瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
2012-04-13 09:19:341862 5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也
2021-05-10 16:00:573039 系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
號的MOSFET是平面結(jié)構(gòu)，而SJ MOSFET僅僅是結(jié)構(gòu)不同。當(dāng)然，還有雜質(zhì)濃度等細(xì)小差異。SJ MOSFET因結(jié)構(gòu)不同，導(dǎo)通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
？到了上個世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析強光抑制攝像機、帕特羅（PATRO）遠距離紅外一體攝像機、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機 正當(dāng)IR-III技術(shù)以新臉孔出現(xiàn)在紅外夜視市場時，市場上也出現(xiàn)了第三代陣列式紅外攝像機，造成
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù)，在產(chǎn)品性能與應(yīng)用等方面上與激光紅外相比，有明顯的優(yōu)勢。廣州帕特羅（PATRO）的第三代紅外攝像機以單顆燈完全取代多顆燈模式，電光轉(zhuǎn)化效能最高可達85%以上，降低了功耗，使用壽命
2011-02-19 09:38:46
DT298還具備了幾個很有特色的實用功能，除了全程語音操控外，停車監(jiān)控也是它的亮點之一。就是在車輛停放期間，凌度DT298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀如果感應(yīng)到車身有震動時，會自動開啟攝像頭同時開始錄像，監(jiān)控車輛情況
2019-01-08 15:44:58
的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOSFET將明顯降低?！ ⊥ㄟ^以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)通電阻分別在不同的功能區(qū)域。將阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，解決了阻斷電壓與導(dǎo)通電阻的矛盾，同時也將阻斷時的表面
2023-02-27 11:52:38
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
`[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-14 16:11:45
產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP/ADP
2019-04-22 14:07:14
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復(fù)：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時
2023-02-28 17:13:35
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
本文討論了移動通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設(shè)計和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
第三代移動通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù):第三代移動通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)資料。文章對第三代移動通信系統(tǒng)及國際電聯(lián)提出的IMT-2000發(fā)展過程及研究現(xiàn)狀進行了介紹
2009-05-20 11:19:05
40 匯佳智能第三代25－29彩色電視機電路圖，匯佳智能第三代25－29彩電圖紙，匯佳智能第三代25－29原理圖。
2009-05-22 10:11:57179 文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 00904774第三代通信網(wǎng)管構(gòu)架:
2009-06-18 16:53:1422 第三代移動通信技術(shù)與業(yè)務(wù):蜂窩移動通信標(biāo)準(zhǔn)的演進，第三代移動通信標(biāo)準(zhǔn)化格局，技術(shù)不斷進步背后的苦干問題。
2009-08-02 14:35:4612 第三代移動通信系統(tǒng)全面討論了第三代移動通信系統(tǒng)的無線傳輸技術(shù)等新技術(shù)，內(nèi)容涵蓋了第三代移動通信的基本概念、CDMA技術(shù)的基本原理、無線傳播環(huán)境的相關(guān)知識、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:530 第三代移動通信系統(tǒng)的無線接:WCDMA技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計是專門介紹第三代移動通信系統(tǒng)中WCDMA無線傳輸技術(shù)的專著?！禬CDMA 技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計：第三代移動通信系統(tǒng)的無線接入（第２版）
2009-08-21 10:38:3932 第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
第三代無線通信標(biāo)準(zhǔn)
今天，我們正在進入第三代無線通信階段?；蛘哒f“互聯(lián)網(wǎng)包含一切”的階段，這個階段用無線傳感器和控制技術(shù)來連接人類世界與虛擬電子世界。
2009-03-24 08:40:432066 第三代移動通信常識
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動通信技術(shù)。相對
2009-06-01 21:03:572976 什么是第三代移動通信系統(tǒng)
第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系
2009-06-13 22:20:551327 泰景信息科技推出第三代模擬移動電視接收芯片TLG1121
泰景信息科技 (Telegent Systems)近日宣布，公司研發(fā)出第三代模擬移動電視接收CMOS單芯片TLG1121。TLG1121 是泰景第一款
2010-02-09 08:41:041000 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP內(nèi)核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘數(shù)累加器）VLIW（超長指令字）DSP（數(shù)字信號處理器）
2010-04-24 12:05:451926 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 介紹第三代移動通信系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃的基本過程，規(guī)劃策略，應(yīng)考慮的各種因素。詳細(xì)介紹了第三代移動通信系統(tǒng)中位置區(qū)域和尋呼區(qū)的規(guī)劃。
2011-02-17 17:35:1523 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 據(jù)一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 瑞薩通信技術(shù)公司今日宣布推出第三代GSM/HSPA+/LTE FDD/ LTE TDD多模調(diào)制解調(diào)器SP2532。
2013-02-20 16:48:052612 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 2016年10月19日，日本東京訊——為促進自動駕駛時代日趨復(fù)雜的大規(guī)模汽車運算系統(tǒng)的發(fā)展，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今日宣布推出兩款新型第三代R-Car入門套件。這兩款套件能夠讓汽車軟件開發(fā)工程師更輕松地獲得開發(fā)環(huán)境。
2016-11-03 11:44:556832 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:004266 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢，最后分析了了我國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3336539 
本文首先分別對第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個人投資者
2020-09-21 11:57:554538 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 根據(jù)今年3月份曝光的AMD產(chǎn)品線路圖來看，第三代線程撕裂者有望在今年年內(nèi)發(fā)布，但隨后在6月舉行的臺北電腦展上，新的AMD線路圖顯示第三代線程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代銳龍
2019-09-02 13:08:005845 近幾年，國內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響？國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:3210020 從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因為生意有多么的大，是因為國防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時，這是一個增量市場，也是企業(yè)可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:006641 ？為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:406025 
據(jù)了解，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入十四五規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主
2020-11-04 15:12:375552 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:054783 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1292800 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0314628 最近，“我國將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:444279 日前，阿里巴巴達摩院預(yù)測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發(fā)的節(jié)點？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:484256 1月22日，高德地圖正式發(fā)布第三代車載導(dǎo)航，小鵬汽車成為首款搭載第三代車載導(dǎo)航的企業(yè)。 第三代車載導(dǎo)航能力從“導(dǎo)人”升級為“人車共導(dǎo)”，利用AI視覺技術(shù)和高精地圖，實現(xiàn)車道導(dǎo)航，讓道路規(guī)劃以及引導(dǎo)
2021-01-22 18:05:144757 1月22日，數(shù)字地圖、導(dǎo)航和位置服務(wù)提供商高德地圖在北京發(fā)布了第三代車載導(dǎo)航。
2021-01-24 09:50:575062 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:103594 來源：天風(fēng)證券，如需下載，進入“華秋商城”公眾號發(fā)送“2021第三代半導(dǎo)體”即可下載。 責(zé)任編輯：haq
2021-11-03 10:33:409142 
MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域，這就對器件的測試
2021-12-29 17:11:061577 
2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間的矛盾。
2022-03-17 09:35:333704 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:166767 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:011151 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 近年來，國家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為 集成電路 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:233692 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:381253 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:335127 
2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:031885 
日前，高通舉辦新品發(fā)布會，推出了驍龍8旗艦移動平臺誕生以來的第一款新生代旗艦平臺：第三代驍龍8s，這是高通對驍龍旗艦移動平臺的一次層級擴展，同時意味著廣大消費者未來在旗艦手機市場也將會有更多豐富
2024-03-21 21:04:194129 
認(rèn)證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。
2024-06-24 09:13:201947 
瑞薩第三代電容式觸控技術(shù)（CTSU2）自2019年推出市場，在第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上做了抗噪聲性的大幅提升，提高了內(nèi)部基準(zhǔn)的精度，增加了低功耗和多按鍵并行掃描功能。
2024-06-27 14:54:031505 
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
2024-10-30 11:24:273023 快速發(fā)展與創(chuàng)新實力在2024全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號。這一榮譽不僅是對公司技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化
2024-10-31 08:09:161419 
，被稱為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢。 導(dǎo)通電阻小：降低了器件的導(dǎo)通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551391 MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38958 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051964 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22500 
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