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SK Hynix 確定2018年推出 DDR6 帶寬比 HBM2 還要高

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HBM2的簡介以及未來發(fā)展 三星押寶HBM2的優(yōu)點解析

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2022-07-25 11:25:524410

為 AI 黃金時段做好準備的高帶寬內存:HBM2e 與 GDDR6

SoC 設計人員和系統(tǒng)工程師在內存帶寬、容量和內存使用均衡方面面臨著與深度學習計算元素相關的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應用程序,每種應用程序都有其自身的優(yōu)點,但
2022-07-30 11:53:503296

SK海力士將向英偉達系統(tǒng)供應HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:252219

三星GDDR6W面世,直接對標HBM2E的顯存

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)隨著DDR5的內存開始起量,DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動,LPDDR5X開始普及,LPDDR6已經(jīng)提上日程,DRAM市場可謂瞬息萬變。 我們再來看看顯存市場,似乎仍停留
2022-12-02 07:15:031989

ChatGPT帶旺HBM存儲

據(jù)韓媒報道,自今年年初以來,三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器(HBM)訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能,但其應用一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:446124

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術打破技術瓶頸

HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高帶寬,完美解決傳統(tǒng)存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)了高帶寬HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:246749

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據(jù)悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393

HBM芯片市場前景可期,三星2023訂單同比增長一倍以上

sk海力士負責市場營銷的管理人員表示:“一臺ai服務器至少需要500gb的hbm帶寬內存和2tb的ddr5內存。人工智能是拉動內存需求的強大力量?!?b class="flag-6" style="color: red">sk海力士預測,到2027,隨著人工智能的發(fā)達,hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493

英偉達聯(lián)手SK海力士,嘗試將HBM內存3D堆疊到GPU核心上

hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層,使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上,完全消除中介層的目標。
2023-11-21 09:53:041460

DDR6DDR5內存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

的型號。 首先,我們來看一下DDR6內存。DDR6是目前市場上最新的內存技術,它在DDR5的基礎上進行了一些改進。DDR6內存的關鍵特點如下: 1. 帶寬更大:DDR6內存的帶寬DDR5內存更大。DDR6內存的帶寬可以達到每秒14.4 GB,而DDR5內存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內存可
2024-01-12 16:43:0513400

傳英偉達與SK海力士協(xié)調2025HBM供應

據(jù)可靠消息來源透露,英偉達與SK海力士已開始就2025第一季度的高帶寬存儲器(HBM)供應量進行協(xié)調。這一合作的背后,是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497

HBM、HBM2HBM3和HBM3e技術對比

AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預期25市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆??捎玫目?b class="flag-6" style="color: red">帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預計2026投產

HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025

SK海力士宣布,計劃于2025下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議,原本預計HBM4內存要等到2026才會問世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM產能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025的產能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 推出 HBM4E 內存在內存帶寬 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

SK海力士提前一量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內人士預計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲器提前一量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026開始,提前一量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星和SK海力士下半年停產DDR3內存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

SK海力士力挫三星,穩(wěn)坐HBM行業(yè)領軍地位

值得注意的是,早年對HBM技術表現(xiàn)出濃厚興趣的三星,與英偉達共同研發(fā)了HBMHBM2系列產品,然而銷售初期市場反應冷淡,導致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰(zhàn)

在存儲芯片領域,美國巨頭美光(Micron)近日釋放了強烈的市場擴張信號,宣布其目標是在2025自然將高帶寬內存(HBM)市場占有率提升至與DRAM市占率相當?shù)乃?,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:591061

DDR5內存面臨漲價潮,存儲巨頭轉向HBM生產

近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內存產品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調整
2024-08-15 10:19:212762

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術

據(jù)最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術。這一合作預示著隨著自動駕駛技術的日益普及,HBM不僅將在人工智能(AI)服務器領域大放異彩,更將逐漸滲透至汽車芯片市場,成為未來五的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:481202

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新

隨著生成式AI技術的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性能提出了更為嚴苛的要求。近日,韓國SK集團
2024-11-05 14:13:031482

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynixSK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

淺談DDR6 RAM設計挑戰(zhàn)

DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本,最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
2024-12-03 16:47:012067

SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

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