2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00
1583 近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21
1820 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05
1327 美國記憶體制造巨頭美光(Micron)于26日宣布,其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)(NVIDIA)H200 Tensor Core GPU,標(biāo)志著美
2024-02-28 14:17:10
1311 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53
6003 
其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51
1493 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41
1886 
美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:28
1608 近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商
美光公司宣布,已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——
HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著
美光在半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破,也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺妱诺挠嬎隳芰χС帧?/div>
2024-03-08 10:02:07
891 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42
1516 同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44
2225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21
1675 據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59
1737 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37
4681 
HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
1844 現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了美光最新款的HBM3E芯片。過去,韓國SK海力士曾是其獨家供應(yīng)商。
2024-03-21 16:26:36
1490 的應(yīng)用需求增長,比如HBM需求強勁;都為存儲芯片行業(yè)帶來了新的增長機會。 而且美光科技Q3營收指引高達(dá)68億美元;美光科技預(yù)計在HBM強勁需求驅(qū)動下,在第三財季營收區(qū)間將達(dá)到64億美元至68億美元,同比增長高達(dá)70%到81%。 美光對HBM3E寄予厚望,英偉達(dá)是美光HBM3E產(chǎn)品的
2024-03-21 17:14:59
1227 據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11
989 據(jù)最新消息透露,英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06
1180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09
1917 12層HBM3e將每個堆??捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09
1352 
HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行,實現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬,為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:10
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TC鍵合機作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備,近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:46
2069 三星方面表示,預(yù)計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存,而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s,產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:38
1196 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07
1054 具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團(tuán)隊將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:39
1199 業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
1863 三星電子近期正積極投入驗證工作,以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而,業(yè)界傳出消息,因臺積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題,導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13
918 美光,這家位于美國愛達(dá)荷州波伊西(Boise)的企業(yè),是HBM芯片的三大供應(yīng)商之一,也是AI服務(wù)器所需硬件的關(guān)鍵部件。他們生產(chǎn)的最新一代高頻寬存儲器3E(HBM3E)被AI芯片巨頭英偉達(dá)(NVDA-US)的H200采用。
2024-05-22 10:08:20
877 早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30
1079 據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17
1888 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:31
1726 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13
1659 在全球高帶寬內(nèi)存(HBM)市場競爭日益激烈的背景下,美光(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市場拓展計劃。該公司預(yù)計,在2024會計年度,將搶下HBM市場超過20%的份額,而到2025會計年度末,市占率更是計劃挑戰(zhàn)25%的高位。
2024-06-07 09:58:22
1115 據(jù)韓國媒體報道,為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品,同時進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:57
1084 在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中,英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:58
1465 在存儲芯片領(lǐng)域,美國巨頭美光(Micron)近日釋放了強烈的市場擴張信號,宣布其目標(biāo)是在2025年自然年將高帶寬內(nèi)存(HBM)市場占有率提升至與DRAM市占率相當(dāng)?shù)乃?,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:59
1061 在科技界與金融市場的交匯點,一則關(guān)于三星電子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通過英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測試的消息于7月4日悄然傳開,瞬間點燃了業(yè)界內(nèi)外對于高性能存儲技術(shù)未來
2024-07-04 16:22:51
1195 近日,韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的質(zhì)量認(rèn)證,即Qualtest PRA(產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)),并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:03
1118 近期,有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程,以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:18
1268 韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進(jìn)行了否認(rèn),表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:58
1392 在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域,三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動著市場的神經(jīng)。近期,業(yè)內(nèi)傳出消息,三星電子的HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)存儲器即將完成批量出貨驗證,這一
2024-07-17 15:19:41
1221 近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報,其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?;a(chǎn)階段,預(yù)計在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:59
1401 最先進(jìn)的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長到今年最后一個季度的60%。三星存儲銷售和營銷負(fù)責(zé)人Kim Jaejune表示,該公司將為幾家客戶供貨,但未透露客戶姓名。 ? 英偉達(dá)是三星和競爭對手美光正在爭取的最重要的客戶,三星預(yù)測的快速增長表明,
2024-08-01 11:08:11
1376 全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著美光成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力,更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:46
1251 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37
1053 8月7日,市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示:“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26
968 近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02
1161 進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠(yuǎn),強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:56
1635 9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時,三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗證工作,預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:09
1772 自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36
1645 近日,知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:28
1404 美光科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付,標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:37
1553 今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1987 SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:17
1176 AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升,近期消息顯示,不僅HBM(高帶寬存儲器)出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴產(chǎn)的情況,英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的GPU也面臨市場需求遠(yuǎn)超供應(yīng)的局面。
2024-10-15 14:25:35
1451 近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:10
1255 和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力,更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:20
1231 在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
1189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:20
1364 2048位接口,這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲效率。美光計劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4,以滿足日益增長的高性能計算需求。 除了HBM4,美光還透露了HBM4E的研發(fā)計劃。HBM4E作為HBM4的升級版,不僅將提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,還將具備根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片的能力。這一創(chuàng)新將為
2024-12-23 14:20:39
1377 堅實基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措,無疑將在全球半導(dǎo)體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品,其量產(chǎn)將有望推動整個半導(dǎo)體存儲行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力,也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:24
1050 光在亞洲地區(qū)的進(jìn)一步布局和擴張。 據(jù)美光方面介紹,該工廠將采用最先進(jìn)的封裝技術(shù),致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質(zhì)量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展,HBM內(nèi)存的需求也在不斷增長。為了滿足這一市場需求,美光決定在新加坡建設(shè)這座先進(jìn)的封裝工
2025-01-09 16:02:58
1155 近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布,將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前,美光正在對最終設(shè)備進(jìn)行評估,并計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著美光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12
914 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內(nèi)存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:00
1106 其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲,這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38
979 近日,美光科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著美光在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2025-02-18 14:51:19
1269 2025年9月24日,美光在2025財年第四季度財報電話會議中確認(rèn),第四代高帶寬內(nèi)存(HBM4)將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨,2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破
2025-09-26 16:42:31
1181 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:31
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:00
5534 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:13
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海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:00
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