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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>飛兆半導(dǎo)體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET

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半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-15 10:49:09204

選型手冊(cè):VS3622DP2 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN5x6封裝,適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一
2025-12-15 09:51:07218

選型手冊(cè):VSD950N70HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-12 15:59:34330

選型手冊(cè):VS2N7002K N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號(hào)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低功率信號(hào)開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型小信號(hào)
2025-12-12 15:43:13301

選型手冊(cè):VSU070N65HS3 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-12 15:36:26245

選型手冊(cè):VS320N10AU N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 15:26:26170

選型手冊(cè):VST009N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 14:34:23226

選型手冊(cè):VS3602GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 15:36:26280

選型手冊(cè):VST002N06MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-11 11:20:23194

選型手冊(cè):VS3610AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-11 10:52:20289

選型手冊(cè):VS3640DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配雙路低壓電源管理、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-11 10:48:33275

選型手冊(cè):VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 14:53:13275

選型手冊(cè):VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN3333封裝,適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-10 14:50:13238

選型手冊(cè):VS3640AA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用DFN2x2封裝,適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-10 11:48:31227

選型手冊(cè):VST012N20HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:49:57228

選型手冊(cè):VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32215

選型手冊(cè):VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-08 11:10:47237

選型手冊(cè):VS6614DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:雙通道N
2025-12-08 10:43:06235

選型手冊(cè):VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-08 10:32:52241

選型手冊(cè):VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

選型手冊(cè):VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-04 09:22:59258

VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-12-03 09:53:50217

高壓半橋驅(qū)動(dòng)如何兼顧效率、抗擾?SiLM22868帶來600V/4A為你解答

MOSFET等新一代寬帶隙半導(dǎo)體器件,支持系統(tǒng)向更高頻、更高效的方向演進(jìn)。 堅(jiān)固耐用,無懼苛刻環(huán)境:從600V的高壓耐受到寬溫工作范圍(-40℃~150℃),再到集成化的保護(hù)功能,其設(shè)計(jì)充分考慮了工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)
2025-12-03 08:25:35

選型手冊(cè):VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207

選型手冊(cè):VS5814DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于VeriMOS?技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中壓雙路電源管理、DC/DC
2025-12-02 09:25:31228

選型手冊(cè):VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高可靠性,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-01 16:36:00207

選型手冊(cè):VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高
2025-12-01 15:32:59189

選型手冊(cè):VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域
2025-12-01 15:07:36169

深入解析 NVMFS024N06C:高性能單通道 N溝道 MOSFET

作為一名電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時(shí),選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。今天我們就來詳細(xì)探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-12-01 14:02:46261

選型手冊(cè):VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204

解析 NVMFS4C306N:高性能單通道 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,其性能表現(xiàn)直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS4C306N通道 N 溝道 MOSFET,看看它在實(shí)際應(yīng)用中究竟有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2025-11-27 16:29:57334

選型手冊(cè):VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能,憑借1.00mΩ極致低阻、125A
2025-11-27 14:48:33239

選型手冊(cè):VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-27 14:42:04194

選型手冊(cè):VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-26 15:24:14240

選型手冊(cè):VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持10V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器
2025-11-26 15:13:13226

SLM2181CA-DG解析600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器的核心優(yōu)勢(shì)

影響 通道匹配兩通道間匹配傳輸延時(shí)核心特性詳解: 浮動(dòng)通道與自舉供電:專為自舉操作設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道,使SLM2181CA-DG能直接驅(qū)動(dòng)高邊配置的N溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓高達(dá)600V,這顯著
2025-11-21 08:35:25

SLM21814CJ-DG 600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器解析與應(yīng)用探討

一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動(dòng)通道
2025-11-20 08:47:23

?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復(fù)整流器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224

SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅(qū)動(dòng)器

600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285,超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì),解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題,實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18

三菱電機(jī)推出新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊

包括PSS30SF1F6(額定電流30A / 額定電壓600V)和PSS50SF1F6(額定電流50A / 額定電壓600V)。
2025-09-24 10:39:48916

SiLM2285 600V/4A半橋驅(qū)動(dòng)芯片 賦能工業(yè)與新能源高效升級(jí)

了其對(duì)電壓波動(dòng)的適應(yīng)性。3. 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),集成度高 采用浮動(dòng)通道架構(gòu),可直接驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT,無需復(fù)雜的隔離電源,極大地簡(jiǎn)化了半橋、全橋等拓?fù)涞脑O(shè)計(jì),降低了方案
2025-09-05 08:31:35

數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM22xx系列半橋門極驅(qū)動(dòng)器

數(shù)明半導(dǎo)體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅(qū)動(dòng)換新系列產(chǎn)品。
2025-08-28 11:20:591932

SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片

,是各種高壓半橋和全橋拓?fù)涞暮?jiǎn)潔解決方案。核心優(yōu)勢(shì)解析: 高壓與強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力: 芯片的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá)600V的工作電壓,并能耐受負(fù)壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40

SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186半橋驅(qū)動(dòng)解決方案

代替IR2186,為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性價(jià)比的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。核心優(yōu)勢(shì):高壓驅(qū)動(dòng)與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價(jià)值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06

SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半橋驅(qū)動(dòng),直擊高壓高功率應(yīng)用痛點(diǎn)

升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲,顯著降低開關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。 高邊直驅(qū)設(shè)計(jì): 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT,無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25

SLM21867CA-DG高性能600V高低邊門極驅(qū)動(dòng)器兼容代替IRS21867S

:SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)半橋或類似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54

BDR6307B 600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片中文手冊(cè)

? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

HPD2606X 600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè):高壓高速MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

圣邦微電子推出30VN溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30VN 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971

MOSFET與IGBT的區(qū)別

半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產(chǎn)品族)。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

純凈電力,穩(wěn)定運(yùn)行——600V變380V隔離變壓器,半導(dǎo)體設(shè)備的最佳選擇!

在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中,電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定,甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器,為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06577

加拿大設(shè)備電壓不匹配?600V變380V隔離變壓器來助力!

卓爾凡電力科技變壓器,當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí),電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作,甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V
2025-03-05 08:50:52547

CSA材料認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)600V變380V 600V變480V變壓器 卓爾凡

600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質(zhì),成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證:品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書 CSA,即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證,在加拿大電氣設(shè)備市場(chǎng)擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言,獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797

600V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,用來驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。 BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022

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