英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
隨著新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對(duì)高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導(dǎo)體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出新一代
2025-12-29 10:18:56617 
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
智能手環(huán)追求極致輕薄與持久續(xù)航，每一毫瓦的功耗與每一毫米的空間都至關(guān)重要。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出專為可穿戴設(shè)備優(yōu)化的MDD2312(N溝道)與MDD2333(P溝道)MOSFET配對(duì)方案，為智能手環(huán)的“電力心臟”注入高效、可靠的芯動(dòng)力。
2025-12-22 17:17:07859 能否詳細(xì)介紹一下MOSFET在電機(jī)控制中的作用？
2025-12-22 13:11:42
長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23271 
近日，安世半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能，接連將兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)收入囊中：一項(xiàng)是由國(guó)際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開(kāi)關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 15:22:39873 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過(guò)這些器件的測(cè)試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測(cè)試時(shí)測(cè)試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場(chǎng)需求
2025-10-21 16:56:30862 
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
恩智浦半導(dǎo)體宣布，深圳市億境虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“億境虛擬”）在其新一代 AI 眼鏡解決方案SW3021中采用恩智浦i.MX RT685跨界MCU，實(shí)現(xiàn)了極致低功耗與強(qiáng)大音頻處理能力的平衡。
2025-10-16 09:03:384142 傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng) 引言：迎接1000-1100V系統(tǒng)架構(gòu)的挑戰(zhàn) 隨著電動(dòng)汽車快充、可再生能源和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的飛速發(fā)展，電力系統(tǒng)正全面邁向
2025-10-11 18:28:36707 
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22499 
【內(nèi)測(cè)活動(dòng)同步開(kāi)啟】這么小？這么強(qiáng)？新一代大模型MCP開(kāi)發(fā)板來(lái)啦！
聆思全新一代六合一芯片「LS26系列」，搭載WIFI / BLE & BT / NPU，與「小聆AI」強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合
2025-09-25 11:47:11
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-19 17:34:561103 
9月16-17日，2025騰訊全球數(shù)字生態(tài)大會(huì)在深圳舉行。會(huì)議期間，騰訊正式發(fā)布全新一代智能駕駛地圖9.0。
2025-09-18 10:23:421391 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
SEMI-e 2025深圳國(guó)際半導(dǎo)體展，旨在為行業(yè)帶來(lái)突破性的技術(shù)革新。 展會(huì)上，瑞能半導(dǎo)體重點(diǎn)推介的最新一代車規(guī)級(jí)SiC MOSFET及二極管產(chǎn)品，在轉(zhuǎn)換效率、高溫穩(wěn)定性及長(zhǎng)期可靠性方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)突破，并已具備規(guī)模化量產(chǎn)能力。 這意味著瑞能半導(dǎo)
2025-09-12 15:10:52797 ，成功研制出新一代高性能UV減粘膠。 ? 該產(chǎn)品創(chuàng)新性地采用獨(dú)特的多重固化-減粘機(jī)制，從根本上解決了精密制程，尤其是半導(dǎo)體制造中的剝離難題。據(jù)透露，目前，三沃化學(xué)公司這款UV減粘膠已在晶圓、UTG玻璃、PCB/FPC的精密切割保護(hù)等多個(gè)
2025-09-08 03:20:007177 的巨大壓力。任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)瓶頸，都會(huì)直接沖擊設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新效率與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。面對(duì)挑戰(zhàn)與機(jī)遇，華大九天傾力打造的新一代全定制IC設(shè)計(jì)平臺(tái)—Empyrean Aether，以其完整、高效、智能的卓越特性，為工程師們提供了強(qiáng)大引擎。
2025-08-30 09:16:006622 
Semiconductor）深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22833 
江西摩矽半導(dǎo)體：半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，江西摩矽半導(dǎo)體有限公司猶如一顆冉冉升起的新星，以卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神，在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。江西摩矽半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體
2025-08-11 14:11:14
0 近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:011208 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
近日，安世半導(dǎo)體在線研討會(huì)聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用，深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET，如何滿足下一代工業(yè)應(yīng)用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887
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2025-07-17 14:35:44
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
和精度能夠滿足光模塊在不同工況下的性能檢測(cè)要求，在光通訊行業(yè)的溫控應(yīng)用中發(fā)揮作用。
依托帕爾貼效應(yīng)這一科學(xué)原理研發(fā)的高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，通過(guò)多樣化的產(chǎn)品配置，在各領(lǐng)域的溫控環(huán)節(jié)中發(fā)揮作用。從電子元件
2025-06-25 14:44:54
、技術(shù)分類到應(yīng)用場(chǎng)景，全面解析這一“隱形冠軍”的價(jià)值與意義。一、什么是半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備？半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是用于清潔半導(dǎo)體晶圓、硅片或其他基材表面污染物的專用設(shè)備。
2025-06-25 10:31:51
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種，比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在此匯總集中介紹一下半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)。
2025-06-23 16:41:132108 
，涵蓋了從材料生長(zhǎng)到質(zhì)量控制的多個(gè)環(huán)節(jié)。外延生長(zhǎng)監(jiān)測(cè)：確保高質(zhì)量材料基礎(chǔ)外延生長(zhǎng)是第三代半導(dǎo)體材料制備的核心環(huán)節(jié)之一。碳化硅和氮化鎵通常通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）
2025-06-19 14:21:46552 
取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38858 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
Nordic nRF9151 新一代低功耗蜂窩SIP模組產(chǎn)品介紹
2025-05-22 11:19:201995 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
咨詢請(qǐng)看首頁(yè)華太半導(dǎo)體（HOTTEK-SEMI）是一家專業(yè)電容式觸控方案設(shè)計(jì)公司，擁有專業(yè)軟件研發(fā)團(tuán)隊(duì)。HOTTEK-SEMI推出的新一代觸摸MCU性能卓越：可多次重復(fù)編程（MTP），防水，抗干擾強(qiáng)
2025-05-20 16:11:14
HOTTEK-semi推出的新一代電容式單通道觸摸按鍵。擁有極強(qiáng)的抗電源和手機(jī)干擾的特性，完美解決普通電容式觸摸芯片在某些產(chǎn)品中出現(xiàn)觸摸不玲敏,或者誤觸發(fā)的問(wèn)題?？梢栽谶m
2025-05-20 11:50:16
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中，“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭(zhēng)議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的硅基芯片，以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料，始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色，支撐著全球95%以上的電子設(shè)備
2025-05-14 17:38:40884 
/ HT8756是華太半導(dǎo)體（HOTTEK-SEMI）研發(fā)的新一代電容式觸摸芯片，可提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接CMOS輸出，或者NMOS開(kāi)漏(opendrain)輸出，提
2025-05-14 17:36:19
半導(dǎo)體HOTTEK-semi推出的新一代電容式單通道觸摸按鍵。擁有極強(qiáng)的抗電源和手機(jī)干擾的特性，完美解決普通電容式觸摸芯片在某些產(chǎn)品中出現(xiàn)觸摸不靈敏,或者誤觸發(fā)的問(wèn)題
2025-05-14 16:56:10
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 介紹的兩輪車儀表方案是無(wú)錫梓軒電子基于武漢芯源半導(dǎo)體 CW32L010F8P6開(kāi)發(fā)，適用于小規(guī)格電動(dòng)車儀表方案，實(shí)現(xiàn)車輛速度、累計(jì)里程、單次里程、模式狀態(tài)、故障狀態(tài)顯示等功能。
電動(dòng)車儀表盤能夠及時(shí)
2025-05-13 14:06:45
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎(chǔ)的緩沖溶液，通過(guò)化學(xué)腐蝕作用去除半導(dǎo)體表面的氧化層（如SiO?、SiN?）。其核心反應(yīng)機(jī)制包括： 氟化物離子攻擊： 氟化銨（NH?
2025-04-28 17:17:255511 近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:200 在國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的進(jìn)程中，小華半導(dǎo)體作為率先投身超低功耗微控制單元（MCU）領(lǐng)域的先鋒企業(yè)，一直以來(lái)都在積極推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品革新。近期，小華半導(dǎo)體正式推出極具競(jìng)爭(zhēng)力的新一代超低功耗微控制器產(chǎn)品——HC32L021。
2025-04-16 16:46:481796 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291640 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動(dòng)了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562597 近日，中國(guó)密封檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)海瑞思科技攜自主研發(fā)的新一代氫氮技術(shù)檢漏儀（HQ-200）重磅亮相2025韓國(guó)智能SMT&PCB組裝+半導(dǎo)體封裝展覽會(huì)。該設(shè)備憑借5*10-7mbar?L/s
2025-04-08 13:46:40633 新一代光纖涂覆機(jī)系列：國(guó)產(chǎn)！
2025年，濰坊華纖光電科技將推出五大類全光纖涂覆機(jī)，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)光纖涂覆機(jī)技術(shù)邁入水平。以下是該系列產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：
五大類光纖涂覆機(jī)
單套模組光纖涂覆機(jī)
特點(diǎn)：可替代
2025-04-03 09:13:01
介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)，二極管，三極管。
2025-03-28 16:12:07
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
、參數(shù)與應(yīng)用，除針對(duì)目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢(shì)做簡(jiǎn)單介紹外，還將簡(jiǎn)單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用
電源設(shè)計(jì)工程師在選用
2025-03-24 15:03:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?最近意法半導(dǎo)體（ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)和新一代BiCMOS技術(shù)，這兩項(xiàng)技術(shù)的整合形成一個(gè)獨(dú)特的300毫米（12英寸）硅工藝平臺(tái)，產(chǎn)品定位光互連市場(chǎng)，ST表示這兩項(xiàng)技術(shù)
2025-03-22 00:02:002892 MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件，尤其在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別GDS極和電路連接錯(cuò)誤的問(wèn)題。掌握MOSFET的使用技巧，首先要從電路圖入手，扎實(shí)掌握MOS管
2025-03-19 14:30:33986 
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效
2025-03-18 11:34:56857 
"超級(jí)大腦"賦能寶馬新世代車型智能駕駛樂(lè)趣 全新一代電子電氣架構(gòu)搭載新世代車型，覆蓋全動(dòng)力系統(tǒng)和全細(xì)分車型 全新一代電子電氣架構(gòu)集成算力提升20倍，支持AI用戶體驗(yàn)和場(chǎng)景 全新一代電子電氣架構(gòu)搭配
2025-03-13 15:42:14616 納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列，該系列產(chǎn)品是對(duì)納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級(jí)與補(bǔ)充。新一代CSP MOS進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)，顯著
2025-03-12 10:33:112854 ）等二維材料因結(jié)構(gòu)薄、電學(xué)性能優(yōu)異成為新一代半導(dǎo)體的理想材料，但目前還缺乏高質(zhì)量合成和工業(yè)應(yīng)用的量產(chǎn)技術(shù)。 化學(xué)氣相沉積法（CVD）存在諸如電性能下降以及需要將生長(zhǎng)的TMD轉(zhuǎn)移到不同襯底等問(wèn)題，增加了工藝的復(fù)雜性。此外，在
2025-03-08 10:53:061187 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低了開(kāi)關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動(dòng)作。設(shè)計(jì)中 的 EN 引腳可以使芯片進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長(zhǎng)的電池壽命
2025-03-07 09:27:56
美國(guó)機(jī)構(gòu)分析，認(rèn)為中國(guó)在支持下一代計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)研究方面處于領(lǐng)先地位。如果這些研究商業(yè)化，有人擔(dān)心美國(guó)為保持其在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方面的優(yōu)勢(shì)而實(shí)施的出口管制可能會(huì)失效。 喬治城大學(xué)新興技術(shù)觀察站（ETO
2025-03-06 17:12:23728 的特性、參數(shù)與應(yīng)用，除針對(duì)目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢(shì)做簡(jiǎn)單介紹外，還將簡(jiǎn)單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用
電源設(shè)計(jì)工程師在
2025-03-06 15:59:14
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”）將于3月13日參加在重慶舉辦的重慶半導(dǎo)體制造與先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇。作為國(guó)內(nèi)Chiplet先進(jìn)封裝EDA的代表，芯和半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁代文亮博士將發(fā)表題為《集成系統(tǒng)EDA賦能加速先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)仿真》的主題演講。
2025-03-05 15:01:191182 光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見(jiàn)的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042118 
意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著AI計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體
2025-02-20 17:17:511419 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來(lái)備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001993 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新一代溝槽輔助平面SiC MOSFETS.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:52:342 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了新一代固定方向電壓電平轉(zhuǎn)換器系列，適用于多種常見(jiàn)的推挽數(shù)據(jù)接口（包括UART、SPI和JTAG協(xié)議）以及通用輸入/輸出
2025-01-24 11:13:031018 BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
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