牛市” 的真正開始。市場普遍預(yù)期，2026年可能會出現(xiàn)更嚴(yán)重的DRAM供應(yīng)短缺。
2025-11-06 16:46:112705 
問題介紹
1.利用本地存儲
參考 CPU 的多級存儲，在片內(nèi)增加多級存儲，類似于 Cache ，利用片上 Memory 存儲部分?jǐn)?shù)據(jù)，做到數(shù)據(jù)復(fù)用，減少訪問 DRAM，越是靠近 ALU 計(jì)算
2025-10-31 07:14:52
近期，在全球人工智能浪潮的持續(xù)推動(dòng)下，高算力基礎(chǔ)設(shè)施的密集建設(shè)、端側(cè)設(shè)備對本地化AI處理能力的需求爆發(fā)，催生了對高密度、高性能存儲芯片的海量需求。這一趨勢直接導(dǎo)致SSD（固態(tài)硬盤）和DRAM（動(dòng)態(tài)
2025-10-27 14:43:46876 存儲芯片制造全流程深度剖析：從設(shè)計(jì)到出廠的技術(shù)之旅 存儲芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦、SSD、服務(wù)器等領(lǐng)域。隨著摩爾定律逐漸放緩，以及移動(dòng)、云計(jì)算需求的持續(xù)爆發(fā)，存儲芯片在容量
2025-10-24 08:42:00846 在當(dāng)今數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，工業(yè)存儲設(shè)備的選擇直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤憑借其卓越的DRAM緩存技術(shù)，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。本文將采用問答形式，深入探討這一關(guān)
2025-10-20 17:59:28655 
GD存儲器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU選型手冊
2025-10-15 15:53:05
2 隨著數(shù)據(jù)中心、5G基站及工業(yè)設(shè)備對功率密度與能效標(biāo)準(zhǔn)的要求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)電源方案在效率、尺寸和成本層面面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-09-26 17:07:401571 幫助智能手機(jī)制造商突破了長期存在的熱瓶頸，使設(shè)備能夠在更小的空間內(nèi)發(fā)揮更強(qiáng)大的性能。
隨著智能手機(jī)功能的不斷擴(kuò)展和功率需求的持續(xù)增長，像傲琪人工合成石墨片這樣的先進(jìn)散熱材料將繼續(xù)扮演關(guān)鍵角色，為用戶
2025-09-13 14:06:03
全球領(lǐng)先的技術(shù)分銷商和解決方案提供商安富利正鞏固其在無線充電解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，該市場持續(xù)呈現(xiàn)顯著增長態(tài)勢。通過持續(xù)投資先進(jìn)無線技術(shù)和擴(kuò)展合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)，安富利正賦能客戶創(chuàng)新，并加快下一代產(chǎn)品面市的速度。
2025-09-09 16:39:261145 2025年上半年，AI應(yīng)用從“技術(shù)驗(yàn)證”邁入“商業(yè)放量”新階段，推動(dòng)存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入”結(jié)構(gòu)性升級“新格局。在大模型訓(xùn)練、AI服務(wù)器及智能數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁拉動(dòng)下，高端DRAM與高密度NAND需求持續(xù)釋放
2025-09-04 17:24:17959 
NOR Flash等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、可穿戴、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。 ? 東芯聚焦利基型存儲，構(gòu)建了六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。包括，SPI NAND Flash，可提供單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，在同一
2025-09-04 15:38:035384 
“第三季度作為手機(jī)終端傳統(tǒng)旺季，整體手機(jī)面板市場維持高稼動(dòng)率運(yùn)行。其中，a-Si面板品牌需求持續(xù)旺盛，但模組端競爭激烈，價(jià)格小幅下行；LTPS產(chǎn)線受益于車載等非手機(jī)領(lǐng)域需求的強(qiáng)勁拉動(dòng)，持續(xù)保持高位運(yùn)轉(zhuǎn)；而柔性AMOLED市場則在需求增長與價(jià)格壓力之間博弈，短期內(nèi)呈現(xiàn)出“量升價(jià)滯”的復(fù)雜局面。”
2025-08-18 15:48:451090 在類腦視覺芯片領(lǐng)域，復(fù)旦大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)取得了令人矚目的突破，他們聯(lián)合研發(fā)出了基于二維半導(dǎo)體DRAM的仿生神經(jīng)元。這一成果為類腦計(jì)算與視覺處理的融合發(fā)展帶來了新的曙光，有望革新當(dāng)前人工智能在視覺感知
2025-08-15 17:00:38852 
針對“美光近日中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)CFM閃存市場： 鑒于移動(dòng) NAND 產(chǎn)品在市場持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機(jī)會增長放緩，我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動(dòng) NAND
2025-08-12 13:39:302944 在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061026 
近日，格利爾數(shù)碼科技股份有限公司發(fā)布 2024 年年度業(yè)績快報(bào)，其營收和利潤的雙降引發(fā)行業(yè)關(guān)注。這份成績單不僅揭示了格利爾自身的經(jīng)營困境，更是磁性元件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀的一個(gè)縮影，為磁性元件企業(yè)提供了寶貴
2025-07-18 14:54:36532 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近有不少關(guān)于HBM技術(shù)被應(yīng)用到手機(jī)的消息，此前有消息稱蘋果會在20周年iPhone，也就是2027年推出使用HBM DRAM的iPhone手機(jī)，提高端側(cè)AI能力
2025-07-13 06:09:006874 DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)
2025-07-09 11:11:241702 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，企業(yè)級SSD由固態(tài)電子存儲芯片陣列制成，核心部件包括主控芯片、固件和存儲介質(zhì)（NAND Flash、DRAM），其中主控芯片和固件直接決定企業(yè)級SSD的性能和可靠性等產(chǎn)品表現(xiàn)
2025-07-06 05:34:006817 
近日，萬得(Wind)公布2025年ESG評級結(jié)果，隆利科技憑借環(huán)境、社會和治理(ESG)等維度取得的成果，Wind ESG評級由BBB上調(diào)至A。這是隆利科技發(fā)布的首份環(huán)境、社會及公司治理(ESG
2025-07-05 15:46:03846 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，專用型存儲芯片通常有特定的應(yīng)用需求，或是在特定的市場細(xì)分中有競爭優(yōu)勢。當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的品類主要包括NOR?Flash、SLC?NAND?Flash、利基型DRAM
2025-06-29 06:43:001768 
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DRAM：向更先進(jìn)的制程（10nm級別及以下）演進(jìn)，發(fā)展 LPDDR (低功耗版本)、HBM (高帶寬內(nèi)存) 等滿足高性能計(jì)算和AI需求。
NAND Flash：3D堆疊層數(shù)持續(xù)增加（200+層以上
2025-06-24 09:09:39
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時(shí)期，這一合作為推動(dòng)DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
摘要:新能源汽車對驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出功率、轉(zhuǎn)矩、電機(jī)的尺寸等技術(shù)要求不盡相同。若對每一項(xiàng)要求都分別予以滿足的話，則研發(fā)驅(qū)動(dòng)電機(jī)需要較長的開發(fā)時(shí)間、費(fèi)用及交貨期。為此，日立集團(tuán)的下屬公司開發(fā)了2種基型驅(qū)動(dòng)
2025-06-12 13:55:50
關(guān)鍵角色，更是隨著時(shí)間的推移，呈現(xiàn)出日益引人注目的發(fā)展趨勢。近年來，隨著工業(yè)風(fēng)扇的需求持續(xù)攀升，行業(yè)正在邁向一個(gè)高效、智能、可靠的全新紀(jì)元。深入了解工業(yè)風(fēng)扇行業(yè)，我
2025-06-11 15:03:53829 
在中美科技博弈持續(xù)升級的背景下，美國對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)施壓不斷加碼，從高端芯片禁運(yùn)到加征關(guān)稅，全球供應(yīng)鏈面臨重構(gòu)。然而，這一輪制裁反而為堅(jiān)持100%自主研發(fā)的國產(chǎn)芯片企業(yè)創(chuàng)造了歷史性機(jī)遇。其利天下技術(shù)
2025-06-11 15:02:42274 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，基于產(chǎn)品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等大規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)化電子設(shè)備。其市場
2025-06-07 00:01:004202 
隨著全球?qū)Νh(huán)保議題和可持續(xù)發(fā)展 的重視，低碳產(chǎn)品的需求持續(xù)攀升。而科技進(jìn)步和應(yīng)用場景的多樣性，也間接增加各行各業(yè)對高效能、低功耗解決方案的需求。
2025-05-26 10:37:26738 隨著全球?qū)Νh(huán)保議題和可持續(xù)發(fā)展的重視，低碳產(chǎn)品的需求持續(xù)攀升。而科技進(jìn)步和應(yīng)用場景的多樣性，也間接增加各行各業(yè)對高效能、低功耗解決方案的需求。這些需求應(yīng)用主要來自于以下幾個(gè)領(lǐng)域： ? 智能手機(jī)和便攜
2025-05-22 09:40:311023 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 在全球供應(yīng)鏈緊張和國產(chǎn)替代需求推動(dòng)下，國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計(jì)到封測一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:114743 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱，HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據(jù)CFM閃存市場的分析數(shù)據(jù)，2025年
2025-05-10 00:58:008822 一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對服務(wù)器DRAM需求，PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯，此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，全球DRAM市場規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231210 
風(fēng)扇燈市場熱度持續(xù)攀升，根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，風(fēng)扇燈市場規(guī)模從2010年的100億元增長至2019年的200億元，年均復(fù)合增長率超10%，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)30%，借此其利天下有限公司目前進(jìn)一步提升了無刷
2025-04-30 18:42:08652 
測試對象：手機(jī)/平板測試/電腦測試/轉(zhuǎn)軸鉸鏈測試 產(chǎn)品應(yīng)用：本產(chǎn)品適用于折疊屏手機(jī)翻合壽命測試，在常溫環(huán)境下測試。 產(chǎn)品特點(diǎn) 1、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-04-23 15:02:05
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
面對多樣化的市場需求，MCX 連接器充分發(fā)揮自身優(yōu)勢，為不同行業(yè)量身定制適配的解決方案。展望未來，隨著科技的持續(xù)創(chuàng)新與進(jìn)步，MCX 連接器必將繼續(xù)在各個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，以其可靠的性能為科技發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，推動(dòng)各行業(yè)邁向新的高度。
2025-04-02 13:54:39577 
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
在儲能行業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，安富利憑借卓越的技術(shù)實(shí)力與廣泛的市場影響力，榮獲2025“北極星杯”儲能影響力BMS/EMS供應(yīng)商獎(jiǎng)。這一榮譽(yù)不僅是對安富利過往成就的高度認(rèn)可，更是對其在儲能領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新與深耕的莫大鼓舞。
2025-03-06 15:06:411064 本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開
2025-03-04 14:45:072238 
在物流行業(yè)，ASI總線一直是備受關(guān)注的技術(shù)，而物流輸送線更是其重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域之一。近年來，隨著輕量包裹輸送需求的日益增長，直流電動(dòng)滾筒在輸送線中的應(yīng)用比重正不斷攀升。這一趨勢不僅推動(dòng)了電動(dòng)滾筒市場的持續(xù)擴(kuò)大，更為倍加福G20電機(jī)控制模塊開辟了一片廣闊的潛在市場。
2025-02-28 15:06:431116 DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級DRAM工藝制造，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
2025-02-28 00:07:006337 設(shè)計(jì)到終端應(yīng)用的完整價(jià)值鏈條，助力存儲生態(tài)向高效能、場景化、可持續(xù)方向升級！01德明利展位亮點(diǎn)搶先看亮點(diǎn)一全棧智能存儲解決方案覆蓋智能終端（AIPC/手機(jī)）、車載
2025-02-27 17:15:30716 
率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1
2025-02-26 13:58:15533 在AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下， 2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創(chuàng)1670億美元的歷史新高。 然而新高過后是再攀新高，亦或是波浪式起伏，還是呈現(xiàn)拋物線式下滑？尤其在消費(fèi)類
2025-02-21 16:00:361307 
根據(jù)DLPC900的資料，實(shí)現(xiàn)高刷新率的圖片都是預(yù)存在128M的dram里。但是128M空間有限，存儲數(shù)量也一定。如何設(shè)計(jì)可以提高支持高刷新率的圖片數(shù)量？謝謝。
2025-02-21 07:43:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 特點(diǎn)4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
吉時(shí)利keithley2430-C ?吉時(shí)利2410 數(shù)字源表 設(shè)計(jì)用于高速直流參數(shù)測度 吉時(shí)利2400系列提供寬動(dòng)態(tài)范圍：10pA to 10A, 1μV to 1100V, 20W
2025-02-19 14:17:04685 民幣)的市場份額呈現(xiàn)出持續(xù)增長的趨勢。 數(shù)據(jù)顯示，從2020年至2024年，全球高端智能手機(jī)在全球智能手機(jī)市場中的份額發(fā)生了顯著變化。具體而言，這一份額從2020年的15%穩(wěn)步攀升至2024年的25%。這一增長趨勢不僅反映了消費(fèi)者對高品質(zhì)、高性能智能手機(jī)的強(qiáng)烈需求，也體現(xiàn)了智能手機(jī)市場正
2025-02-19 13:39:14934 人工智能技術(shù)需求的激增，特別是內(nèi)存市場和GPU需求的持續(xù)強(qiáng)勁推動(dòng)。 從市場份額來看，三星電子以11.8%的占比穩(wěn)居全球首位，彰顯了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭力。緊隨其后的是SK海力士，市場份額為7.7%。高通、博通、英特爾、美光、英偉達(dá)、AMD等知名企業(yè)也位列前茅，分別占據(jù)
2025-02-17 09:46:03888 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401442 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511336 。一方面，廠商渴望更高效、更安全的充電解決方案，以支撐電子設(shè)備不斷攀升的性能需求。另一方面，用戶希望充電器的體積更小、更美觀，進(jìn)而滿足日常出行攜帶需求。
2025-02-11 17:11:391369 據(jù)韓媒報(bào)道，知名分析機(jī)構(gòu)Omdia在其最新報(bào)告中預(yù)測，2025年前三季度，PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將面臨顯著下滑。 具體而言，Omdia預(yù)計(jì)2025年上半年，這些內(nèi)存產(chǎn)品的價(jià)格將下降約10
2025-02-11 10:41:561750 據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，DRAM市場價(jià)格正面臨持續(xù)的下滑趨勢，這一趨勢預(yù)計(jì)至少將持續(xù)到今年第三季度。導(dǎo)致這一狀況的主要原因是IT產(chǎn)品需求疲軟以及中國公司供應(yīng)量的增加。
2025-02-10 17:30:40964 )的性能，并顯著降低生成式人工智能系統(tǒng)對DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過直接在SSD上進(jìn)行搜索，無需將索引數(shù)據(jù)存儲
2025-02-10 11:21:471054 TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
2025-02-07 17:08:291017 般回暖，反而持續(xù)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢。這一趨勢直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的持續(xù)下滑，盡管市場上存在部分買家對DDR5產(chǎn)品有特殊需求，并一度引發(fā)了其價(jià)格的臨時(shí)上漲，但整體來看，DRAM市場的低迷氛圍并未因此得到根本性的改善。 集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，目前DDR4主流芯片(例如
2025-02-06 14:47:47930 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11921 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408 在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等關(guān)鍵領(lǐng)域，上層應(yīng)用對存儲器的性能和研發(fā)效率提出了更高要求。德明利新一代SATA SSD主控芯片TW6501，通過重構(gòu)研發(fā)管理模式和研發(fā)項(xiàng)目流程，采用先進(jìn)
2025-01-21 09:29:47779 
1 概述 本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產(chǎn)品，并介紹其主要特點(diǎn)。特性。1.1 特性 - 與正時(shí)鐘邊沿完全同步 - 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C
2025-01-16 14:59:36
“今年12月，“雙十二”、“黑五”疊加超長期“國補(bǔ)”政策以及美對華上調(diào)關(guān)稅等一系列因素維持國內(nèi)外市場短期
需求火熱，盡管面板廠已提高稼動(dòng)來應(yīng)對，但大尺寸面板
需求依舊
強(qiáng)勁，65”及以上主流尺寸面板價(jià)格開始小幅上漲；進(jìn)入今年1月，2025年“國補(bǔ)”政策無縫銜接或?qū)⑼苿?dòng)65”及以上面板價(jià)格
持續(xù)小幅上漲?！?/div>
2025-01-13 16:07:111050 的持續(xù)增長，以及單位平均售價(jià)（ASP）的提升，該領(lǐng)域的產(chǎn)值有望進(jìn)一步攀升至近2980億美元，占整體Server產(chǎn)值的比例也將超過七成。
2025-01-07 17:18:382076 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼，美光近期將具體落實(shí)對現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。
去年底，美光科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561306 SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091301 隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422 快速發(fā)展、國產(chǎn)替代進(jìn)程加速這幾個(gè)重要方面。 從具體下游需求來看，消費(fèi)電子、汽車電子、算力等領(lǐng)域的需求持續(xù)攀升，推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇。 例如：全球智能手機(jī)銷量同比增長7.2%，中國市場在“618”購物節(jié)期間智能手機(jī)銷量同比增長7.4%。此外，汽車電子化的加速也為半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-06 16:39:131612 已全部加載完成
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