消息的帶動(dòng)，聯(lián)電3月31日在美股的ADR交易飆升14%，市值達(dá)到169億美元。 格芯和聯(lián)電合并的兩大目的 外媒消息透露，格芯和聯(lián)電一旦合并，兩家公司將創(chuàng)建一家規(guī)模更大的美國(guó)公司，其將全球制造的布局將遍及美洲、亞洲和歐洲，這家公司將增
2025-04-02 00:05:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37798 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “粵芯半導(dǎo)體”）首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市的申請(qǐng)正式獲深圳證券交易所受理，這家廣東省首家進(jìn)入量產(chǎn)的 12 英寸晶圓制造企業(yè)，有望
2025-12-23 09:42:061733 支持4-12英寸晶圓，針對(duì)超薄晶圓（如≤300μm）采用低應(yīng)力夾持方案，避免破損。通過(guò)模塊化托盤設(shè)計(jì)，快速切換不同規(guī)格載具，兼容方形基板等非標(biāo)準(zhǔn)樣品。污染物分層處
2025-12-17 11:25:31435 
：利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生空化效應(yīng)，形成微小氣泡并破裂時(shí)釋放沖擊力，剝離附著在晶圓表面的顆粒污染物。例如，40kHz低頻超聲波適用于去除微米級(jí)顆粒，而1MHz以上兆聲波可清除納米級(jí)顆粒且避免損傷表面。 機(jī)械力輔助 ：采用旋轉(zhuǎn)噴
2025-11-18 11:06:19200 12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20327 檢測(cè)晶圓清洗后的質(zhì)量需結(jié)合多種技術(shù)手段，以下是關(guān)鍵檢測(cè)方法及實(shí)施要點(diǎn)：一、表面潔凈度檢測(cè)顆粒殘留分析使用光學(xué)顯微鏡或激光粒子計(jì)數(shù)器檢測(cè)≥0.3μm的顆粒數(shù)量，要求每片晶圓≤50顆。共聚焦激光掃描
2025-11-11 13:25:37349 
、6-8英寸等），并根據(jù)晶圓厚度（通常300μm–1200μm）優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保清洗過(guò)程中晶圓的穩(wěn)定性和安全性。例如，針對(duì)超薄晶圓需采用低應(yīng)力夾持方案以避免破損。 污染物類型與敏感度：需有效去除≥0.1μm甚至檢測(cè)到5nm級(jí)別的顆粒物，
2025-10-30 10:35:19267 判斷晶圓清洗后是否完全干燥需要綜合運(yùn)用多種物理檢測(cè)方法和工藝監(jiān)控手段，以下是具體的實(shí)施策略與技術(shù)要點(diǎn)：1.目視檢查與光學(xué)顯微分析表面反光特性觀察：在高強(qiáng)度冷光源斜射條件下，完全干燥的晶圓呈現(xiàn)均勻
2025-10-27 11:27:01258 
一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而，隨著晶圓
2025-10-17 13:40:01399 
，國(guó)內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重?fù)脚鸪駫伖夤杵蚱七M(jìn)口依賴，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。 ? 中欣晶圓主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)，在產(chǎn)品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋
2025-10-17 11:24:263276 近日，由中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中電二公司”）承建的中國(guó)蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項(xiàng)目迎來(lái)重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標(biāo)志著全國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全
2025-10-16 18:25:022128 近日，上揚(yáng)軟件憑借深厚的行業(yè)積淀、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力以及眾多經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的成功案例，在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，成功中標(biāo)麥斯克電子材料股份有限公司（麥斯克電子）8英寸外延片工廠 CIM 系統(tǒng)實(shí)施項(xiàng)目。此次合作
2025-10-14 11:50:46675 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
在半導(dǎo)體制造中，不同尺寸的晶圓對(duì)甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速需求存在差異，但通常遵循以下規(guī)律：小尺寸晶圓（如≤8英寸）這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可采用較高的轉(zhuǎn)速進(jìn)行離心甩干。常見范圍為3000–10000
2025-09-17 10:55:54411 
晶圓清洗后的干燥是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，其核心目標(biāo)是在不引入二次污染、不損傷表面的前提下實(shí)現(xiàn)快速且均勻的脫水。以下是幾種主流的干燥技術(shù)及其原理、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)介紹：1.旋轉(zhuǎn)甩干
2025-09-15 13:28:49541 
9月8日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補(bǔ)
2025-09-10 09:12:481431 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
晶圓清洗后的干燥是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是在不損傷材料的前提下實(shí)現(xiàn)快速、均勻且無(wú)污染的脫水過(guò)程。以下是主要干燥方式及其技術(shù)特點(diǎn)：1.旋轉(zhuǎn)甩干（SpinDrying）原理：將清洗后的晶圓
2025-08-19 11:33:501109 
資金。公司股票自8月18日開市起開始停牌，預(yù)計(jì)停牌時(shí)間不超過(guò)10個(gè)交易日。股票停牌期間，公司將根據(jù)事項(xiàng)進(jìn)展情況，嚴(yán)格按照有關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定和要求履行信息披露義務(wù)。待上述事項(xiàng)確定后，公司將及時(shí)發(fā)布相關(guān)公告并申請(qǐng)公司股票復(fù)牌。 據(jù)悉，華虹公司本
2025-08-18 14:26:511371 臺(tái)北消息，據(jù)Focus Taiwan報(bào)道，臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，TSMC）計(jì)劃在未來(lái)兩年內(nèi)逐步停止其6英寸晶圓業(yè)務(wù)，并持續(xù)整合8英寸晶
2025-08-14 17:20:17646 半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化浪潮中，晶圓傳輸效率直接制約產(chǎn)線吞吐量。傳統(tǒng)機(jī)械臂傳輸存在振動(dòng)大、精度低的缺陷，而直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)的EFEM（設(shè)備前端模塊）憑借高速平滑運(yùn)動(dòng)，將晶圓交接時(shí)間縮短至0.8秒內(nèi)，同時(shí)定位精度提升至微米級(jí)，成為12英寸晶圓廠優(yōu)選方案。
2025-08-06 14:43:38697 這一領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。美能光子灣3D共聚焦顯微鏡，為晶圓切割后的質(zhì)量監(jiān)控提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持，確保了半導(dǎo)體制造過(guò)程中的每一個(gè)細(xì)節(jié)都能達(dá)到極致的精確度。切割
2025-08-05 17:53:44764 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來(lái)，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料；晶越半導(dǎo)體也
2025-07-30 09:32:1311752 近日，晶越半導(dǎo)體傳來(lái)重大喜訊，在半導(dǎo)體材料研發(fā)領(lǐng)域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化工藝，于 7 月 21 日成功研制出
2025-07-25 16:54:48700 晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通?！?μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm2（具體取決于工藝節(jié)點(diǎn)）。部分應(yīng)用（如功率器件）可接受更低標(biāo)準(zhǔn)，但需避免肉眼可見污
2025-07-22 16:54:431539 
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn)：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 近日，氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位的同時(shí)，也將為全球氮化鎵市場(chǎng)注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59677 堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)——今年8月底通線試產(chǎn)，第四季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡并交付客戶。 光刻機(jī)進(jìn)入百級(jí)潔凈黃光區(qū)廠房 奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目作為重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目，計(jì)劃總投資35億元，包含8英寸特色傳感器芯片量產(chǎn)線、8英寸MEMS特色晶
2025-07-16 18:11:441051 
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011618 
WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
關(guān)系 ，正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將使用位于臺(tái)灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。從物理結(jié)構(gòu)看，TCWafer由作為基底的晶圓片（硅、藍(lán)寶石或碳化硅材質(zhì)）和分布式溫度傳感器網(wǎng)絡(luò)組成，通過(guò)特殊加工工藝將耐高溫傳感器以焊接方式固定在晶圓特
2025-06-27 10:03:141396 
WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物，這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來(lái)自范德華力的物理吸附作用，因此業(yè)界主要采用物理或化學(xué)方法對(duì)顆粒物進(jìn)行底切處理，通過(guò)逐步減小其與晶圓表面的接觸面積，最終實(shí)現(xiàn)脫附。
2025-06-13 09:57:01864 貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
表面與清洗設(shè)備（如夾具、刷子、兆聲波噴嘴）或化學(xué)液膜接觸時(shí)，因材料電子親和力差異（如半導(dǎo)體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同），發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如，晶圓表面的二氧化硅（SiO?）與聚丙烯（PP）材質(zhì)的夾具摩擦后，可能因電子轉(zhuǎn)移產(chǎn)生凈電荷。 液體介質(zhì)影響：清洗
2025-05-28 13:38:40737 摘要：本文針對(duì)激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問(wèn)題，深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)、晶圓預(yù)處理以及檢測(cè)反饋機(jī)制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供
2025-05-23 09:42:45580 
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后，業(yè)界并沒(méi)有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先進(jìn)率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底；一個(gè)月后，爍
2025-05-21 00:51:007317 完成后，晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。晶圓為什么要減薄封裝階段對(duì)晶圓進(jìn)行減薄主要基于多重考量。從劃片工藝角度，較厚晶圓硬度較高，在傳統(tǒng)機(jī)械切割時(shí)易出現(xiàn)劃片不均、
2025-05-16 16:58:441109 
英寸晶圓厚度約為670微米，8英寸晶圓厚度約為725微米，12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成后，晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。
2025-05-09 13:55:511975 圓片級(jí)封裝（WLP），也稱為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問(wèn)世以來(lái)，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362067 
尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，一些頭部的襯底廠商已經(jīng)開始批量出貨。 ? 而在去年11月，天岳先進(jìn)一鳴驚人，發(fā)布了行業(yè)首款12英寸N型碳化
2025-04-16 00:24:002840 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
在SEMICON China 2025展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191191 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在2月27日，意法半導(dǎo)體（ST）和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個(gè)近年海外半導(dǎo)體巨頭在中國(guó)最大的投資項(xiàng)目，朝著正式量產(chǎn)邁向了一大步
2025-03-18 00:11:004754 
圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料，更是連接設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)的橋梁。在這張畫布上，光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆，將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的功能芯片。 晶圓：從砂礫到硅片 晶圓的起點(diǎn)是普通的砂礫，其主要成分是二氧化硅（SiO?
2025-03-10 17:04:251542 近日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng)，海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜，士蘭微電子董事會(huì)秘書、高級(jí)副總裁陳越，中建三局（福建）投資建設(shè)有限公司總經(jīng)理王召坤分別致辭。
2025-03-04 14:20:051177 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
后每周可以生產(chǎn)約1萬(wàn)片車規(guī)級(jí)晶圓。 ? ? ? 安意法半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月，由三安光電（股權(quán)占比51%）與意法半導(dǎo)體（中國(guó)）投資有限公司（股權(quán)占比49%）共同出資設(shè)立，項(xiàng)目計(jì)劃總投資約230億元，將建成年產(chǎn)約48萬(wàn)片的8英寸碳化硅晶圓
2025-02-27 18:45:104655 三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司，簡(jiǎn)稱安意法)，全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn)，屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?；慨a(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341589 ? 【DT半導(dǎo)體】獲悉，2月21日，晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下，下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn)，公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市場(chǎng)進(jìn)一步提升，并在功率半導(dǎo)體設(shè)備和先進(jìn)制程設(shè)備
2025-02-22 15:23:221830 制造設(shè)備達(dá)到使用壽命時(shí)降低生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)150毫米及更小晶圓的需求將下降。因此Sumco將把宮崎工廠改造成專門生產(chǎn)單晶錠的工廠，并在2026年底前停止該廠的晶圓生產(chǎn)。 據(jù)Sumco稱，硅晶圓市場(chǎng)繼續(xù)面臨長(zhǎng)期需求低迷尤其隨著電動(dòng)汽車需求放緩，200毫米硅晶圓
2025-02-20 16:36:31815 近日，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守，但2026年
2025-02-19 11:35:49945 3.5英寸高清智能串口屏 8位MCU并口通信的COG裸屏 或帶驅(qū)動(dòng)板232串口通信的智能屏
2025-02-18 14:49:36824 
下降了2.7%，總量達(dá)到122.66億平方英寸，顯示出市場(chǎng)需求的一定疲軟，但這一數(shù)據(jù)卻預(yù)示著市場(chǎng)正逐步走出低谷。與此同時(shí)，硅晶圓行業(yè)的營(yíng)收也受到了一定程度的影響，同比下降6.5%，降至115億美元。然而，隨著下半年市場(chǎng)需求的逐漸回暖，這一趨勢(shì)有望得到逆轉(zhuǎn)。
2025-02-17 10:44:17840 萬(wàn)美元，這是華虹半導(dǎo)體在近三年內(nèi)出現(xiàn)首次單季度虧損。 ? 圖：華虹半導(dǎo)體營(yíng)收情況 ? 華虹半導(dǎo)體是一家特色工藝純晶圓代工企業(yè)，主要晶圓尺寸為8英寸和12英寸，主要面向嵌入式/獨(dú)立式非易失性存儲(chǔ)器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯與射頻等特色工藝技術(shù)
2025-02-15 00:12:003150 
近日，日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略決策，計(jì)劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:521215 大家元宵節(jié)快樂(lè)！
半導(dǎo)體新人，想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨，主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短，采購(gòu)供應(yīng)商庫(kù)里沒(méi)有合適的廠家，因此來(lái)求助發(fā)燒友們。
我們的需求是：
瓦楞紙箱（質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
據(jù)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報(bào)告顯示，2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)2.7%的同比下降，總量達(dá)到122.66億平方英寸（MSI）。與此同時(shí)，硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢(shì)，同比下降6.5%，預(yù)計(jì)總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27890 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
據(jù)廈門日?qǐng)?bào)的最新報(bào)道，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上，鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝，標(biāo)志著該項(xiàng)目正式進(jìn)入快速建設(shè)階段。預(yù)計(jì)在今年一季度，該項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)封頂。
2025-01-24 15:01:491544 ? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目、升陽(yáng)半導(dǎo)體臺(tái)中港區(qū)再生晶圓新廠、南太湖新區(qū)
2025-01-24 11:23:023218 近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 AP-200，中間為晶體管檢測(cè)儀IWATSU CS-10105C，右邊為控制用計(jì)算機(jī)。三部分組成了一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺(tái)，主要對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)，分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備這幾部分，載物臺(tái)用于晶圓的放置，可以兼容4~8寸的晶圓，上面有
2025-01-14 09:29:132358 
的。 全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)工作流程一覽 裝載晶圓： 將待清洗的晶圓放入專用的籃筐或托盤中，然后由機(jī)械手自動(dòng)送入清洗槽。 清洗過(guò)程： 晶圓依次經(jīng)過(guò)多個(gè)清洗槽，每個(gè)槽內(nèi)有不同的清洗液和處理步驟，如預(yù)洗、主洗、漂洗等。 清洗過(guò)程中可
2025-01-10 10:09:191113 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)或其他吸附方案相比，對(duì) BOW/WARP 測(cè)量有著顯著且復(fù)雜的影響。
一、常見吸附方案概述
傳統(tǒng)的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點(diǎn)吸附等。全表面吸附利用真空將晶圓
2025-01-09 17:00:10639 近日，晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過(guò)客戶驗(yàn)證，設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)未來(lái) 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐
2025-01-09 11:25:33890 
晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:262099 
。在此之前，皖芯集成的注冊(cè)資本僅為5000.01萬(wàn)元。 本次增資完成后，晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%，仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營(yíng)收排名，晶合集成位居全球前九，是中國(guó)大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09778 
據(jù)無(wú)錫高新區(qū)在線消息，近日，2025年江蘇省重大項(xiàng)目清單正式發(fā)布。無(wú)錫高新區(qū)（新吳區(qū)）實(shí)施項(xiàng)目再創(chuàng)新高。華虹集成電路晶圓制造、無(wú)錫阿斯利康小分子藥物新工廠、日聯(lián)科技工業(yè)射線智能檢測(cè)設(shè)備等10個(gè)產(chǎn)業(yè)
2025-01-07 17:29:321779 8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧！ 顆粒去除清洗 目的與方法：此步驟旨在去除晶圓表面的微小顆粒物，這些顆粒
2025-01-07 16:12:00813 ？ 1、不同型號(hào)的8寸晶圓清洗機(jī)，其清洗槽的尺寸可能會(huì)有所不同。例如，某些設(shè)備可能具有較大的清洗槽以容納更多的晶圓或提供更復(fù)雜的清洗工藝。 2、不同的制造商在設(shè)計(jì)8寸晶圓清洗機(jī)時(shí)，可能會(huì)根據(jù)其技術(shù)特點(diǎn)、市場(chǎng)需求和客戶反
2025-01-07 16:08:37569
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