在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會中,臺積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預計于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時程。相對于臺積電的信心滿滿,包括TEL(東京威力科創(chuàng))、LamResearch、應(yīng)用材料和KLA-Tencor等設(shè)備制造商,卻都異口同聲地談到,設(shè)備業(yè)者所面臨的嚴峻開發(fā)成本與風險挑戰(zhàn)。
G450C的18寸晶圓量產(chǎn)時程
G450C(Global450Consortium)是由英特爾、三星、臺積電、IBM和GlobalFoundries五家龍頭業(yè)者于去年共組的18寸晶圓研發(fā)聯(lián)盟,在這些業(yè)者的積極推動下,18寸晶圓的發(fā)展藍圖也越來越為明確。
臺積電派駐于G450C的林進祥博士表示,一年來18寸晶圓的技術(shù)開發(fā)與業(yè)者的參與程度都有顯著進展。G450C的目標是從今年起展開14奈米的技術(shù)展示,到2015~2016年進入10奈米試產(chǎn)。
而就制造設(shè)備的成熟度來看,大部分設(shè)備到2014年都能完成試驗機臺的開發(fā),但最重要的蝕刻技術(shù),則預計要到2016年完成初步試驗機臺,2018年完成量產(chǎn)機臺開發(fā)。
目前,G450C是采用壓印(imprint)技術(shù)作為過渡時期的蝕刻方案,未來將朝193i(浸潤式193nm)與EUV發(fā)展。G450C的無塵室預定于2012年12月就緒,這將會是全球第一座18寸晶圓廠。
臺積電450mm計劃資深總監(jiān)游秋山博士則是提到了公司內(nèi)部對18寸晶圓設(shè)備設(shè)定的目標,希望與12寸設(shè)備相比,整體設(shè)備效率能于2018年達到1.1倍、2020年提升至1.8倍。此外,設(shè)備價格小于1.4倍、尺寸小于1.5倍、缺陷密度小于0.4倍,以及平均每片晶圓能維持相同的水電消耗。
這個數(shù)據(jù)一提出,當場就有設(shè)備業(yè)者問到,若晶片制造商希望設(shè)備效率提高1.8倍,但卻僅希望付出1.4倍的價格,這樣如何說服設(shè)備業(yè)者投入龐大資金開發(fā)新的18寸晶圓設(shè)備?
這個問題,的確觸及到眾多設(shè)備制造商的痛處?;叵氘敵跻妻D(zhuǎn)至12寸晶圓的慘痛教訓,現(xiàn)在18寸晶圓的大餅更是不這么好吃。
推動18寸晶圓量產(chǎn),主要的考量在于取得成本效益,希望能延續(xù)過去從6寸移轉(zhuǎn)至8寸、12寸的發(fā)展軌跡,透過更高的每片晶圓產(chǎn)出,讓晶片成本能持續(xù)下降。然而,這套過去適用的摩爾定律,隨著制程微縮趨近極限,以及18寸晶圓的龐大機臺投資,能否再和過去一樣帶來同樣的成本效益,實在令人懷疑。
此外,全球經(jīng)濟前景的不確定性,以及未來幾有少數(shù)幾家制造業(yè)者有能力買單,投資報酬率有限,種種因素,都讓設(shè)備業(yè)者對此議題顯得裹足不前,進退兩難。
設(shè)備廠商痛苦跟隨
TEL副總裁暨企業(yè)行銷總經(jīng)理關(guān)口章九甚至說,如果業(yè)界沒有充分的事先討論,共同開發(fā)機臺,450mm將會是一場災(zāi)難。而且,漫長的450mm市場成熟期會讓設(shè)備商的財務(wù)風險增加。
LamResearch公司450mm計劃副總裁MarkFissel也以12寸晶圓移轉(zhuǎn)為例指出,從1995年試驗機臺首度完成開發(fā),由于歷經(jīng)網(wǎng)路泡沫等經(jīng)濟因素,一直到2004年,半導體產(chǎn)業(yè)整整花了9年的時間,才使得12寸晶圓出貨量超過8寸晶圓。
而18寸晶圓即使能于2018年投入量產(chǎn),可能需要更長的時間才能成為主流,面對既有12寸晶圓先進制程持續(xù)投資與18寸晶圓開發(fā)的雙重壓力,設(shè)備業(yè)者若沒有強大的財務(wù)支援,很有可能無以為繼。
游秋山也坦承,移轉(zhuǎn)至18寸晶圓還有許多挑戰(zhàn)有待克服。首先,業(yè)界有沒有辦法在2015年前就10奈米制程蝕刻技術(shù)取得重大突破?同時,合理的設(shè)備成本、顯著的生產(chǎn)力提升、全自動化無人生產(chǎn)線、環(huán)保工廠等議題都需要獲得全面性的解決,才有可能讓18寸晶圓量產(chǎn)得到預期的成本效益。
游秋山指出,當初業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時,也曾面臨許多質(zhì)疑。但事實證明,透過多項的技術(shù)創(chuàng)新與突破,仍然克服了種種挑戰(zhàn),因此他樂觀認為,18寸晶圓量產(chǎn)目標終將能夠成功。
不過,不管是從晶片制造商和設(shè)備商的角度來看,18寸晶圓都已成為少數(shù)幾家業(yè)者才能玩得起的游戲,這是與業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時,完全不同的產(chǎn)業(yè)環(huán)境與需求。?口章九表示,即使幾家重量級制造商已經(jīng)訂出了量產(chǎn)時程目標,但高昂的進入成本,將是不利于創(chuàng)新的。
ASML的聯(lián)合開發(fā)計劃
盡管困難重重,但臺積電、英特爾、三星這些龍頭業(yè)者,為了延續(xù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、持續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢,并建立更高的競爭障礙,勢必得在朝18寸晶圓移轉(zhuǎn)的這項行動中奮力前進。
對此議題,應(yīng)用材料矽晶系統(tǒng)部門副總裁KirkHasserjian總結(jié)了順利移轉(zhuǎn)至18寸晶圓世代的六項關(guān)鍵因素,分別是:業(yè)界同步的移轉(zhuǎn)時程、蝕刻技術(shù)成熟度、成本分攤、協(xié)同合作、創(chuàng)新、以及供應(yīng)鏈的就緒。
成本分攤、合作創(chuàng)新在18寸晶圓世代將顯得重要。林進祥也鼓勵設(shè)備業(yè)者說,現(xiàn)在共同承擔風險,未來終將能共同分享利益。
提到成本與風險分攤,微影設(shè)備大廠ASML日前提出的聯(lián)合開發(fā)計劃便是一個極佳的范例。微影技術(shù)能否就緒,攸關(guān)18寸晶圓量產(chǎn)目標的實現(xiàn),而ASML的動作更是扮演了舉足輕重的角色。
ASML在今年7月提出了客戶聯(lián)合投資計劃,在英特爾首先表態(tài)以41億美元收購ASML的15%股權(quán)后、臺積電和三星也分別跟進,各取得5%和3%的股權(quán),將共同研發(fā)下一代微影技術(shù)。
臺積電、英特爾、三星是未來半導體制造的三大勢力,盡管彼此間的角力激烈,但從G450C的合作,到ASML的共同入主,卻又不得不共同分攤下一代18寸晶圓制造的龐大研發(fā)成本。它們之間的競合關(guān)系是未來半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)注重點,也是18寸量產(chǎn)目標能否成真的重要關(guān)鍵。
?
18寸晶圓2018年量產(chǎn) 是否過度樂觀的目標
- 英特爾(179659)
- 三星電子(182956)
- 臺積電(175230)
- 晶圓代工(49712)
相關(guān)推薦
熱點推薦
廣東首家12英寸晶圓制造企業(yè),創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,粵芯半導體技術(shù)股份有限公司(以下簡稱 “粵芯半導體”)首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市的申請正式獲深圳證券交易所受理,這家廣東省首家進入量產(chǎn)的 12 英寸晶圓制造企業(yè),有望
2025-12-23 09:42:06
1733
1733大尺寸硅晶圓槽式清洗機的參數(shù)化設(shè)計
支持4-12英寸晶圓,針對超薄晶圓(如≤300μm)采用低應(yīng)力夾持方案,避免破損。通過模塊化托盤設(shè)計,快速切換不同規(guī)格載具,兼容方形基板等非標準樣品。污染物分層處
2025-12-17 11:25:31
435
435
12寸晶圓的制造工藝是什么
12寸晶圓(直徑300mm)的制造工藝是一個高度復雜且精密的過程,涉及材料科學、半導體物理和先進設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點: 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20
327
327半導晶圓清洗機關(guān)鍵核心參數(shù)有哪些
半導體晶圓清洗機的關(guān)鍵核心參數(shù)涵蓋多個方面,這些參數(shù)直接影響清洗效果、效率以及設(shè)備的兼容性和可靠性。以下是詳細介紹: 清洗對象相關(guān)參數(shù) 晶圓尺寸與厚度適配性:設(shè)備需支持不同規(guī)格的晶圓(如4-6英寸
2025-10-30 10:35:19
266
266晶圓清洗后如何判斷是否完全干燥
判斷晶圓清洗后是否完全干燥需要綜合運用多種物理檢測方法和工藝監(jiān)控手段,以下是具體的實施策略與技術(shù)要點:1.目視檢查與光學顯微分析表面反光特性觀察:在高強度冷光源斜射條件下,完全干燥的晶圓呈現(xiàn)均勻
2025-10-27 11:27:01
258
258
技術(shù)指標比肩國際!中欣晶圓加速國產(chǎn)替代,月銷超百萬片
,國內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局,就在今年9月,中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重摻硼超厚拋光硅片打破進口依賴,填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。 ? 中欣晶圓主營業(yè)務(wù)為半導體硅片的研發(fā),在產(chǎn)品布局方面,已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋
2025-10-17 11:24:26
3276
327650.6億!中國首條8英寸MEMS晶圓全自動生產(chǎn)線,正式投產(chǎn)
自動生產(chǎn)線、全國首條工藝設(shè)備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn),在半導體領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。 據(jù)悉,華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目由安徽華鑫微納集成電路有限公司投資建設(shè),總建設(shè)投資達50.6億元,占地約79畝,總建筑面積約6萬平方米,定位
2025-10-16 18:25:02
2128
2128瑞樂半導體——AVLS無線校準測量晶圓系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)制造設(shè)備微小振動和水平偏差 #晶圓制造過程 #晶圓檢測 #晶圓
晶圓
瑞樂半導體發(fā)布于 2025-09-23 21:26:47


再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別
再生晶圓與普通晶圓在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的硅基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55
771
771
不同尺寸晶圓需要多少轉(zhuǎn)速的甩干機?
在半導體制造中,不同尺寸的晶圓對甩干機的轉(zhuǎn)速需求存在差異,但通常遵循以下規(guī)律:小尺寸晶圓(如≤8英寸)這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對簡單,可采用較高的轉(zhuǎn)速進行離心甩干。常見范圍為3000–10000
2025-09-17 10:55:54
411
411
晶圓清洗后的干燥方式介紹
晶圓清洗后的干燥是半導體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),其核心目標是在不引入二次污染、不損傷表面的前提下實現(xiàn)快速且均勻的脫水。以下是幾種主流的干燥技術(shù)及其原理、特點和應(yīng)用場景的詳細介紹:1.旋轉(zhuǎn)甩干
2025-09-15 13:28:49
541
541
晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)
WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-08-25 11:29:30
晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)
WD4000晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
晶圓清洗后的干燥方式
晶圓清洗后的干燥是半導體制造中的關(guān)鍵步驟,其核心目標是在不損傷材料的前提下實現(xiàn)快速、均勻且無污染的脫水過程。以下是主要干燥方式及其技術(shù)特點:1.旋轉(zhuǎn)甩干(SpinDrying)原理:將清洗后的晶圓
2025-08-19 11:33:50
1109
1109
臺積電戰(zhàn)略收縮:兩年內(nèi)逐步關(guān)停6英寸晶圓產(chǎn)線
圓業(yè)務(wù),旨在提高生產(chǎn)效率并專注于更大尺寸晶圓的生產(chǎn)。這一決策是基于市場需求及公司長期發(fā)展戰(zhàn)略而做出的。 臺積電方面確認,停止6英寸晶圓業(yè)務(wù)不會對其2025年的銷售預期造成影響。目前,公司正與客戶緊密合作,協(xié)助他們平穩(wěn)度過業(yè)務(wù)過渡階段,確保盡力滿足客戶需求,繼續(xù)為商業(yè)伙伴及市場創(chuàng)造價值。
2025-08-14 17:20:17
646
646晶圓膜厚測量系統(tǒng)
WD4000晶圓膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測量
2025-08-12 15:47:19
晶圓制造中的退火工藝詳解
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應(yīng)力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:23
2023
2023
晶圓清洗工藝有哪些類型
晶圓清洗工藝是半導體制造中的關(guān)鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同,晶圓
2025-07-23 14:32:16
1368
1368
晶圓清洗機怎么做晶圓夾持
晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計原理、技術(shù)要點及實現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
928
928不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點:一、晶圓
2025-07-22 16:51:19
1332
1332
晶圓制造中的WAT測試介紹
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過對晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測量和分析,幫助識別工藝中的問題,并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項目的量產(chǎn)管理中,WAT是您保持產(chǎn)線穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
2025-07-17 11:43:31
2774
2774晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)
WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓切割:振動控制與厚度均勻性保障
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(
2025-07-09 09:52:03
580
580
On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)
On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
晶圓載具清洗機 確保晶圓純凈度
在半導體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
晶圓厚度測量設(shè)備
WD4000晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-18 15:40:06
晶圓邊緣 TTV 測量的意義和影響
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導體制造中的重要意義,分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用,為提升半導體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
551
551
什么是晶圓貼膜
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準備。
2025-06-03 18:20:59
1179
1179
晶圓減薄工藝分為哪幾步
“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標厚度的工藝步驟。這個過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
2025-05-30 10:38:52
1656
1656wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測量的設(shè)備
晶圓是半導體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46
提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法
關(guān)鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質(zhì)量;晶圓預處理;鍵合工藝;檢測機制 一、引言 在半導體制造領(lǐng)域,鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而,鍵合過程中諸多因素會導致晶圓總厚度偏差(TTV
2025-05-26 09:24:36
850
850
防震基座在半導體晶圓制造設(shè)備拋光機詳細應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
在半導體制造領(lǐng)域,晶圓拋光作為關(guān)鍵工序,對設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細微的振動,都可能對晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴重影響,進而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個防震基座在半導體晶圓制造設(shè)備拋光機上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29
551
551
優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控
摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進及檢測反饋機制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
508
508
降低晶圓 TTV 的磨片加工方法
摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進,有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導體制造提供實用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞:晶
2025-05-20 17:51:39
1022
1022
晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)
WD4000晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響
前言在半導體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復雜工藝的順利進行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
1109
1109
簡單認識晶圓減薄技術(shù)
在半導體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異:4英寸晶圓厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:51
1975
1975晶圓級封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢
圓片級封裝(WLP),也稱為晶圓級封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來,已逐漸成為半導體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù),深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:36
2066
2066
提供半導體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試
隨著半導體工藝復雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
晶圓浸泡式清洗方法
晶圓浸泡式清洗方法是半導體制造過程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學溶液中,去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物,以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細
2025-04-14 15:18:54
765
765在晶圓制造領(lǐng)域,Chiller溫度控制能夠確保晶圓加工過程中的質(zhì)量和產(chǎn)量,有助于提高晶圓制造過程的質(zhì)量#
晶圓
冠亞恒溫發(fā)布于 2025-04-01 16:38:53


中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona
在SEMICON China 2025展會期間,中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:19
1191
1191EV集團推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),推動MEMS制造升級
全新強力鍵合腔室設(shè)計,賦能更大尺寸晶圓高均勻性鍵合與量產(chǎn)良率提升 2025年3月18日,奧地利圣弗洛里安 —全球領(lǐng)先的半導體創(chuàng)新工藝解決方案和專業(yè)知識提供商,為前沿和未來的半導體設(shè)計和芯片集成
2025-03-20 09:07:58
889
889
高精度晶圓劃片機切割解決方案
通過獨立雙軸運行,適配12寸晶圓,切割效率較單軸提升50%以上,定位精度達±1μm?。采用進口直線電機與光柵尺閉環(huán)系統(tǒng),結(jié)合實時反饋算法,確保切割路徑的納米級重復精
2025-03-11 17:27:52
797
797
芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命
芯片制造的畫布 芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺上,晶圓(Wafer)扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布,承載著無數(shù)工程師的智慧與夢想,見證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
1542
1542晶圓的標準清洗工藝流程
硅片,作為制造硅半導體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過精細的研磨、拋光及切片步驟,這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導地位。
2025-03-01 14:34:51
1239
1239
日本Sumco宮崎工廠硅晶圓計劃停產(chǎn)
日本硅晶圓制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱,主要用于消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言,隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓,要么在
2025-02-20 16:36:31
815
815全球硅晶圓市場2024年末迎來復蘇
根據(jù)SEMI SMG在其硅晶圓行業(yè)年終分析報告中的最新數(shù)據(jù),全球硅晶圓市場在經(jīng)歷了一段時間的行業(yè)下行周期后,于2024年下半年開始呈現(xiàn)復蘇跡象。 報告指出,盡管2024年全球硅晶圓出貨量同比
2025-02-17 10:44:17
840
840Sumco計劃2026年底前停止宮崎工廠硅晶圓生產(chǎn)
近日,日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項重要戰(zhàn)略決策,計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:52
1215
1215尋求6寸8寸晶圓打包發(fā)貨紙箱廠家
大家元宵節(jié)快樂!
半導體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨,主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短,采購供應(yīng)商庫里沒有合適的廠家,因此來求助發(fā)燒友們。
我們的需求是:
瓦楞紙箱(質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
2024年全球硅晶圓出貨量同比下降2.7%
據(jù)SEMI(國際半導體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會)近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報告顯示,2024年全球硅晶圓出貨量預計將出現(xiàn)2.7%的同比下降,總量達到122.66億平方英寸(MSI)。與此同時,硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢,同比下降6.5%,預計總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27
890
890晶圓切割的定義和功能
Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個 Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個 Die 都是一個功能單元,Dicing 的精準性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
2943
29432024年晶圓代工市場年增率高達22%
2024年,全球晶圓代工市場迎來了強勁的增長勢頭,年增長率高達22%。這一顯著增長主要得益于人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展和半導體需求的持續(xù)復蘇。 在過去的一年里,全球代工行業(yè)經(jīng)歷了強勁的復蘇和擴張
2025-02-11 09:43:15
910
9102024年晶圓代工市場年增長22%,臺積電2025年持續(xù)維持領(lǐng)頭羊地位
根據(jù)市場調(diào)查及研究機構(gòu)Counterpoint Research的最新報告顯示,2024年全球晶圓代工市場以22%的年增長率結(jié)束,展現(xiàn)出2023年之后的強勁復蘇與擴張動能。 報告表示,此增長主要
2025-02-07 17:58:44
920
920詳解晶圓的劃片工藝流程
在半導體制造的復雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
3048
3048
三星大幅削減2025年晶圓代工投資
近日,三星電子宣布了一項重大決策,將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度將超過一半。 具體來說,三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預算定為約5萬億韓元
2025-01-23 14:36:19
859
859特氟龍夾具的晶圓夾持方式,相比真空吸附方式,對測量晶圓 BOW 的影響
在半導體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW(彎曲度)的精確測量。而在測量過程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
520
520
功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹
AP-200,中間為晶體管檢測儀IWATSU CS-10105C,右邊為控制用計算機。三部分組成了一個測試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺,主要對晶圓進行電學檢測,分為載物臺、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備這幾部分,載物臺用于晶圓的放置,可以兼容4~8寸的晶圓,上面有
2025-01-14 09:29:13
2358
2358
全自動晶圓清洗機是如何工作的
都說晶圓清洗機是用于晶圓清洗的,既然說是全自動的。我們更加好奇的點一定是如何自動實現(xiàn)晶圓清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問。我們先來給大家介紹這個根本問題,就是全自動晶圓清洗機的工作是如何實現(xiàn)
2025-01-10 10:09:19
1113
1113晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
在半導體制造領(lǐng)域,晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對晶圓 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中,而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特
2025-01-09 17:00:10
639
639
晶圓制造及直拉法知識介紹
晶圓是集成電路、功率器件及半導體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細介紹
2025-01-09 09:59:26
2099
2099
8寸晶圓的清洗工藝有哪些
8寸晶圓的清洗工藝是半導體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧! 顆粒去除清洗 目的與方法:此步驟旨在去除晶圓表面的微小顆粒物,這些顆粒
2025-01-07 16:12:00
813
8138寸晶圓清洗槽尺寸是多少
如果你想知道8寸晶圓清洗槽尺寸,那么這個問題還是需要研究一下才能做出答案的。畢竟,我們知道一個慣例就是8寸晶圓清洗槽的尺寸取決于具體的設(shè)備型號和制造商的設(shè)計。 那么到底哪些因素會影響清洗槽的尺寸呢
2025-01-07 16:08:37
569
569
電子發(fā)燒友App






































評論