9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 2012至2016年全球3D IC市場的年復(fù)合成長率為19.7%，成長貢獻主要來自行動運算裝置的記憶體需求大幅增加，3D IC 可以改善記憶體產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠度，并可協(xié)助減低成本與縮小產(chǎn)品尺寸。
2013-07-23 17:32:421722 ）亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
2016-05-10 09:56:541428 
近日中國半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。
2016-05-24 10:29:501676 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
隨著國家存儲器基地落戶湖北，該省的產(chǎn)業(yè)鏈條也在加速完善，以沖擊中國IC產(chǎn)業(yè)第四極。
2016-10-27 10:13:00803 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 要做好3D打印材料這篇大文章，縮小與國際差距。 2016年3D打印線材迭代更新 打破產(chǎn)業(yè)瓶頸指日可待 近幾年來，3D打印行業(yè)的發(fā)展可謂是如火如荼，但在發(fā)展過程中，其限制因素也逐漸暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:111034 今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:114140 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 孕育了很長時間的藍牙Mesh將兩種mesh網(wǎng)絡(luò)模式相結(jié)合，提供可控的泛洪，僅允許類似的設(shè)備（比如家里所有通過藍牙連接的照明設(shè)備）之間以“鋪蓋”的方式互相通信，而非近距離范圍內(nèi)的所有藍牙設(shè)備。藍牙Mesh的廣泛應(yīng)用指日可待，尤其在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。
2017-09-27 14:33:474645 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
成功，認真投入3D技術(shù)研發(fā)，而且正要進入量產(chǎn)的一個工廠--武漢存儲基地，原本計劃的是一個10萬片產(chǎn)能的平面一層工廠，現(xiàn)在可以做15萬，2019年這個廠也將真正進入量產(chǎn)，長江存儲正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
汽車是除了航天航空外應(yīng)用3D打印最為密集的行業(yè)之一，據(jù)SmarTech預(yù)測，到2023年這個市場有望達到22.7億美元，折合為人民幣則將近150億。
2016-11-28 09:54:111415 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
存儲介質(zhì)革命是當今“雙輪驅(qū)動”存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新源泉之一，未來是閃存的時代，3D NAND被寄予厚望，投資240億美元的國家存儲器基地項目日前也在武漢動工，無不表明3D NAND制造在存儲產(chǎn)業(yè)中的重要性。
2017-01-09 17:29:12781 iphone 8 流傳會取消Home 鍵，這個專利也許會帶來關(guān)鍵技術(shù)。另一方面早前有蘋果專利利用孔洞技術(shù)，令一些放在手機前方的元件例如前置鏡頭、話筒等等隱藏在屏幕之后，兩個專利加上來，iphone 8全屏幕無邊框指日可待。
2017-02-15 11:03:331010 
的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 骨之所以沒有隨著其他骨骼3D打印技術(shù)的進步而被一同推向市場，主要原因在于其質(zhì)地與普通骨骼十分不同。迄今為止，成功植入骨折或骨骼畸形患者體內(nèi)的3D打印骨骼大多都是金屬材質(zhì)，而用于制作3D打印軟骨的主要
2017-11-09 17:31:361251 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:402401 在2017年就在傳言的攜號轉(zhuǎn)網(wǎng)和無限流量服務(wù)一直未能到來，但是。2018年隨著5G時代的到來，對消費者的終端設(shè)備或應(yīng)用將會有更好的體驗方式，同時攜號轉(zhuǎn)網(wǎng)和無限流量也將指日可待。
2018-01-12 12:03:399289 在國家企業(yè)資本和政策雙加持下，我國的人工智能產(chǎn)業(yè)越發(fā)繁榮，同時英偉達作為我們首要的競爭對手，國內(nèi)涌出一大波的AI初創(chuàng)公司，比如科大訊飛，寒武紀，中國實力在不斷增強，中國AI芯片企業(yè)離掀翻英偉達指日可待。
2018-01-22 10:10:273742 
NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:004018 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備，預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺4月11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-04-27 11:52:005224 的平面閃存，3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計2018年或2019年量產(chǎn)，并進軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:302159 近日，備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）”在深圳開幕，來自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球存儲界大廠以及英特爾、谷歌等科技界巨頭的代表們齊聚一堂，圍繞“全球閃存市場的最新發(fā)展、技術(shù)的演進以及行業(yè)應(yīng)用”等話題展開了深度探討。
2018-09-27 16:19:312199 ?由于國家政策和大基金的支持，中國大陸現(xiàn)在也把存儲芯片作為重點來抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 目前，生物3D技術(shù)已經(jīng)從傳統(tǒng)僅注重結(jié)構(gòu)和形狀的制造，拓展到構(gòu)建體外細胞結(jié)構(gòu)體和生物裝置，并應(yīng)用于再生醫(yī)學(xué)、病理學(xué)、藥理學(xué)和藥物檢測模型，以及基于細胞和微流體裝置的細胞、組織、器官等高級生物和醫(yī)療器械產(chǎn)品。
2018-10-28 09:46:345315 全球 3D NAND 價格近來快速崩跌，紫光集團旗下的長江存儲肩負打破國內(nèi)“零”存儲自制率之重任，以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸廠進入生產(chǎn)，南京廠也將于年內(nèi)動工，加上成都廠
2018-11-30 09:16:252791 技術(shù)確實降低了每千兆字節(jié)的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進封裝測試技術(shù)實現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。
2019-01-11 09:56:315732 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:393096 據(jù)中新網(wǎng)8月3日報道， 國家存儲器基地項目（一期）二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產(chǎn)指日可待。
2019-08-05 15:48:303214 在存儲領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商一直沒有太多發(fā)言權(quán)，但如今隨著中國半導(dǎo)體存儲的不斷發(fā)展，已經(jīng)取得了相當不俗的成就，近日根據(jù)報道，國家存儲器基地項目(一期)二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)日前已受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產(chǎn)指日可待。
2019-08-06 16:25:30971 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲
2019-09-03 10:07:021788 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 據(jù)通用技術(shù)集團消息，經(jīng)過前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準備，日前武漢國家存儲器基地施工生產(chǎn)加速推進，現(xiàn)場300余名工人已經(jīng)投入到各項工作。
2020-04-15 16:20:421980 隨著武漢重啟，新興建設(shè)承建的國家級高科技重點項目武漢國家存儲器基地，經(jīng)過前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準備，日前，項目施工生產(chǎn)加速推進，現(xiàn)場300余名工人已經(jīng)投入到各項工作。
2020-04-16 10:06:404435 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 近日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國家存儲器基地的項目是由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，這項目計劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:183051 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 日前，TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:183722 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 打孔屏一直遭到很多網(wǎng)友的反感，但這也是沒有辦法的辦法，畢竟屏下攝像頭還有很多的物理障礙需要突破。手機行業(yè)巨頭三星在很早的時候就開始研究 UDC 技術(shù)，并有多項技術(shù)專利獲批。三星再曝屏下攝像頭新專利，消滅打孔屏指日可待。
2021-01-08 10:35:283041 。這也標志著由中國超高清視頻產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟推出的HDR Vivid標準開始商用落地。據(jù)悉，目前已有包括上游芯片、內(nèi)容制作、顯示終端在內(nèi)的多家超高清產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)共同推進CUVA HDR應(yīng)用進程，HDR Vivid標準全面商用指日可待。
2021-02-03 08:55:005458 由此可見，距時速600KM/H高速磁懸浮列車落地實用指日可待。但雖說時速600KM/H高速磁懸浮列車正在來的路上，具體中國居民啥時候能乘坐它出行呢？對此問題，日前，官方作出了回應(yīng)。
2021-04-23 08:07:041699 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 在3D實現(xiàn)方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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