英偉達GPU直流供電架構(gòu)與基本半導體SiC MOSFET在AI服務器PSU中的應用價值分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關轉(zhuǎn)換器領域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
隨著新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應對市場對更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導體正式推出新一代
2025-12-29 10:18:56617 
SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊：電源拓撲與解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
智能手環(huán)追求極致輕薄與持久續(xù)航，每一毫瓦的功耗與每一毫米的空間都至關重要。MDD辰達半導體推出專為可穿戴設備優(yōu)化的MDD2312(N溝道)與MDD2333(P溝道)MOSFET配對方案，為智能手環(huán)的“電力心臟”注入高效、可靠的芯動力。
2025-12-22 17:17:07859 能否詳細介紹一下MOSFET在電機控制中的作用？
2025-12-22 13:11:42
長晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23271 
近日，安世半導體在碳化硅（SiC）功率器件領域的技術(shù)實力再次獲得行業(yè)權(quán)威認可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設計與可靠性能，接連將兩項行業(yè)大獎收入囊中：一項是由國際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
高壓MOSFET作為功率半導體領域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關的核心優(yōu)勢，已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關鍵引擎”。意法半導體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領域發(fā)展注入強勁動力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 15:22:39873 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 的保障，半導體器件的測試也愈發(fā)重要。 對于半導體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過這些器件的測試有共性也有差異，因此在實際的測試時測試項目也有通用項目和特殊項目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
一臺半導體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導體激光器半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質(zhì)的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
半導體封裝形式介紹 摘 要 ：半導體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標一代比一代先進，這些都是前人根據(jù)當時的組裝技術(shù)和市場需求
2025-10-21 16:56:30862 
傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
恩智浦半導體宣布，深圳市億境虛擬現(xiàn)實技術(shù)有限公司（簡稱“億境虛擬”）在其新一代 AI 眼鏡解決方案SW3021中采用恩智浦i.MX RT685跨界MCU，實現(xiàn)了極致低功耗與強大音頻處理能力的平衡。
2025-10-16 09:03:384142 傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng) 引言：迎接1000-1100V系統(tǒng)架構(gòu)的挑戰(zhàn) 隨著電動汽車快充、可再生能源和工業(yè)自動化領域的飛速發(fā)展，電力系統(tǒng)正全面邁向
2025-10-11 18:28:36707 
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
2025-10-08 13:12:22499 
【內(nèi)測活動同步開啟】這么??？這么強？新一代大模型MCP開發(fā)板來啦！
聆思全新一代六合一芯片「LS26系列」，搭載WIFI / BLE & BT / NPU，與「小聆AI」強強聯(lián)合
2025-09-25 11:47:11
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備
2025-09-21 16:12:351740 
BASiC基本半導體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應用設計指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-19 17:34:561103 
9月16-17日，2025騰訊全球數(shù)字生態(tài)大會在深圳舉行。會議期間，騰訊正式發(fā)布全新一代智能駕駛地圖9.0。
2025-09-18 10:23:421391 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎上，通過創(chuàng)新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
SEMI-e 2025深圳國際半導體展，旨在為行業(yè)帶來突破性的技術(shù)革新。 展會上，瑞能半導體重點推介的最新一代車規(guī)級SiC MOSFET及二極管產(chǎn)品，在轉(zhuǎn)換效率、高溫穩(wěn)定性及長期可靠性方面實現(xiàn)了行業(yè)突破，并已具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力。 這意味著瑞能半導
2025-09-12 15:10:52797 ，成功研制出新一代高性能UV減粘膠。 ? 該產(chǎn)品創(chuàng)新性地采用獨特的多重固化-減粘機制，從根本上解決了精密制程，尤其是半導體制造中的剝離難題。據(jù)透露，目前，三沃化學公司這款UV減粘膠已在晶圓、UTG玻璃、PCB/FPC的精密切割保護等多個
2025-09-08 03:20:007177 的巨大壓力。任何一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)瓶頸，都會直接沖擊設計團隊的創(chuàng)新效率與市場競爭力。面對挑戰(zhàn)與機遇，華大九天傾力打造的新一代全定制IC設計平臺—Empyrean Aether，以其完整、高效、智能的卓越特性，為工程師們提供了強大引擎。
2025-08-30 09:16:006622 
Semiconductor）深耕第三代半導體領域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22833 
江西摩矽半導體：半導體領域的創(chuàng)新先鋒在半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當下，江西摩矽半導體有限公司猶如一顆冉冉升起的新星，以卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新精神，在競爭激烈的市場中占據(jù)了一席之地。江西摩矽半導體專注于半導體
2025-08-11 14:11:14
0 近日，派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:011208 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
近日，安世半導體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應用，深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET，如何滿足下一代工業(yè)應用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887
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2025-07-17 14:35:44
目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導體器件的應用到各類重要功率半導體器件的基本原理、設計原則和應用特性，建立起一系列不同層次的、復雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導體器件各級模型的基礎知識，使
2025-07-11 14:49:36
和精度能夠滿足光模塊在不同工況下的性能檢測要求，在光通訊行業(yè)的溫控應用中發(fā)揮作用。
依托帕爾貼效應這一科學原理研發(fā)的高精度半導體溫控產(chǎn)品，通過多樣化的產(chǎn)品配置，在各領域的溫控環(huán)節(jié)中發(fā)揮作用。從電子元件
2025-06-25 14:44:54
、技術(shù)分類到應用場景，全面解析這一“隱形冠軍”的價值與意義。一、什么是半導體清洗機設備？半導體清洗機設備是用于清潔半導體晶圓、硅片或其他基材表面污染物的專用設備。
2025-06-25 10:31:51
有沒有這樣的半導體專用大模型，能縮短芯片設計時間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應用在工藝優(yōu)化和預測性維護中
2025-06-24 15:10:04
半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴散運動等等。它們都對半導體的導電性造成不同的影響，但最終在半導體中產(chǎn)生電流的只有漂移運動和擴散運動。在此匯總集中介紹一下半導體中載流子的運動。
2025-06-23 16:41:132108 
，涵蓋了從材料生長到質(zhì)量控制的多個環(huán)節(jié)。外延生長監(jiān)測：確保高質(zhì)量材料基礎外延生長是第三代半導體材料制備的核心環(huán)節(jié)之一。碳化硅和氮化鎵通常通過化學氣相沉積（CVD）
2025-06-19 14:21:46552 
取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過創(chuàng)新設計與先進工藝，實現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹立了新標桿。 一、核心技術(shù)亮點：重新定義功率器件性能邊界 超低導通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強化散熱路徑，在18V驅(qū)動下實現(xiàn)10mΩ典型導通
2025-06-16 15:20:29711 
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
采用TO-LL封裝的意法半導體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設計元素共同實現(xiàn)了出色的開關性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設計人員進一步降低開關損耗。
2025-06-09 09:57:38858 在半導體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導體清洗機領域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻著關鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
Nordic nRF9151 新一代低功耗蜂窩SIP模組產(chǎn)品介紹
2025-05-22 11:19:201995 
在服務器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
咨詢請看首頁華太半導體（HOTTEK-SEMI）是一家專業(yè)電容式觸控方案設計公司，擁有專業(yè)軟件研發(fā)團隊。HOTTEK-SEMI推出的新一代觸摸MCU性能卓越：可多次重復編程（MTP），防水，抗干擾強
2025-05-20 16:11:14
HOTTEK-semi推出的新一代電容式單通道觸摸按鍵。擁有極強的抗電源和手機干擾的特性，完美解決普通電容式觸摸芯片在某些產(chǎn)品中出現(xiàn)觸摸不玲敏,或者誤觸發(fā)的問題。可以在適
2025-05-20 11:50:16
在半導體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中，“第一代半導體是否被淘汰”的爭議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的硅基芯片，以硅為代表的第一代半導體材料，始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色，支撐著全球95%以上的電子設備
2025-05-14 17:38:40884 
/ HT8756是華太半導體（HOTTEK-SEMI）研發(fā)的新一代電容式觸摸芯片，可提供6個觸摸感應按鍵，一對一直接CMOS輸出，或者NMOS開漏(opendrain)輸出，提
2025-05-14 17:36:19
半導體HOTTEK-semi推出的新一代電容式單通道觸摸按鍵。擁有極強的抗電源和手機干擾的特性，完美解決普通電容式觸摸芯片在某些產(chǎn)品中出現(xiàn)觸摸不靈敏,或者誤觸發(fā)的問題
2025-05-14 16:56:10
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 介紹的兩輪車儀表方案是無錫梓軒電子基于武漢芯源半導體 CW32L010F8P6開發(fā)，適用于小規(guī)格電動車儀表方案，實現(xiàn)車輛速度、累計里程、單次里程、模式狀態(tài)、故障狀態(tài)顯示等功能。
電動車儀表盤能夠及時
2025-05-13 14:06:45
電子束半導體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難，且難以測量。如果焦點是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
泛應用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點及發(fā)展趨勢的詳細介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎的緩沖溶液，通過化學腐蝕作用去除半導體表面的氧化層（如SiO?、SiN?）。其核心反應機制包括： 氟化物離子攻擊： 氟化銨（NH?
2025-04-28 17:17:255511 近日，半導體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產(chǎn)平替 ?專為半導體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200 在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的進程中，小華半導體作為率先投身超低功耗微控制單元（MCU）領域的先鋒企業(yè)，一直以來都在積極推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品革新。近期，小華半導體正式推出極具競爭力的新一代超低功耗微控制器產(chǎn)品——HC32L021。
2025-04-16 16:46:481796 
本文介紹了半導體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk?？赐晗嘈拍銓φ麄€芯片制造流程會非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導體通過一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291640 
半導體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562597 近日，中國密封檢測技術(shù)領軍企業(yè)海瑞思科技攜自主研發(fā)的新一代氫氮技術(shù)檢漏儀（HQ-200）重磅亮相2025韓國智能SMT&PCB組裝+半導體封裝展覽會。該設備憑借5*10-7mbar?L/s
2025-04-08 13:46:40633 新一代光纖涂覆機系列：國產(chǎn)！
2025年，濰坊華纖光電科技將推出五大類全光纖涂覆機，標志著國產(chǎn)光纖涂覆機技術(shù)邁入水平。以下是該系列產(chǎn)品的詳細介紹：
五大類光纖涂覆機
單套模組光纖涂覆機
特點：可替代
2025-04-03 09:13:01
介紹了半導體基礎知識，二極管，三極管。
2025-03-28 16:12:07
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
、參數(shù)與應用，除針對目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢做簡單介紹外，還將簡單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應用
電源設計工程師在選用
2025-03-24 15:03:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ?最近意法半導體（ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)和新一代BiCMOS技術(shù)，這兩項技術(shù)的整合形成一個獨特的300毫米（12英寸）硅工藝平臺，產(chǎn)品定位光互連市場，ST表示這兩項技術(shù)
2025-03-22 00:02:002892 MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)是電子電路中常用的關鍵器件，尤其在開關電源、電機驅(qū)動等領域應用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別GDS極和電路連接錯誤的問題。掌握MOSFET的使用技巧，首先要從電路圖入手，扎實掌握MOS管
2025-03-19 14:30:33986 
近日，半導體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借卓越的能效
2025-03-18 11:34:56857 
"超級大腦"賦能寶馬新世代車型智能駕駛樂趣 全新一代電子電氣架構(gòu)搭載新世代車型，覆蓋全動力系統(tǒng)和全細分車型 全新一代電子電氣架構(gòu)集成算力提升20倍，支持AI用戶體驗和場景 全新一代電子電氣架構(gòu)搭配
2025-03-13 15:42:14616 納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產(chǎn)品是對納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級與補充。新一代CSP MOS進一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)，顯著
2025-03-12 10:33:112854 ）等二維材料因結(jié)構(gòu)薄、電學性能優(yōu)異成為新一代半導體的理想材料，但目前還缺乏高質(zhì)量合成和工業(yè)應用的量產(chǎn)技術(shù)。 化學氣相沉積法（CVD）存在諸如電性能下降以及需要將生長的TMD轉(zhuǎn)移到不同襯底等問題，增加了工藝的復雜性。此外，在
2025-03-08 10:53:061187 MOSFET 同時導通，進一步降低了開關損耗。
當 VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動作。設計中 的 EN 引腳可以使芯片進入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長的電池壽命
2025-03-07 09:27:56
美國機構(gòu)分析，認為中國在支持下一代計算機的基礎研究方面處于領先地位。如果這些研究商業(yè)化，有人擔心美國為保持其在半導體設計和生產(chǎn)方面的優(yōu)勢而實施的出口管制可能會失效。 喬治城大學新興技術(shù)觀察站（ETO
2025-03-06 17:12:23728 的特性、參數(shù)與應用，除針對目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢做簡單介紹外，還將簡單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應用
電源設計工程師在
2025-03-06 15:59:14
北京市最值得去的十家半導體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設計、制造、設備及新興技術(shù)領域具有
2025-03-05 19:37:43
芯和半導體科技（上海）股份有限公司（以下簡稱“芯和半導體”）將于3月13日參加在重慶舉辦的重慶半導體制造與先進封測產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇。作為國內(nèi)Chiplet先進封裝EDA的代表，芯和半導體創(chuàng)始人、總裁代文亮博士將發(fā)表題為《集成系統(tǒng)EDA賦能加速先進封裝設計仿真》的主題演講。
2025-03-05 15:01:191182 光刻是廣泛應用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042118 
意法半導體（簡稱ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著AI計算需求的指數(shù)級增長，計算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導體
2025-02-20 17:17:511419 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 在《意法半導體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
半導體封裝是半導體器件制造過程中的一個重要環(huán)節(jié)，旨在保護芯片免受外界環(huán)境的影響，同時實現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細介紹半導體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001993 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新一代溝槽輔助平面SiC MOSFETS.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:52:342 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日發(fā)布了新一代固定方向電壓電平轉(zhuǎn)換器系列，適用于多種常見的推挽數(shù)據(jù)接口（包括UART、SPI和JTAG協(xié)議）以及通用輸入/輸出
2025-01-24 11:13:031018 BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
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