采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專(zhuān)為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過(guò)在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
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新一代 150V G3平臺(tái)屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產(chǎn)品— LSGT15R032。該產(chǎn)品憑借3.25mΩ的超低導(dǎo)通電阻與279A的強(qiáng)大電流能力，成為高端BMS、電驅(qū)及DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域的性能新標(biāo)桿。
2025-12-29 10:18:56619 
、4A輸出的半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，旨在通過(guò)增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動(dòng)效率并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市場(chǎng)中，是否真的存在0.42mΩ的超低導(dǎo)通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用、優(yōu)勢(shì)及其面臨的挑戰(zhàn)。一、0
2025-12-16 11:01:13198 
N通道MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)極低，僅為1.99 mΩ，可在功率密集型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)卓越的導(dǎo)通效率、簡(jiǎn)化熱管理并提高系統(tǒng)可靠性。
2025-12-12 11:40:40376 
高壓濾波車(chē)規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 MOSFET等新一代寬帶隙半導(dǎo)體器件，支持系統(tǒng)向更高頻、更高效的方向演進(jìn)。
堅(jiān)固耐用，無(wú)懼苛刻環(huán)境：從600V的高壓耐受到寬溫工作范圍（-40℃~150℃），再到集成化的保護(hù)功能，其設(shè)計(jì)充分考慮了工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)
2025-12-03 08:25:35
威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207 
溝道功率器件實(shí)現(xiàn)650伏耐壓與13安培連續(xù)電流的平衡，采用超結(jié)工藝讓VGS為10伏時(shí)的導(dǎo)通電阻低至300毫歐，比傳統(tǒng)平面MOS管顯著降低導(dǎo)通損耗。
2025-11-26 09:42:00545 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-25 15:31:05218 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-25 15:14:47190 仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開(kāi)關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27203 仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:57:56177 仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用、硬開(kāi)關(guān)高頻
2025-11-21 10:46:19181 仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:38:31150 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 仁懋電子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET，集成兩顆N溝道單元，憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)機(jī)器人等大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。一
2025-11-21 10:24:58204 一、概述：高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱(chēng)
2025-11-21 08:35:25
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N
2025-11-20 16:22:54302 仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-20 16:15:04256 仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-20 16:06:45264 仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-20 15:31:06159 一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23
仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38249 VGS＝-2.5V時(shí)，導(dǎo)通電阻約為120mΩ。如果VGS電壓太小，低于閾值電壓VGS(th)，AO3401A可能無(wú)法完全開(kāi)通，無(wú)法正常工作。建議將VGS的絕對(duì)值設(shè)定2.5V以上，如-3.5V左右，通過(guò)
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14195 仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-17 11:27:39241 Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開(kāi)關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見(jiàn)散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型
2025-11-14 16:04:15309 仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-11-14 15:51:42201 在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開(kāi)關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶(hù)調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:17:38296 仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40305 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 大電流與3.5毫歐低導(dǎo)通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應(yīng)運(yùn)而生。它不僅精準(zhǔn)契合了新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的嚴(yán)苛需求，更以硬核參數(shù)彰顯了功率半導(dǎo)體技術(shù)的
2025-11-06 13:44:04202 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動(dòng)、電流監(jiān)測(cè)和輸出放電功能的低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤(pán)和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153 
仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245 仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性
2025-11-04 16:33:13496 在60V-200V中壓功率控制場(chǎng)景中，如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源儲(chǔ)能、大功率電源等領(lǐng)域，對(duì)MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴(yán)苛要求。中科微電推出的N溝道MOSFET
2025-11-04 15:20:35311 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 展會(huì)盛況規(guī)?？涨埃R聚NEWS”功率半導(dǎo)體全系列解決方案薩瑞微電子重點(diǎn)展示了其新一代SGTMOSFET系列產(chǎn)品，覆蓋40V-150V全電壓范圍，其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻表現(xiàn)引發(fā)了專(zhuān)業(yè)觀眾的濃厚興趣。同時(shí)
2025-10-31 14:14:12357 
600V、4A/4A 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開(kāi)關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209 
：持續(xù)輸出電流最高 3A，峰值電流可達(dá) 3A（受外置限流設(shè)定與散熱條件限制）。
效率與頻率
轉(zhuǎn)換效率：典型值＞90%，優(yōu)化的同步整流架構(gòu)及低導(dǎo)通電阻 MOSFET，減少熱量產(chǎn)生。
開(kāi)關(guān)頻率：固定
2025-09-27 11:16:06
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272 
在快充技術(shù)快速迭代的當(dāng)下，高效能與高可靠性成為電源設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。泉州海川半導(dǎo)體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結(jié)殼熱阻的卓越性能，為快充行業(yè)提供了極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案。
2025-09-18 16:41:231158 
N100V MOSFET產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624 
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，長(zhǎng)期主導(dǎo)著耐壓超過(guò)600V的功率MOSFET市場(chǎng)。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問(wèn)題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144299 
SiLM2234 600V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專(zhuān)為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
了其對(duì)電壓波動(dòng)的適應(yīng)性。3. 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，集成度高
采用浮動(dòng)通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無(wú)需復(fù)雜的隔離電源，極大地簡(jiǎn)化了半橋、全橋等拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
了強(qiáng)有力的支持。 ? 工業(yè)高壓電源系統(tǒng)對(duì)電解電容的要求極為嚴(yán)苛，不僅需要承受高電壓，還要在高溫、高紋波電流等惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定工作。冠坤600V高耐壓電解電容采用特殊的設(shè)計(jì)和材料，具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和較高的紋波電流
2025-09-02 15:44:42630 Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
，是各種高壓半橋和全橋拓?fù)涞暮?jiǎn)潔解決方案。核心優(yōu)勢(shì)解析：
高壓與強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力： 芯片的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá)600V的工作電壓，并能耐受負(fù)壓瞬變，抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性?xún)r(jià)比的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。核心優(yōu)勢(shì)：高壓驅(qū)動(dòng)與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價(jià)值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06
成。 ? SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的降低，意味著提高器件的開(kāi)關(guān)效率，降低器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。根據(jù)Wolfspeed的數(shù)據(jù)，以100A電流為例，13mΩ 器件的導(dǎo)通損耗為 13W，較 16m
2025-08-10 03:18:008198 升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無(wú)需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
在相同650V耐壓下，超結(jié)MOS的導(dǎo)通電阻（85mΩ）僅為傳統(tǒng)器件（200mΩ）的約42%，開(kāi)關(guān)頻率上限提升至100kHz（傳統(tǒng)為50kHz）。超結(jié)MOS相較于傳統(tǒng)MOSFET，效率提升顯著。今天
2025-08-06 11:41:261055 ：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)半橋或類(lèi)似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性?xún)r(jià)比樹(shù)立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031014 
產(chǎn)品描述:(替代LM5017)PC3417是一款100V,600mA同步降壓控制器,集成了高側(cè)和低側(cè)MOSFET。PC3417采用恒定導(dǎo)通時(shí)間(COT)控制，因此不需要環(huán)路補(bǔ)償，可提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)
2025-07-01 10:18:37
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
場(chǎng)景
1A持續(xù)輸出能力：內(nèi)置低導(dǎo)通電阻MOS管（典型值350mΩ），支持最大1.5A峰值電流輸出
恒壓精度±2%：集成精密電壓基準(zhǔn)源，輸出電壓范圍3.3V-30V可調(diào)
二、關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.1 內(nèi)置
2025-06-04 17:45:16
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線(xiàn)性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808 
瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能?chē)?yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿(mǎn)足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿(mǎn)足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門(mén)
2025-05-19 11:33:300 TPS22995是一款單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時(shí)間，用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。該開(kāi)關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38663 
電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開(kāi)關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開(kāi)關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-05-06 15:05:381499 
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí)，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號(hào)開(kāi)關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過(guò)改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787 
電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時(shí)為118nC，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻 ?：RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）在VGS=10V時(shí)為1.4mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57763 
塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663 
揚(yáng)杰科技于2024年推出了一系列用于汽車(chē)電子的N60V SGT MOSFET，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
2025-04-01 10:39:531036 
Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET 的選用
2025-03-24 15:03:44
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列，該系列產(chǎn)品通過(guò)更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品更節(jié)能和小型化。GNE1040TB
2025-03-07 15:19:09977 
選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
：SiC器件在175°C高溫下仍能保持穩(wěn)定性能（如導(dǎo)通電阻僅從40mΩ升至55mΩ），而SJ MOSFET在高溫下?lián)p耗顯著增加。 低損耗特性 ：SiC的導(dǎo)
2025-03-02 11:57:01899 
隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶(hù)從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書(shū) CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場(chǎng)擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)電壓保護(hù)開(kāi)關(guān)，電池充放電開(kāi)關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182
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