科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴充，同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現(xiàn)更快、更小、更輕、更強大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。”
2018-04-04 09:00:59
8213 內(nèi)交付給ST。 科銳（Cree）與意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布擴大并延伸現(xiàn)有多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協(xié)議至5億多美元。意法半導體是全球領先的半導體供應商，橫跨多重電子應用領域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價值的雙倍，科銳將在未來數(shù)年向意
2019-11-20 10:04:107098 ? 中國北京，2022 年?5 月?6日?——設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:423097 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:023024 
法國Soitec半導體公司宣布與應用材料公司啟動聯(lián)合項目，展開對新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 的基本物理學特性仍然在阻礙著其性能的進一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡單的拓撲結(jié)構(gòu)應用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓撲發(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻?！ ?4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?！ ?6
2019-01-11 13:42:03
每小時幾米?！ ∪欢摴に嚥贿m合SiC體積增長。對于碳化硅生產(chǎn)，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
領域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費者和行業(yè)的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應用角度來說，在選擇器件時，需要優(yōu)先考慮器件能否滿足應用要求，然后考慮器件對設備整體性能的提升幅度，綜合這兩個因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復電流比硅快恢復二極管小，有利提升產(chǎn)品效率。 硅快速恢復二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
的影響。電動汽車充電器：適用于電動汽車的極速充電，提高充電效率。工業(yè)自動化與測試：在智能化生產(chǎn)線、檢測儀器等領域提供可靠的功率兼容。電源系統(tǒng)：為各種通訊設備提供穩(wěn)定的電源。更多電動飛機和電動垂直
2025-06-25 09:13:14
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關(guān)器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
生長氮化鎵結(jié)晶，以研發(fā)更高性能的縱型氮化鎵FET。制成的晶圓的電阻約為10-4Ωcm2，遠低于碳化硅晶圓（10-3Ωcm2左右）、錯位密度為104/cm2、氮化鎵膜厚超過1毫米。研究人員獲得了一塊晶圓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強
2023-02-28 16:48:24
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航??！ 』景雽w第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
10μs，在設計硅IGBT的短路保護電路時，建議將短路保護的檢測延時和相應時間設置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護在3
2023-02-27 16:03:36
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
2018-10-10 11:06:5629773 華潤12吋晶圓生產(chǎn)線項目投資約100億元，建設國內(nèi)首座本土企業(yè)的12吋功率半導體晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產(chǎn)品。
2018-11-08 10:15:139889 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應。
2019-01-22 09:07:00871 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 Soitec攜手新傲科技，擴大中國區(qū)200mm SOI晶圓產(chǎn)量，保障未來增長 作為設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國Soitec半導體公司今日與中國領先的硅基半導體材料企業(yè)上海新傲
2019-02-23 12:08:01596 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術(shù)的自動化
2019-05-14 10:24:444139 格芯與Soitec簽署多項長期SOI晶圓供應協(xié)議，滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場增長性需求，協(xié)議確保了300毫米晶圓的大批量供應，以支持眾多快速增長細分市場中的各類客戶應用。
2019-06-11 09:51:00728 日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333991 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領域?qū)＜颐罓柹_成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）近年來，電動汽車產(chǎn)銷量不斷增長，同時越來越多車企將碳化硅產(chǎn)品用于電動汽車上，碳化硅功率半導體的未來市場被極度看好，為此，近日博世、東芝、羅姆等廠商紛紛表示，將大量擴大碳化硅功率半導體的產(chǎn)能。
2021-12-14 16:52:565079 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國 Soitec 半導體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）的檢測技術(shù)，實現(xiàn)碳化硅
2022-07-22 11:50:361261 
碳化硅在電動汽車和新能源等市場的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進制造工藝并專注于盡快加速產(chǎn)品在 SiC 領域采用的公司
2022-08-03 10:57:442685 
根據(jù)合作框架協(xié)議，中芯國際將在當?shù)亟ㄔO12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目，產(chǎn)品主要應用于通訊、汽車電子、消費電子、工業(yè)等領域。項目擬選址西青開發(fā)區(qū)賽達新興產(chǎn)業(yè)園內(nèi)。規(guī)劃建設 產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，可提供28納米~180納米不同技術(shù) 節(jié)點的晶圓代工與技術(shù)服務。
2022-08-29 11:31:413729 最近晶盛機電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。
2022-09-07 09:29:443278 【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協(xié)議
2022-09-20 11:39:121051 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。
2022-11-09 10:53:291128 隨著用于半導體制造的光刻系統(tǒng)變得越來越復雜，組件供應商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當前和未來的需求?；谏疃葍?nèi)部研發(fā)，由高性能SiSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實現(xiàn)了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質(zhì)量。
2022-12-01 11:10:171694 企業(yè)法國 Soitec 半導體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內(nèi)對
2022-12-05 14:09:42929 
雙方同意對Soitec技術(shù)進行產(chǎn)前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導體賦能技術(shù)，支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標 意法半導體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導體材料設計制造
2022-12-08 12:22:481145 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:192135 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 技術(shù)方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達成協(xié)議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:171392 進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:272334 
此前影響碳化硅器件放量的主要約束為成本經(jīng)濟性問題，現(xiàn)今隨著晶圓生產(chǎn)制造成本下行、與硅基器件價差持續(xù)縮小，同時若考慮散熱系統(tǒng)成本節(jié)約、空間節(jié)約、電驅(qū)系統(tǒng)性能提升和整車價值躍升等附加價值，碳化硅器件已具有一定競爭優(yōu)勢。
2023-06-08 14:50:371779 
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發(fā)生反應，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗，現(xiàn)將
2022-12-08 16:50:464337 
據(jù)悉，廣東芯粵能半導體有限公司位于廣州市南沙自貿(mào)區(qū)，是一家面向車規(guī)級和工控領域的碳化硅芯片制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領域。
2023-06-20 11:26:261304 碳化硅晶錠的生長、切割一直是業(yè)內(nèi)公認的難題，全球僅有少數(shù)幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認可，wolfspeed作為目前這個領域的領先者，是唯一一個8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:391043 長達 10 年的供應協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:371106 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競爭。
2023-07-14 16:22:581831 與傳統(tǒng)硅基半導體相比，碳化硅晶圓具有眾多優(yōu)勢，特別是卓越的能源效率，將有助于擴大電動汽車的續(xù)航里程。此外，這些晶圓能夠在更高的溫度下運行，使其非常適合用于逆變器和電源模塊等高功率設備。
2023-08-03 16:35:051036 碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43635 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:573651 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818 
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:261290 11月上旬，羅姆株式會社社長松本功在財報電話會議上宣布，他們將在日本宮崎縣的國富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓，預計將于2024年開始。
2023-11-25 16:07:341866 晶盛機電公司決定從2017年開始，
碳化硅生長設備及技術(shù)研發(fā)（r&d）開始，通過研究開發(fā)組的技術(shù)攻堅，2018年，公司成功開發(fā)了6英寸生長
碳化硅決定，2020年長征及加工研發(fā)試驗
生產(chǎn)線建立?！?/div>
2023-12-06 14:08:171447 在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:221856 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272 今天，美國能源部（DOE）貸款計劃辦公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS， LLC提供5.44億美元的有條件貸款，以擴大美國電動汽車（EV）電力電子設備用高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的生產(chǎn)。
2024-02-23 14:52:351234 據(jù)了解，該公司乃我國最大的碳化硅粉體研發(fā)、制造與銷售商，主營業(yè)務包括電子級高純碳化硅粉體以及碳化硅襯底的生產(chǎn)與銷售。
2024-05-08 16:51:122081 近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201194 后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國的半導體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力。來源：芯聯(lián)集成在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的
2024-05-30 11:24:522315 
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有比硅（Si）更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應用中具有優(yōu)勢
2024-08-08 10:13:174710 全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48917 近日，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步，也進一步提升了本土市場的響應速度，增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291115 01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能
2025-07-15 15:00:19961 了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)應用的空白，更為第三代半導體關(guān)鍵制造裝備的國產(chǎn)化進程注入了強大動力，同時也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前，該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領域通過了多家行
2025-09-10 09:12:481432 天岳先進上海工廠產(chǎn)品交付儀式舉辦當天，英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質(zhì)量并且有競爭力的150毫米（6英寸）碳化硅晶圓和晶錠，其
2023-05-06 01:20:003980 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠，一期項目投資額高達20億歐元，重點生產(chǎn)碳化硅功率半導體
2024-08-12 09:10:335264 已全部加載完成
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