該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41
1676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 ，skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 在嚴格的9個開發(fā)階段后，當前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志，這預示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:421391 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領域穩(wěn)占先機。他還強調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業(yè)對大容量
HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應運而生，”
三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的
HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術(shù)領域的領先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:451945 光在該領域處于業(yè)界領先地位。這一消息推動美光股價在當天上漲4%，27日美股早盤繼續(xù)上漲逾2.5%。 HBM3E是第五代高頻寬記憶體，目前提供的容量為24GB，每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb，記憶體
2024-02-28 14:17:101311 其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493 
內(nèi)存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)
2024-03-04 18:51:411886 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導體技術(shù)領域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 就此，知情人士指出，三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此，一家行業(yè)分析機構(gòu)表示，考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長，三星有必要作出調(diào)整。
2024-03-13 13:35:191095 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領頭羊SK海力士，后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 三星方面表示，預計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達36GB。
2024-04-24 14:44:381196 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918 在今年的IEEE IMW 2024活動中，三星DRAM業(yè)務的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉達主導的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場的交匯點，一則關于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達嚴格質(zhì)量測試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點燃了業(yè)界內(nèi)外對于高性能存儲技術(shù)未來
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質(zhì)量認證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準備批準），并預示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181268 韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392 在半導體存儲領域，三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動著市場的神經(jīng)。近期，業(yè)內(nèi)傳出消息，三星電子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存儲器即將完成批量出貨驗證，這一
2024-07-17 15:19:411221 近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)?；a(chǎn)階段，預計在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn)，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預計其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消息引起了廣泛關注。然而，三星電子對此事態(tài)的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示：“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達H200系列應用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預示著更先進技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領域的持續(xù)領先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導體行業(yè)當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉達供應HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術(shù)實力和
2024-11-04 10:39:39786 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 芯片。作為當前市場上最先進的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對三星提供的兩種不同堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存進行評估，分別是8層堆疊和12層堆疊。 這兩種堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存各具特色。
2024-11-25 14:34:171028 正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達若能夠成功引入這款芯片，無疑將為其AI產(chǎn)品提供更為強勁的動力。 值得注意的是，目前英偉達主要從韓國競爭對手
2024-11-26 10:22:171129 近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前，美光正在對最終設備進行評估，并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標志著美光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
2025-06-18 09:41:531323 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產(chǎn)時間在2026年。英偉達、AMD等處理器大廠都規(guī)劃了HBM4與自家GPU結(jié)合的產(chǎn)品，HBM4將成為未來AI、HPC、數(shù)據(jù)中心等高性能應用至關重要的芯片。 行業(yè)標準制定中 近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布的新聞稿表示，
2024-07-28 00:58:136874 
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496 
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